
Trimethylaluminan (TMAI)
| Synonyme | Trimethylaluminium, Aluminiumtrimethyl, Aluminiumtrimethanid, TMA, TMAL, AlMe3, Ziegler-Natta-Katalysator, Trimethyl-, Trimethylalan. |
| CAS-Nummer | 75-24-1 |
| Chemische Formel | C6H18Al2 |
| Molmasse | 144,17 g/mol, 72,09 g/mol (C3H9Al) |
| Aussehen | Farblose Flüssigkeit |
| Dichte | 0,752 g/cm³ |
| Schmelzpunkt | 15℃ (59℉; 288K) |
| Siedepunkt | 125–130 °C (257–266 °F, 398–403 K) |
| Löslichkeit in Wasser | Reagiert |
| Dampfdruck | 1,2 kPa (20℃), 9,24 kPa (60℃) |
| Viskosität | 1,12 cP (20℃), 0,9 cP (30℃) |
Trimethylaluminium (TMAl)Als metallorganische (MO) Quelle findet TMAl breite Anwendung in der Halbleiterindustrie und dient als wichtiger Vorläufer für die Atomlagenabscheidung (ALD), die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD). Es wird zur Herstellung hochreiner aluminiumhaltiger Schichten wie Aluminiumoxid und Aluminiumnitrid eingesetzt. Darüber hinaus findet TMAl umfangreiche Anwendung als Katalysator und Hilfsstoff in organischen Synthese- und Polymerisationsreaktionen.
Trimethylaluminium (TMAI) dient als Vorstufe für die Aluminiumoxidabscheidung und fungiert als Ziegler-Natta-Katalysator. Es ist zudem die am häufigsten verwendete Aluminiumvorstufe bei der Herstellung von metallorganischen Gasphasenepitaxie-Materialien (MOVPE). Darüber hinaus dient TMAI als Methylierungsmittel und wird häufig von Höhenforschungsraketen als Tracer zur Untersuchung von Windmustern in der oberen Atmosphäre freigesetzt.
Unternehmensspezifikation von 99,9999% Trimethylaluminium - Niedriger Silizium- und niedriger Sauerstoffgehalt (6N TAMI-Low Si and Low Ox)
| Element | Ergebnis | Spezifikation | Element | Ergebnis | Spezifikation | Element | Ergebnis | Spezifikation |
| Ag | ND | <0,03 | Cr | ND | <0,02 | S | ND | <0,05 |
| As | ND | <0,03 | Cu | ND | <0,02 | Sb | ND | <0,05 |
| Au | ND | <0,02 | Fe | ND | <0,04 | Si | ND | ≤0,003 |
| B | ND | <0,03 | Ge | ND | <0,05 | Sn | ND | <0,05 |
| Ba | ND | <0,02 | Hg | ND | <0,03 | Sr | ND | <0,03 |
| Be | ND | <0,02 | La | ND | <0,02 | Ti | ND | <0,05 |
| Bi | ND | <0,03 | Mg | ND | <0,02 | V | ND | <0,03 |
| Ca | ND | <0,03 | Mn | ND | <0,03 | Zn | ND | <0,05 |
| Cd | ND | <0,02 | Ni | ND | <0,03 | |||
| Co | ND | <0,02 | Pb | ND | <0,03 |
Notiz:
Der Wert wird in ppm (Gewichtsanteil) auf Metall angegeben, ND bedeutet „nicht nachweisbar“.
Analysemethode: ICP-OES/ICP-MS
FT-NMR-Ergebnisse (Nachweisgrenze für organische und sauerstoffhaltige Verunreinigungen mittels FT-NMR: 0,1 ppm):
Sauerstoffgarantie <0,2 ppm (gemessen mittels FT-NMR)
1. Es wurden keine organischen Verunreinigungen nachgewiesen.
2. Es wurden keine sauerstoffhaltigen Verunreinigungen nachgewiesen.
Wozu wird Trimethylaluminium (TMAI) verwendet?
Trimethylaluminium (TMA)- Anwendungen und Verwendungszwecke
Trimethylaluminium (TMA) ist eine hochreine Organoaluminiumverbindung, die in einigen der fortschrittlichsten Fertigungsbranchen als wichtiger Vorläuferstoff dient. Aufgrund seiner außergewöhnlichen Reaktivität und seines hohen Dampfdrucks ist es das Material der Wahl für die Abscheidung präziser aluminiumhaltiger Schichten in der Elektronik und Energietechnik sowie ein grundlegender Bestandteil bei der Polyolefinproduktion.
Unser TMA wird nach strengsten Reinheitsstandards hergestellt, wobei elementare, sauerstoffhaltige und organische Verunreinigungen streng kontrolliert werden, um eine optimale Leistung auch in Ihren anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
Hauptanwendungen und Branchen:
1. Halbleiter- und Mikroelektronikfertigung
In der Halbleiterindustrie ist die TMA-Technik unverzichtbar für die Abscheidung dünner Schichten mit atomarer Präzision.
* Hoch-k-Dielektrika: Werden in der Atomlagenabscheidung (ALD) und der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) verwendet, um gleichmäßige, porenfreie Dünnschichten aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) herzustellen, die als Hoch-k-Gate-Dielektrika in modernen Transistoren und Speicherbauelementen dienen.
* Verbindungshalbleiter: Die bevorzugte Aluminiumquelle in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) zur Herstellung von Hochleistungs-III-V-Verbindungshalbleitern. Diese Materialien sind essenziell für:
* Hochfrequenzelektronik: (z. B. AlGaAs, AlInGaP)
* Optoelektronik: (z. B. AlGaN, AlInGaN)
2. Saubere Energie & Photovoltaik
TMA ermöglicht höhere Effizienz und Langlebigkeit bei Solarenergietechnologien.
* Oberflächenpassivierungsschichten: Die mittels ALD oder plasmaverstärkter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) abgeschiedenen Aluminiumoxidschichten (Al₂O₃) von TMA bieten eine hervorragende Oberflächenpassivierung für kristalline Siliziumsolarzellen. Dies reduziert die Ladungsträgerrekombination drastisch und führt zu signifikanten Verbesserungen des Wirkungsgrades und der Langzeitstabilität der Zellen.
3. Fortschrittliche Beleuchtung und Anzeige (LED)
Die Herstellung von hochhellen und energieeffizienten LEDs ist auf hochreines TMA angewiesen.
* LED-Epitaxie: Dient als Aluminiumvorläufer in MOVPE-Reaktoren zum Wachstum der aktiven Schichten (z. B. AlGaN) in blauen, grünen und ultravioletten LEDs.
* Gerätepassivierung: Dient zur Abscheidung von schützenden Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitridschichten, die die optische Auskopplungseffizienz erhöhen und die Betriebsdauer von LED-Bauelementen verlängern.
4. Industrielle Katalyse & Polymerproduktion
Die industrielle Bedeutung von TMA liegt in seiner Rolle bei der Katalyse.
Polyolefin-Katalyse: Es ist der wichtigste Ausgangsstoff für die Synthese von Methylaluminoxan (MAO), einem entscheidenden Co-Katalysator in Ziegler-Natta- und Metallocen-Katalysatorsystemen. Diese Systeme produzieren den Großteil der weltweiten Polyethylen- und Polypropylen-Kunststoffe.
Wichtigste Merkmale und Vorteile:
* Ultrahohe Reinheit: Sorgfältig kontrolliert, um Verunreinigungen zu minimieren, die die elektronische Leistung und die katalytische Aktivität beeinträchtigen.
* Überlegener Vorläufer: Bietet ausgezeichnete Flüchtigkeit, thermische Stabilität und saubere Zersetzungseigenschaften für die Abscheidung hochwertiger Filme.
* Industriestandard: Die etablierte, vertrauenswürdige Aluminiumquelle für MOVPE-, ALD- und CVD-Prozesse in globalen Forschungs- und Entwicklungs- sowie Produktionsstätten.
* Grundlage für Kunststoffe: Ein wichtiger Rohstoff, der die Herstellung vielseitiger und unverzichtbarer Polyolefinpolymere ermöglicht.
Hinweis: Trimethylaluminium ist ein pyrophores und feuchtigkeitsempfindliches Material, das spezielle Handhabungs- und Sicherheitsvorkehrungen erfordert. Die bereitgestellten Informationen dienen lediglich der Beschreibung. Es liegt in der Verantwortung des Anwenders, dieses Material gemäß allen geltenden Sicherheitsrichtlinien zu handhaben und seine Eignung für die jeweilige Anwendung zu prüfen.