Жоғары тазалықтағы теллур диоксиді ұнтағын (TeO2) анықтау әдісі мин.99,9%

Теллур диоксиді туралы

Ауада теллурдың жануының негізгі нәтижесі - теллур диоксиді. Теллур диоксиді суда әрең ерійді, бірақ концентрлі күкірт қышқылында толығымен ерійді. Теллур диоксиді күшті қышқылмен және күшті тотықтырғышпен тұрақсыздық көрсетеді. Теллур диоксиді амфотерлі зат болғандықтан, ерітіндіде қышқылмен немесе сілтілікпен әрекеттесуі мүмкін.

Теллур диоксидінің деформация тудыру ықтималдығы өте жоғары және улы болғандықтан, денеге сіңген кезде, ол тыныс алғанда сарымсақ иісіне ұқсас иіс (теллур иісі) шығаруы мүмкін. Бұл зат - теллур диоксидінің метаболизмі нәтижесінде пайда болатын диметилтеллур.

Теллур диоксиді ұнтағының кәсіпорындық сипаттамасы

Қаптамасы: 1 кг/бөтелке немесе 25 кг/вакуумды алюминий фольга пакеті

Теллур диоксиді ұнтағы не үшін қолданылады?

Теллур диоксиді (TeO₂)Ұнтақ – бірегей оптоэлектрондық, термиялық және құрылымдық қасиеттерімен танымал жоғары өнімді бейорганикалық қосылыс. Оның әмбебаптығы озық технологиялық салаларды, ғылыми зерттеулерді және өнеркәсіптік өндірісті қамтиды, оның ішінде маңызды қолданылуы:

1. Акустооптикалық материалдар

- Парателлурит монокристалдарында (α-TeO₂) негізгі компонент ретінде қызмет етеді, бұл келесі мақсаттарда өте жылдам жарық модуляциясын қамтамасыз етеді:

✓ Лазер сәулесін басқару және жиілікті ауыстыру

✓ Оптикалық байланыс жүйелері (DWDM сүзгілері, Q-коммутаторлары)

✓ Ультрадыбыстық бейнелеу және нақты уақыт режиміндегі голография

- Көрінетін және орташа инфрақызыл спектрлерде жұмыс істейтін жоғары ажыратымдылықтағы құрылғылар үшін ерекше акустикалық-оптикалық құндылық көрсеткішін (M₂) көрсетеді.

2. Жетілдірілген әйнек жүйелері

- Арнайы оптикалық көзілдіріктерде шартты шыны түзгіш ретінде жұмыс істейді:

✓ Телекоммуникациядағы талшықты күшейткіштерге (Er³+/Pr³+-легирленген) арналған төмен фонондық энергиялы теллуритті көзілдіріктер

✓ Инфрақызыл линзалар мен түнгі көру оптикасына арналған жоғары сыну индексі бар көзілдіріктер

✓ Дозиметрия және сцинтилляция материалдарына арналған радиацияға сезімтал әйнек

3. Жартылай өткізгіш технологиясы

- II-VI қосылыс жартылай өткізгіштерінің маңызды прекурсорлары:

✓ Рентген/γ-сәулелік детекторлар мен күн батареяларына арналған CdTe/CdZnTe кристалдарын өсіру

✓ Реттелетін инфрақызыл фотодетекторларға арналған HgTe негізіндегі кванттық нүкте синтезі

✓ Топологиялық оқшаулағыштарды зерттеуге интеграциялау (мысалы, Bi₂Te₃/TeO₂ гетероқұрылымдары)

4. Энергияны түрлендіру жүйелері

- Жоғары тиімді термоэлектрлік құрылғыларды қосады:

✓ Микроэлектроникадағы Peltier салқындатқыштарына арналған висмут теллуриді (Bi₂Te₃) композиттері

✓ Қалдық жылуды қалпына келтіру модульдері (300-500K температурада ZT >1.2)

✓ Ғарышты зерттеу жабдықтарына арналған криогенді термопаралар

5. Пьезоэлектрлік және пироэлектрлік құрылғылар

- Сызықтық емес оптикалық кристалдардағы қоспа (мысалы, TeO₂-Li₂O жүйелері):

✓ Газды анықтауға арналған беттік акустикалық толқын (SAW) сенсорлары

✓ Жылдам жауап беретін инфрақызыл пироэлектрлік детекторлар (<10 мс)

✓ 5G/6G базалық станцияларындағы жиілік тұрақтандырылған осцилляторлар

6. Жаңадан пайда болып жатқан қолданбалар

- Кванттық материал синтезі:

✓ Спинтроник құрылғыларындағы 2D теллурен нанопарақтарына арналған үлгі

✓ Жоғары өткізгіштік кристалдардың өсуіндегі флюс агенті

- Химиялық бу тұндыру (ХБТ):

✓ Электрохромды ақылды терезелерге арналған жұқа қабықшалы TeO₂ жабындары

✓ Резистивті RAM (ReRAM) диэлектрлік қабаттары

- Ядролық технология:

✓ Нейтронды қорғайтын композиттер (TeO₂-PbO-B₂O₃ көзілдіріктері)

✓ Нейтриноларды анықтауға арналған сцинтиллятор матрицалары

Негізгі артықшылықтары:

- Кең оптикалық тарату диапазоны (0,35–5 мкм)

- Қышқылдық/тотығу ортасында жоғары химиялық тұрақтылық

- Арнайы оптоэлектроникаға арналған реттелетін тыйым салынған аймақ (3,7–4,2 эВ)

Ескерту: Ұнтақ түріндегі орташа уыттылыққа байланысты бақылаулы өңдеуді қажет етеді. Қолдану көбінесе оның амфотерлі сипатын және қос тотығу күйлерін (Te⁴+/Te⁶+) пайдаланады.

Бұл көпфункционалды материал фотоника, тұрақты энергетика және кванттық технологиялар саласындағы жетістіктерге мүмкіндік береді, сонымен қатар оның нейроморфтық есептеулер мен терагерц толқындық бағыттаушылардағы рөлін зерттейтін зерттеулер жалғасуда.