Diterbitkan pada 9 Ogos 2024, jam 15:30 EE Times Japan
Sebuah kumpulan penyelidikan dari Universiti Hokkaido Jepun telah bersama-sama membangunkan "transistor filem nipis oksida" dengan mobiliti elektron 78cm2/Vs dan kestabilan yang sangat baik dengan Universiti Teknologi Kochi. Ia akan dapat memacu skrin TV OLED 8K generasi akan datang.
Permukaan filem nipis lapisan aktif ditutup dengan filem pelindung, yang meningkatkan kestabilan dengan ketara
Pada bulan Ogos 2024, sebuah kumpulan penyelidikan termasuk Penolong Profesor Yusaku Kyo dan Profesor Hiromichi Ota dari Institut Penyelidikan Sains Elektronik, Universiti Hokkaido, dengan kerjasama Profesor Mamoru Furuta dari Sekolah Sains dan Teknologi, Universiti Teknologi Kochi, mengumumkan bahawa mereka telah membangunkan "transistor filem nipis oksida" dengan mobiliti elektron 78cm2/Vs dan kestabilan yang sangat baik. Ia akan dapat memacu skrin TV OLED 8K generasi akan datang.
TV OLED 4K semasa menggunakan transistor filem nipis oksida-IGZO (a-IGZO TFT) untuk memacu skrin. Mobiliti elektron transistor ini adalah kira-kira 5 hingga 10 cm2/Vs. Walau bagaimanapun, untuk memacu skrin TV OLED 8K generasi akan datang, transistor filem nipis oksida dengan mobiliti elektron 70 cm2/Vs atau lebih diperlukan.
Penolong Profesor Mago dan pasukannya membangunkan TFT dengan mobiliti elektron 140 cm2/Vs 2022, menggunakan filem nipisindium oksida (In2O3)untuk lapisan aktif. Walau bagaimanapun, ia tidak digunakan secara praktikal kerana kestabilan (kebolehpercayaannya) sangat lemah disebabkan oleh penjerapan dan penyahjerapan molekul gas di udara.
Kali ini, kumpulan penyelidikan memutuskan untuk menutup permukaan lapisan aktif nipis dengan filem pelindung untuk mengelakkan gas daripada terserap di udara. Keputusan eksperimen menunjukkan bahawa TFT dengan filem pelindungyttrium oksidadanerbium oksidamempamerkan kestabilan yang sangat tinggi. Tambahan pula, mobiliti elektron ialah 78 cm2/Vs, dan ciri-cirinya tidak berubah walaupun voltan ±20V dikenakan selama 1.5 jam, kekal stabil.
Sebaliknya, kestabilan tidak bertambah baik dalam TFT yang menggunakan hafnium oksida ataualuminium oksidasebagai filem pelindung. Apabila susunan atom diperhatikan menggunakan mikroskop elektron, didapati bahawaindium oksida danyttrium oksida terikat rapat pada peringkat atom (pertumbuhan heteroepitaksial). Sebaliknya, telah disahkan bahawa dalam TFT yang kestabilannya tidak bertambah baik, antara muka antara indium oksida dan filem pelindung adalah amorfus.