Բարձր մաքրության ինդիումի մետաղական ձուլակտորի փորձարկում Նվազագույնը՝ 99.9999%
| Ինդիում մետաղ |
| Տարրի խորհրդանիշ = Մեջ |
| Ատոմային թիվ=49 |
| ● Եռման կետ = 2080℃ ● Հալման կետ = 156.6℃ |
Ինդիում մետաղի մասին
Երկրակեղևում առկա քանակը կազմում է 0.05 ppm և այն առաջանում է ցինկի սուլֆիդից։ Ցինկի մետալուրգիայում մոխիրից անջատելով՝ ստանում են ինդիումի իոնի հեղուկը (3-ից +) և էլեկտրոլիզի միջոցով այն դարձնում են բարձր մաքրության եզակի նյութ։ Այն առաջանում է արծաթափայլ սպիտակ բյուրեղի տեսքով։ Այն փափուկ է և պատկանում է քառակուսի բյուրեղային համակարգին։ Այն կայուն է օդում և տաքացնելուց հետո առաջացնում է In2O3։ Սենյակային ջերմաստիճանում կարող է ռեակցիայի մեջ մտնել ֆտորի և քլորիդի հետ։ Կարող է լուծվել թթվային լուծույթում, բայց ոչ ջրային կամ ալկալային լուծույթում։
Բարձրորակ ինդիումի ձուլակտորի տեխնիկական բնութագրերը
| Ապրանքի համարը, | Քիմիական բաղադրիչ | |||||||||||||||
| ≥(%)-ում | Արտասահմանյան նյութեր ≤ppm | |||||||||||||||
| Cu | Pb | Zn | Cd | Fe | Tl | Sn | As | Al | Mg | Si | S | Ag | Ni | Ընդհանուր | ||
| UMIG6N | 99.9999 | 1 | 1 | - | 0.5 | 1 | - | 3 | - | - | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
| UMIG5N | 99.999 | 4 | 10 | 5 | 5 | 5 | 10 | 15 | 5 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | - |
| UMIG4N | 99.993 | 5 | 10 | 15 | 15 | 7 | 10 | 15 | 5 | 5 | - | - | - | - | - | 70 |
| UMIG3N | 99.97 | 10 | 50 | 30 | 40 | 10 | 10 | 20 | 10 | 10 | - | - | - | - | - | 300 |
Փաթեթավորում՝ 500±50 գ/ձուլակտոր, պատված պոլիէթիլենային ֆայլային տոպրակով, դրված փայտե տուփի մեջ,
Ինչի՞ համար է օգտագործվում ինդիումի ձուլակտորը։
Ինդիումի ձուլակտոր (In)- Կիրառություններ և կիրառություններ
Ինդիումի ձուլակտորը բազմակողմանի, փափուկ և բարձր ճկունությամբ անցումային մետաղ է՝ բացառիկ հատկություններով, այդ թվում՝ գերազանց էլեկտրահաղորդականությամբ, տարբեր հիմքերի հետ ամուր կպչունությամբ և ցածր հալման կետով: Այս բնութագրերը այն դարձնում են կարևորագույն նյութ ժամանակակից տեխնոլոգիաների մեջ՝ սկսած առօրյա սպառողական էլեկտրոնիկայից մինչև առաջադեմ էներգետիկ և հետազոտական համակարգեր: Մեր բարձր մաքրության ինդիումի ձուլակտորը ծառայում է որպես հիմնարար հումք առաջատար կիրառությունների լայն շրջանակի համար:
Հիմնական կիրառություններ և արդյունաբերություններ.
1. Էլեկտրոնիկա և էկրաններ (հիմնական կիրառություն)
Ինդիումի ամենամեծ կիրառությունը ինդիումի անագի օքսիդի (ITO) տեսքով է, որը թափանցիկ հաղորդիչ օքսիդ է։
* Թափանցիկ հաղորդիչ թաղանթներ. ITO թիրախներից ցողված ինդիումը կարևոր է թափանցիկ հաղորդիչ շերտեր ստեղծելու համար հետևյալ դեպքերում.
* Հարթ վահանակային էկրաններ. LCD, OLED և սենսորային էկրաններ սմարթֆոնների, պլանշետների, հեռուստացույցների և մոնիտորների համար:
* Ֆոտովոլտային մարտկոցներ. բարակ թաղանթային արևային մարտկոցներ (օրինակ՝ CIGS), որտեղ այն ծառայում է որպես թափանցիկ էլեկտրոդ, որը թույլ է տալիս լույսին հասնել ակտիվ շերտին։
* Էներգաարդյունավետ պատուհաններ. Օգտագործվում են խելացի պատուհաններում, որոնք կարող են դինամիկ կերպով կառավարել ջերմության և լույսի փոխանցումը։
2. Զոդում և համաձուլվածք
Ինդիումի ցածր հալման ջերմաստիճանը և բազմաթիվ մակերեսներ թրջելու ունակությունը այն անգնահատելի են դարձնում միացման և ծածկույթների կիրառություններում։
* Մասնագիտացված զոդանյութեր. Ինդիումի վրա հիմնված զոդանյութերը ստեղծում են հուսալի, ցածր ջերմաստիճանային կապեր ջերմային զգայուն բաղադրիչներում, որոնք կարևոր են հետևյալի համար.
* Էլեկտրոնիկայի հավաքում. Հատկապես փուլային եռակցման գործընթացներում և զգայուն սարքերի փաթեթավորման համար։
* Ջերմային կառավարում. Բարձր արդյունավետությամբ հաշվարկներում նուրբ չիպերին ջերմափոխանակիչների ամրացում։
* Պաշտպանիչ ծածկույթներ. Օգտագործվում են որպես բարակ թաղանթային ծածկույթ կրողների և այլ շարժվող մակերեսների վրա՝ գերազանց քսում ապահովելու, շփումը նվազեցնելու և կոռոզիային դիմադրությունը բարձրացնելու համար։
* Ստոմատոլոգիական համաձուլվածքներ. համաձուլված են այլ մետաղների հետ՝ ամուր, դիմացկուն և կենսահամատեղելի ատամնաբուժական միաձուլումներ և վերականգնումներ ստեղծելու համար։
3. Կիսահաղորդչային և առաջադեմ հետազոտություններ
Ինդիումի գերբարձր մաքրության հատկությունները կիրառվում են ամենաառաջադեմ տեխնոլոգիական ոլորտներում։
* Բարդ կիսահաղորդիչներ. Որպես III խմբի հիմնական տարր, այն օգտագործվում է մետաղօրգանական գոլորշու փուլային էպիտաքսիայում (MOVPE)՝ ինդիումի ֆոսֆիդի (InP) և ինդիում գալիումի արսենիդի (InGaAs) նման բարձր արդյունավետությամբ կիսահաղորդիչներ աճեցնելու համար: Սրանք կարևոր են հետևյալի համար.
* Բարձր հաճախականության տրանզիստորներ
* Օպտոէլեկտրոնիկա՝ լազերներ և լուսադետեկտորներ օպտիկամանրաթելային կապի համար։
* Հետազոտություն և մշակում. Ծառայում է որպես նախորդ նյութ ակադեմիական և արդյունաբերական լաբորատորիաներում՝ նոր կիսահաղորդչային սարքերի և նանոմատերիալների մշակման համար։
4. Միջուկային տեխնոլոգիա
* Կառավարման ձողեր. Արծաթի և կադմիումի (Ag-In-Cd համաձուլվածք) հետ համաձուլված ինդիումը միջուկային ռեակտորի կառավարման ձողերի հիմնական բաղադրիչն է, որտեղ դրա բարձր նեյտրոնային կլանման լայնական հատույթը օգնում է ճշգրիտ կարգավորել միջուկային ճեղքման ռեակցիան։
---
Հիմնական բնութագրերը և առավելությունները՝
* Բարձր մաքրություն. Ապահովում է օպտիմալ աշխատանք կարևորագույն կիրառություններում, ինչպիսիք են կիսահաղորդչային արտադրությունը և ITO փոշիացումը։
* Բացառիկ ճկունություն. կարող է հեշտությամբ գլորվել, արտամղվել և ձևավորվել տարբեր ձևերի, այդ թվում՝ մետաղալարով և փայլաթիթեղով։
* Գերազանց թրջելիություն և կպչունություն. ամուր կապեր է ստեղծում ապակու, մետաղների և կերամիկայի հետ, ինչը այն իդեալական է դարձնում եռակցման և ծածկույթների համար։
* Կարևորագույն խթանիչ. կենսականորեն կարևոր նյութ էկրանների, էներգետիկայի և հեռահաղորդակցության ոլորտներում բազմաթիվ արագ զարգացող տեխնոլոգիաների համար։
Հրաժարում պատասխանատվությունից. տրամադրված տեղեկատվությունը նկարագրական նպատակներով է։ Օգտատերերը պատասխանատու են իրենց կոնկրետ կիրառման համար ինդիումի ձուլակտորի պիտանիությունը ստուգելու և դրա մշակման ու օգտագործման ընթացքում բոլոր համապատասխան առողջապահական, անվտանգության և շրջակա միջավայրի կանոնակարգերին համապատասխանելու համար։
