Trimetilaluminium(TMAI)
Trimetilalumane(TMAI)
| Sinonim | Trimetilaluminium, Aluminium Trimetil, Aluminium Trimetanida, TMA, TMAL, AlMe3, Pemangkin Ziegler-Natta, Trimetil-, Trimetilalana. |
| Nombor Cas | 75-24-1 |
| Formula kimia | C6H18Al2 |
| Jisim molar | 144.17 g/mol, 72.09 g/mol (C3H9Al) |
| Rupa | Cecair tidak berwarna |
| Ketumpatan | 0.752 g/cm3 |
| Takat lebur | 15℃ (59 ℉; 288K) |
| Takat didih | 125--130℃ (257--266 ℉, 398--403K) |
| Keterlarutan dalam air | Bertindak balas |
| Tekanan wap | 1.2 kPa (20℃), 9.24 kPa (60℃) |
| Kelikatan | 1.12 cP (20℃), 0.9 cP (30℃) |
Trimetilaluminium (TMAl), sebagai sumber logam-organik (MO), digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor dan berfungsi sebagai prekursor utama untuk pemendapan lapisan atom (ALD), pemendapan wap kimia (CVD), dan pemendapan wap kimia logam-organik (MOCVD). Ia digunakan untuk menyediakan filem yang mengandungi aluminium berketulenan tinggi, seperti aluminium oksida dan aluminium nitrida. Selain itu, TMAl menemui aplikasi yang meluas sebagai pemangkin dan agen bantu dalam sintesis organik dan tindak balas pempolimeran.
Trimetilaluminium (TMAI) bertindak sebagai prekursor untuk pemendapan aluminium oksida dan berfungsi sebagai pemangkin Ziegler-Natta. Ia juga merupakan prekursor aluminium yang paling biasa digunakan dalam penghasilan epitaksi fasa wap logam-organik (MOVPE). Tambahan pula, TMAI berfungsi sebagai agen metilasi dan kerap dilepaskan daripada roket pembunyi sebagai pengesan untuk mengkaji corak angin atmosfera atas.
Spesifikasi perusahaan 99.9999% Trimetilaluminium - Kandungan silikon rendah dan oksigen rendah (6N TAMI-Si Rendah dan Oksigen Rendah)
| Unsur | Keputusan | Spesifikasi | Unsur | Keputusan | Spesifikasi | Unsur | Keputusan | Spesifikasi |
| Ag | ND | <0.03 | Cr | ND | <0.02 | S | ND | <0.05 |
| As | ND | <0.03 | Cu | ND | <0.02 | Sb | ND | <0.05 |
| Au | ND | <0.02 | Fe | ND | <0.04 | Si | ND | ≤0.003 |
| B | ND | <0.03 | Ge | ND | <0.05 | Sn | ND | <0.05 |
| Ba | ND | <0.02 | Hg | ND | <0.03 | Sr | ND | <0.03 |
| Be | ND | <0.02 | La | ND | <0.02 | Ti | ND | <0.05 |
| Bi | ND | <0.03 | Mg | ND | <0.02 | V | ND | <0.03 |
| Ca | ND | <0.03 | Mn | ND | <0.03 | Zn | ND | <0.05 |
| Cd | ND | <0.02 | Ni | ND | <0.03 | |||
| Co | ND | <0.02 | Pb | ND | <0.03 |
Nota:
Di atas semua nilai PPM mengikut berat pada logam, dan ND = tidak dikesan
Kaedah Analisis: ICP-OES/ICP-MS
Keputusan FT-NMR (LOD untuk bendasing organik dan beroksigen FT-NMR ialah 0.1ppm):
Jaminan oksigen <0.2 ppm (Diukur dalam FT-NMR)
1. Tiada bendasing organik dikesan
2. Tiada bendasing beroksigen dikesan
Apakah kegunaan Trimetilaluminium (TMAI)?
Trimetilaluminium (TMA)- Aplikasi dan Kegunaan
Trimetilaluminium (TMA) ialah sebatian organoaluminium berketulenan ultra tinggi yang berfungsi sebagai prekursor kritikal dalam beberapa sektor pembuatan paling canggih. Kereaktifan dan tekanan wapnya yang luar biasa menjadikannya bahan pilihan untuk memendapkan filem yang mengandungi aluminium yang tepat dalam teknologi elektronik dan tenaga, serta komponen asas dalam pengeluaran poliolefin.
TMA kami dihasilkan mengikut piawaian ketulenan yang paling ketat, dengan kawalan yang ketat ke atas bendasing unsur, oksigen dan organik bagi memastikan prestasi optimum dalam aplikasi anda yang paling mencabar.
Aplikasi dan Industri Utama:
1. Fabrikasi Semikonduktor & Mikroelektronik
Dalam industri semikonduktor, TMA sangat diperlukan untuk memendapkan filem nipis dengan ketepatan skala atom.
* Dielektrik k-tinggi: Digunakan dalam Pemendapan Lapisan Atom (ALD) dan Pemendapan Wap Kimia (CVD) untuk menumbuhkan filem nipis aluminium oksida (Al₂O₃) yang seragam dan bebas lubang jarum, yang berfungsi sebagai dielektrik get k-tinggi dalam transistor dan peranti memori termaju.
* Semikonduktor Sebatian: Sumber aluminium pilihan dalam Epitaksi Fasa Wap Logamorganik (MOVPE) untuk menumbuhkan semikonduktor sebatian III-V berprestasi tinggi. Bahan-bahan ini penting untuk:
* Elektronik Frekuensi Tinggi: (cth., AlGaAs, AlInGaP)
* Optoelektronik: (cth., AlGaN, AlInGaN)
2. Tenaga Bersih & Fotovoltaik
TMA membolehkan kecekapan dan ketahanan yang lebih tinggi dalam teknologi tenaga solar.
* Lapisan Pasivasi Permukaan: Dimendapkan melalui ALD atau CVD Dipertingkat Plasma (PECVD), filem aluminium oksida (Al₂O₃) daripada TMA memberikan pasivasi permukaan yang luar biasa untuk sel solar silikon kristal. Ini secara drastik mengurangkan penggabungan semula pembawa cas, yang membawa kepada peningkatan ketara dalam kecekapan penukaran sel dan kestabilan jangka panjang.
3. Pencahayaan & Paparan Termaju (LED)
Pengeluaran LED kecerahan tinggi dan cekap tenaga bergantung pada TMA ketulenan tinggi.
* Epitaksi LED: Berfungsi sebagai prekursor aluminium dalam reaktor MOVPE untuk menumbuhkan lapisan aktif (contohnya, AlGaN) dalam LED biru, hijau dan ultraungu.
* Pasivasi Peranti: Digunakan untuk memendapkan filem aluminium oksida atau aluminium nitrida pelindung yang meningkatkan kecekapan pengekstrakan optik dan memanjangkan jangka hayat operasi peranti LED.
4. Pemangkinan Perindustrian & Pengeluaran Polimer
Kepentingan perindustrian TMA berakar umbi dalam peranannya dalam pemangkinan.
* Pemangkinan Poliolefin: Ia merupakan bahan permulaan utama untuk sintesis Metilaluminoksana (MAO), pemangkin bersama penting dalam sistem pemangkin Ziegler-Natta dan metalosena. Sistem ini menghasilkan sebahagian besar plastik polietilena dan polipropilena dunia.
Ciri-ciri & Faedah Utama:
* Ketulenan Ultra Tinggi: Dikawal dengan teliti untuk meminimumkan bendasing yang merendahkan prestasi elektronik dan aktiviti pemangkin.
* Prekursor Unggul: Menawarkan volatiliti yang sangat baik, kestabilan terma dan ciri-ciri penguraian yang bersih untuk pemendapan filem berkualiti tinggi.
* Standard Industri: Sumber aluminium yang mantap dan dipercayai untuk proses MOVPE, ALD dan CVD merentasi kemudahan R&D dan pengeluaran global.
* Asas untuk Plastik: Bahan mentah utama yang membolehkan penghasilan polimer poliolefin yang serba boleh dan penting.
Penafian: Trimetilaluminium ialah bahan piroforik dan sensitif kelembapan yang memerlukan pengendalian khusus dan protokol keselamatan. Maklumat yang diberikan adalah untuk tujuan deskriptif. Adalah menjadi tanggungjawab pengguna untuk mengendalikan bahan ini mengikut semua garis panduan keselamatan yang berkenaan dan untuk menentukan kesesuaiannya untuk aplikasi tertentu.
