Objavljeno 9. avgusta 2024. u 15:30 EE Times Japan
Istraživačka grupa sa japanskog univerziteta Hokaido zajedno je razvila "oksidni tankoslojni tranzistor" sa mobilnošću elektrona od 78 cm2/Vs i odličnom stabilnošću sa Tehnološkim univerzitetom Koči. Biće moguće voziti ekrane sledeće generacije 8K OLED televizora.
Površina aktivnog sloja tankog filma prekrivena je zaštitnim filmom, što značajno poboljšava stabilnost
U avgustu 2024. godine, istraživačka grupa koja uključuje docenta Yusaku Kyo i profesora Hiromichi Ota sa Istraživačkog instituta za elektronske nauke Univerziteta Hokaido, u saradnji sa profesorom Mamoru Furuta sa Škole nauke i tehnologije, Kochi University of Technology, objavila je da su razvio “oksidni tankoslojni tranzistor” sa mobilnošću elektrona od 78cm2/Vs i odličnom stabilnošću. Biće moguće voziti ekrane sledeće generacije 8K OLED televizora.
Trenutni 4K OLED televizori koriste oksid-IGZO tankoslojne tranzistore (a-IGZO TFT) za pokretanje ekrana. Mobilnost elektrona ovog tranzistora je oko 5 do 10 cm2/Vs. Međutim, za pokretanje ekrana 8K OLED TV-a sljedeće generacije, potreban je oksidni tankoslojni tranzistor s mobilnošću elektrona od 70 cm2/Vs ili više.
Docent Mago i njegov tim razvili su TFT sa mobilnošću elektrona od 140 cm2/Vs 2022, koristeći tanki film odindijum oksid (In2O3)za aktivni sloj. Međutim, nije uveden u praktičnu upotrebu jer je njegova stabilnost (pouzdanost) bila izuzetno loša zbog adsorpcije i desorpcije molekula plina u zraku.
Ovoga puta istraživačka grupa je odlučila da pokrije površinu tankog aktivnog sloja zaštitnim filmom kako bi se spriječilo adsorbiranje plina u zraku. Eksperimentalni rezultati su pokazali da TFT sa zaštitnim filmovima oditrijum oksidierbijum oksidpokazao izuzetno visoku stabilnost. Štaviše, pokretljivost elektrona je bila 78 cm2/Vs, a karakteristike se nisu promenile čak ni kada je napon od ±20V bio primenjen tokom 1,5 sata, ostajući stabilni.
S druge strane, stabilnost se nije poboljšala kod TFT-ova koji su koristili hafnijev oksid ilialuminijum oksidkao zaštitne folije. Kada je atomski raspored posmatran pomoću elektronskog mikroskopa, ustanovljeno je daindijum oksid iitrijum oksid bili su čvrsto povezani na atomskom nivou (heteroepitaksijalni rast). Nasuprot tome, potvrđeno je da je u TFT-ovima čija se stabilnost nije poboljšala, interfejs između indijevog oksida i zaštitnog filma bio amorfan.