Diterbitkan pada 9 Agustus 2024, pukul 15:30 EE Times Japan
Sebuah kelompok penelitian dari Universitas Hokkaido Jepang telah bersama-sama mengembangkan “transistor film tipis oksida” dengan mobilitas elektron 78cm2/Vs dan stabilitas yang sangat baik dengan Universitas Teknologi Kochi. Layar TV OLED 8K generasi berikutnya dapat digerakkan.
Permukaan film tipis lapisan aktif ditutupi dengan film pelindung, sehingga sangat meningkatkan stabilitas
Pada bulan Agustus 2024, kelompok penelitian yang terdiri dari Asisten Profesor Yusaku Kyo dan Profesor Hiromichi Ota dari Lembaga Penelitian Ilmu Elektronik, Universitas Hokkaido, bekerja sama dengan Profesor Mamoru Furuta dari Sekolah Sains dan Teknologi, Universitas Teknologi Kochi, mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan “transistor film tipis oksida” dengan mobilitas elektron 78cm2/Vs dan stabilitas yang sangat baik. Layar TV OLED 8K generasi berikutnya dapat digerakkan.
TV OLED 4K saat ini menggunakan transistor film tipis oksida-IGZO (a-IGZO TFT) untuk menggerakkan layar. Mobilitas elektron transistor ini sekitar 5 sampai 10 cm2/Vs. Namun, untuk menggerakkan layar TV OLED 8K generasi berikutnya, diperlukan transistor film tipis oksida dengan mobilitas elektron 70 cm2/Vs atau lebih.
Asisten Profesor Mago dan timnya mengembangkan TFT dengan mobilitas elektron 140 cm2/Vs 2022, menggunakan film tipisindium oksida (In2O3)untuk lapisan aktif. Namun, ini tidak digunakan secara praktis karena stabilitas (keandalan) sangat buruk akibat adsorpsi dan desorpsi molekul gas di udara.
Kali ini, kelompok peneliti memutuskan untuk menutupi permukaan lapisan tipis aktif dengan lapisan pelindung untuk mencegah gas terserap di udara. Hasil percobaan menunjukkan bahwa TFT dengan film pelindungyttrium oksidaDanerbium oksidamenunjukkan stabilitas yang sangat tinggi. Selain itu, mobilitas elektron adalah 78 cm2/Vs, dan karakteristiknya tidak berubah meskipun diberi tegangan ±20V selama 1,5 jam, tetap stabil.
Di sisi lain, stabilitas tidak meningkat pada TFT yang menggunakan hafnium oksida ataualuminium oksidasebagai film pelindung. Ketika susunan atom diamati dengan menggunakan mikroskop elektron, ditemukan bahwaindium oksida Danyttrium oksida terikat erat pada tingkat atom (pertumbuhan heteroepitaksial). Sebaliknya, dipastikan bahwa pada TFT yang stabilitasnya tidak meningkat, antarmuka antara indium oksida dan lapisan pelindung bersifat amorf.