די אַנאַליסיס פון די פאָרשטעלן סיטואַציע פֿאַר פֿאַרקויף פאָדערונג פון פּאָליסעליקאָן אינדוסטריע אין טשיינאַ

1, פאָטאָוואָלטיי סוף מאָנען: די פאָדערונג פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט איז שטאַרק, און די פאָדערונג פֿאַר פּאַליסילאַסאָן איז ריווערסט באזירט אויף די אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט

1.1. פּאָליסעליקאָן קאַנסאַמשאַן: די גלאבאלעקאַנסאַמשאַן באַנד איז ינקריסינג סטעדאַלי, דער הויפּט פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק מאַכט דור

די לעצטע צען יאָר, די גלאבאלעפּאָליסעליסקאַנסאַמשאַן איז פארבליבן, און די פּראָפּאָרציע פון ​​די טשיינאַ האט געצויגן צו יקספּאַנד, געפירט דורך די פאָטאָוואַלאַיק אינדוסטריע. פון 2012 צו 2021, די גלאבאלע פּאָליסעליקאָן קאַנסאַמשאַן אין אַלגעמיין געוויזן אַ אַרוף גאַנג, רייזינג 237,000 טאָנס צו וועגן 653,000 טאָנס. אין 2018, טשיינאַ ס 531 פאָטאָטאַיק נייַע פּאָליטיק איז געווען באַקענענ, וואָס קלאר רידוסט די סאַבסידי קורס פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק מאַכט דור. די ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט געפאלן דורך 18% יאָר-יאָר-יאָר, און די פאָדערונג פֿאַר פּאַליסאַליקאָן איז געווען אַפעקטאַד. זינט 2019, די שטאַט האט באַקענענ אַ נומער פון פּאַלאַסיז צו העכערן די גריד פּאַריטעט פון פאָטאָוואָלטטיקס. מיט דער גיך אַנטוויקלונג פון דער פאָטאָ גאָלדיאַיק אינדוסטריע, די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעליקאָן איז אויך אריין אַ צייַט פון גיך וווּקס. אין דעם פּעריאָד, די פּראָפּאָרציע פון ​​די פּאָליסעלאַלס פון טשיינאַ אין די גאַנץ גלאבאלע קאַנסאַמשאַן פארבליבן צו העכערונג, פֿון 61,5% אין 2012 צו 93.9% אין 2021, דער הויפּט רעכט צו טשיינאַ ס ראַפּאַדלי דעוועלאָפּינג פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. פון די פּערספּעקטיוו פון די גלאבאלע קאַנסאַמשאַן מוסטער פון פאַרשידענע טייפּס פון פּאַליסליילאָן וואָס קענען זיין געוויינט פֿאַר טשיפּס אַקאַונץ פֿאַר 94%. די פאַרהעלטעניש איז 6%, וואָס ווייזט אַז די קראַנט פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסיין איז דאַמאַנייטאַד דורך פאָטאָוואָלטטיקס. עס איז געריכט אַז מיט די וואָרמינג פון די צווייענדיק-טשאַד פּאָליטיק, די פאָדערונג פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט וועט ווערן שטארקער, און קאַנסאַמשאַן און פּראָפּאָרציע פון ​​זונ - מיינונג פּאָליסיליקסאָן וועט פאָרזעצן צו פאַרגרעסערן.

1.2. סיליציום ווייפער: מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפער אַקיאַפּייז די מיינסטרים און קעסיידערדיק CZOchrarski טעכנאָלאָגיע דעוועלאָפּס

די דירעקט דאַונסטרים לינק פון פּאָליציאַלאָן איז סיליציום ווייפערז, און טשיינאַ איצט דאַמאַנייץ די גלאבאלע סיליקאָן ווייפער מאַרק. פון 2012 צו 2021, די גלאבאלע סיליקאָן ווייפער פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט און רעזולטאַט פארבליבן צו פאַרגרעסערן, און די פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע פארבליבן צו בום. סיליציום ווייפערז דינען ווי אַ בריק קאַנעקטינג סיליציום מאַטעריאַלס און באַטעריז, און עס איז קיין מאַסע אויף פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט, אַזוי עס האלט צו צוציען אַ גרויס נומער פון קאָמפּאַניעס צו אַרייַן די אינדוסטריע צו אַרייַן די אינדוסטריע צו אַרייַן די אינדוסטריע צו אַרייַן די אינדוסטריע צו אַרייַן די אינדוסטריע. אין 2021, די מאַניאַפאַקטשערערז פון כינעזיש סיליקאָן איז געווען יקספּאַנדידפּראָדוקציעקאַפּאַציטעט צו 213.5 ג-פּראָדוקציע, וואָס דרינעד די גלאבאלע סיליציום ווייפער פּראָדוקציע צו פאַרגרעסערן צו 215.4 גוו. לויט די יגזיסטינג און ניי געוואקסן פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט אין טשיינאַ, עס איז געריכט אַז די יערלעך וווּקס קורס וועט האַלטן 15-25% אין די קומענדיק ביסל יאָרן, און די ווייטער פּראָדוקציע פון ​​טשיינאַ וועט נאָך האַלטן אַן אַבסאָלוט דאָמינאַנט.

פּאָליקריסעאַללינע סיליציום קענען זיין געמאכט אין פּאָליקריסעאַללינע סיליציאָן ינגאָץ אָדער מאָנאָקריוואַליין סיליציום ראַדז. דער פּראָדוקציע פּראָצעס פון פּאָליקריסי סיליין סיליציאָן ינגאָץ דער הויפּט כולל קאַסטינג אופֿן און דירעקט מעלטינג אופֿן. דערווייַל, די רגע אופֿן איז די הויפּט מעטאָד, און די אָנווער איז בייסיקלי מיינטיינד וועגן 5%. די קאַסטינג אופֿן איז דער הויפּט צו צעלאָזן די סיליציום מאַטעריאַל אין די קריילאַבאַל ערשטער, און דאַן וואַרפן עס אין אן אנדער פּרעהעאַטעד קרעאַקיבלע פֿאַר קאָאָלינג. דורך קאַנטראָולינג די קאָאָלינג קורס, די פּאָליסרי סיליין סיליציום ינגגאַט איז געשטאַלט דורך די דיירעקשינאַל סאַלידאַפאַקיישאַן טעכנאָלאָגיע. די הייס-מעלטינג פּונקט די דירעקט-מעלטינג אופֿן איז די זעלבע ווי די קאַסטינג אופֿן, אין וואָס די פּאָליסעלסאָן איז גלייַך צעלאָזן אין די קאָליקאַל, אָבער די פּאַליסאַליקאָן איז גלייַך צעלאָזן אין די קרימעיבאַל ערשטער, אָבער די קאָאָלינג שריט איז אַנדערש פון די קאַסטינג אופֿן. די צוויי מעטהאָדס זענען זייער ענלעך אין נאַטור, די דירעקט מעלטינג אופֿן דאַרף בלויז איין קרוסליק, און די פּאָליסעלסעלאַן פּראָדוקט איז פון די געזונט פון פּאָליסיאַללינע, און דער וווּקס פון פּאָליציונג, און דער וווּקס פון פּאָליציונג, און דער וווּקס פון פּאָליציונג, און דער וווּקס פון פּאָליציונג, און דער וווּקס פון פּאָליציונג, און דער וווּקס פּראָצעס איז גרינג צו מאַכן פֿאַר בעסער אָריענטירונג. דערווייַל, די לידינג ענטערפּריסעס אין די אָנהייב פון די זונ - ענערגיע מאַטעריאַל. אין דער צוקונפֿט, די פּראָדוקציע פון ​​פּאָליקריסעאַליין סיליציאָן ינגאָץ וועט נאָך פאַרשילטן דורך די דירעקט מעלטינג אופֿן און די אָנווער וועט בלייַבן אַרום 5% אין פינף יאָר.

די פּראָדוקציע פון ​​מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ראַדז איז דער הויפּט באזירט אויף די קסאָטשראַלסקי אופֿן, סאַפּלאַמענטאַד דורך די ווערטיקאַל סאַספּענשאַן זאָנע מעלטינג אופֿן, און די פּראָדוקטן געשאפן דורך די צוויי האָבן פאַרשידענע ניצט. די שושקען פון די זוימען קריסטאַל בשעת די שולד פון די זעקל און דרייען די זוימען קריסטאַל. , דער זוימען קריסטאַל איז סלאָולי אויפשטיין אַרוף, און מאָנאָקרימילינע סיליציום איז באקומען דורך די פּראַסעסאַז פון סעדינג, אַמפּלאַפאַקיישאַן, אַקסל דיאַמעטער וווּקס און פינישינג. די ווערטיקאַל פלאָוטינג זאָנע מעלטינג אופֿן רעפערס צו פיקסיר די קאָלומנאַר קאַריקריילינע מאַטעריאַל אין די מעטאַל שפּול צוזאמען די מאַכט פון די קאָלל. צעשמעלצן רעקריסטאַלליזעס צו פאָרעם אַ איין קריסטאַל. רעכט צו דער פאַרשידענע פּראָדוקציע פּראַסעסאַז, עס זענען דיפעראַנסיז אין פּראָדוקציע עקוויפּמענט, פּראָדוקציע קאָס און פּראָדוקט קוואַליטעט. דערווייַל, די פּראָדוקטן באקומען דורך די זאָנע מעלטינג מעטהאָדס האָבן הויך ריינקייַט און קענען ווערן געניצט פֿאַר די פּראָדוצירן פון סעמיקאַנדאַקטער דיווייסקי אופֿן קענען טרעפן די באדינגונגען פֿאַר פּראָדוסינג איין קריסטאַל סיליציום פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק סעלז און האט אַ נידעריקער פּרייַז, אַזוי עס איז די מיינסטרים אופֿן. אין 2021, די מאַרק טיילן פון די סטרייט ציען אופֿן איז וועגן 85%, און עס איז געריכט צו פאַרגרעסערן אַ ביסל אין די קומענדיק ביסל יאָרן. דער מאַרק שאַרעס אין 2025 און 2030 זענען פּרעדיקטעד צו זיין 87% און 90% ריספּעקטיוולי. אין טערמינען פון דיסטריקט צעלאָזן איין קריסטאַל סיליציום, די אינדוסטריע קאַנסאַנטריישאַן פון דיסטריקט גאַטינג איין קריסטאַל סיליציום איז לעפיערעך הויך אין דער וועלט. אַקוואַזישאַן), טאָפּסיל (דענמאַרק). אין דער צוקונפֿט, דער רעזולטאַט וואָג פון מאָולטען איין קריסטאַל סיליציום וועט נישט פאַרגרעסערן באטייטיק. די סיבה איז אַז די שייכות פון די טשיינאַ זענען לעפיערעך צוריק מיט יאַפּאַן און דייַטשלאַנד, ספּעציעל די קאַפּטיאָנס פון הויך-אָפטקייַט באַהיצונג עקוויפּמענט און קריסטאַלליזאַטיאָן פּראָצעס. די טעכנאָלאָגיע פון ​​פיוזד סיליציאָן איין קריסטאַל אין גרויס דיאַמעטער ריקווייערז כינעזיש ענטערפּריסעס פאָרזעצן צו ויספאָרשן דורך זיך.

CZochralski אופֿן קענען זיין צעטיילט אין קעסיידערדיק קריסטאַל פּולינג טעכנאָלאָגיע (קקס) און ריפּיטיד קריסטאַל פּוללינג טעכנאָלאָגיע (RCZ). דערווייַל, די מיינסטרים אופֿן אין די ינדאַסטרי איז RCZ, וואָס איז אין די יבערגאַנג בינע פון ​​RCZ צו קקס. די איין קריסטאַל פּוללינג און פידינג טריט פון רזק זענען פרייַ פון יעדער אנדערער. איידער יעדער פּולינג, די איין קריסטאַל ינגגאָו מוזן זיין קולד און אַוועקגענומען אין די טויער קאַמער, בשעת קקז קענען פאַרשטיין פידינג און מעלטינג בשעת פּולינג. RCZ איז לעפיערעך דערוואַקסן, און עס איז קליין פּלאַץ פֿאַר טעקנאַלאַדזשיקאַל פֿאַרבעסערונג אין דער צוקונפֿט; בשעת קקז האט די אַדוואַנטידזשיז פון קאָסטן רעדוקציע און עפעקטיווקייַט פֿאַרבעסערונג און איז אין אַ בינע פון ​​גיך אַנטוויקלונג. אין טערמינען פון קאָסטן, קאַמפּערד מיט RCZ, וואָס נעמט וועגן 8 שעה איידער אַ איין רוט איז ציען, קקס קענען זייער פֿאַרבעסערן פּראָדוקציע עפעקטיווקייַט, רעדוצירן די קריקאַבאַל קאָסטן און ענערגיע קאַנסאַמשאַן דורך ילימאַנייטינג דעם שריט. די גאַנץ איין אוילמע רעזולטאַט איז מער ווי 20% העכער ווי אַז פון RCZ. פּראָדוקציע קאָס זענען מער ווי 10% נידעריקער ווי RCZ. אין טערמינען פון עפעקטיווקייַט, קקז קענען פאַרענדיקן די צייכענונג פון 8-10 איין קריסטאַל סיליציום ראַדז אין דעם לעבן ציקל פון די קריקאַבאַל (250 שעה), בשעת רקז קענען בלויז פאַרענדיקן וועגן 4, און די פּראָדוקציע עפעקטיווקייַט קענען זיין געוואקסן דורך 100-150%. In terms of quality, CCZ has more uniform resistivity, lower oxygen content, and slower accumulation of metal impurities, so it is more suitable for the preparation of n-type single crystal silicon wafers, which are also in a period of rapid development. יצט, עטלעכע כינעזיש קאָמפּאַניעס האָבן אַנאַונסט אַז זיי האָבן קקז טעכנאָלאָגיע, און די מאַרשרולז טעכנאָלאָגיע, און די מאַרשרולאַטיאָן פון גראַנולאַר סיליקאָן-קקז-און-טיפּ מאָנאָקריוועללינע סיליציום, און האט אפילו אנגעהויבן צו נוצן 100% גראַנולאַר סיליקאָן מאַטעריאַלס. . אין דער צוקונפֿט, קקז. פאַרבייַטן רקז, אָבער עס וועט נעמען אַ זיכער פּראָצעס.

דער פּראָדוקציע פּראָצעס פון מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפערז איז צעטיילט אין פיר טריט: פּולינג, סלייסינג, סלייסינג און סאָרטינג. די ימערדזשאַנס פון די דימענט דרינגלעך פליענדיק אופֿן איז זייער רידוסט די סלייסינג אָנווער. די קריסטאַל פּוללינג פּראָצעס איז דיסקרייבד אויבן. די סלייסינג פּראָצעס כולל טראַנגקיישאַן, סקווערינג און טשאַמפערינג אַפּעריישאַנז. סלייסינג איז צו נוצן אַ סלייסינג מאַשין צו שנייַדן די זייַל סיליציום אין סיליציום ווייפערז. רייניקונג און סאָרטינג זענען די לעצט סטעפּס אין די פּראָדוקציע פון ​​סיליציום ווייפערז. די דימענט דראָט סלייסינג אופֿן האט קלאָר ווי דער טאָג אַדוואַנטידזשיז איבער דעם טראדיציאנעלן מאָרטער דרינגס אופֿן, וואָס איז דער הויפּט שפיגלט אין די קורץ צייט קאַנסאַמשאַן און נידעריק אָנווער. די דימענט די גיכקייַט פון דיאַמאָנד איז פינף מאל אַז פון בעקאַבאָלעדיק קאַטינג. פֿאַר בייַשפּיל, פֿאַר איין-ווייפער קאַטינג, טראדיציאנעלן מאָרטער דראָט געדויערט נעמט וועגן 10 שעה און דיאַמאָנד דראָט קאַטינג בלויז געדויערט וועגן 2 שעה. די אָנווער פון דיאַמאָנד דראָט קאַטינג איז אויך לעפיערעך קליין, און די שעדיקן שיכטע געפֿירט דורך דימענט דראָט איז קלענערער ווי אַז פון מאָרטער ווי אַז פון מאָרטער דראָט קאַטינג, וואָס איז קאַנדוסיוו צו קאַטינג טאַונז. אין די לעצטע יאָרן צו רעדוצירן קאַטינג לאָססעס און פּראָדוקציע קאָס, קאָמפּאַניעס האָבן זיך אויסגעדרייט צו דימענט דראָט סלייסינג מעטהאָדס און דיאַמעטער פון דימענט דראָט ויטאָבוס באַרס אין 2021, דער דיאַמעטער פון דיאַמאָנד דראָט בוסבאַר וועט זיין 43-56 μ ם, און די דיאַמעטער פון דיאַמעטער פון דיאַמעטער פון דיאַמעטער פון דיאַמעטער פון דיאַמעטער געניצט פֿאַר מאָנאָקריוואַללינע סיליציום וועט פאַרקלענערן שטארק וועט פאַרקלענערן שטארק וועט פאַרקלענערן. עס איז עסטימאַטעד אַז אין 2025 און 2030, דיאַמעטערס פון די דימענט דראָט בוסבאַרס געניצט צו שנייַדן מאָנאָקריסטאַליין סיליקאָן ווייפערז, ריספּעקטיוולי געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס געניצט צו שנייַדן פּאָלימענטס. דאָס איז ווייַל עס זענען פילע חסרונות און ימפּיוראַטיז אין פּאָליקריסאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפערז, און דין ווירעס זענען פּראָנע צו ברייקידזש. דעראַמעטער דיאַמעטער דיאַמעטער פון דיאַמאָנד דראָט געניצט פֿאַר פּאָליסריסטאַללינע סיליציום ווייפער זענען גרעסערע ווי די פון מאָנאָקריסטאַליין סיליקאָן ווייפעראָן ווייפּס ביסלעכווייַז סיליציום.

דערווייַל, סיליציום ווייפערז זענען דער הויפּט צעטיילט אין צוויי טייפּס: פּאָליקליין סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז און מאָנאָקריוואַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז. מאָנאָקריוואַללינע סאָליויאָן ווייפערז האָבן די אַדוואַנטידזשיז פון לאַנג דינסט לעבן און הויך קאָנטראָלאַלעקטריק קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט. פּאָליסרע סיליין סיליציום ווייפערז זענען פארפאסט פון קריסטאַל גריינז מיט פאַרשידענע קריסטאַל פלאַך אָריענטיישאַנז, בשעת איין קריסטאַל סיליציום ווייפעראָן ווייטעראָן ווי רוי מאַטעריאַלס. אין אויסזען, פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ווייפערז און איין קריסטאַל סיליציום ווייפערז זענען בלוי-שוואַרץ און שוואַרץ-ברוין. זינט די צוויי זענען שנייַדן פון פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ינגאָץ און מאָנאָקרימילינע סיליציום ראַדז, ריספּעקטיוולי, די שאַפּעס זענען קוואַדראַט און קוואַזי-קוואַדראַט. די דינסט לעבן פון פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפערז און מאָנאָקריוולילינע סיליציום ווייפערז איז וועגן 20 יאָר. אויב די פּאַקקאַגינג אופֿן און נוצן סוויווע זענען פּאַסיק, די דינסט לעבן קענען דערגרייכן מער ווי 25 יאר. Generally speaking, the lifespan of monocrystalline silicon wafers is slightly longer than that of polycrystalline silicon wafers. אין אַדישאַן, מאָנאָקריוואַללינע סיליאָן ווייפערז זענען אויך אַ ביסל בעסער אָטאַמעלעקטריק קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט, און זייער דיסלאָוקיישאַן געדיכטקייַט און מעטאַל ימפּיוראַטיז זענען פיל דיספּעראַטיז זענען פיל קלענערער ווי די פון פּאָליקריסאַללינע סיליציליין סיליקאָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז. די קאַמביינד ווירקונג פון פאַרשידן סיבות מאכט די מינאָריטעט טרעגער לעבן פון איין קריסטאַלז דאָזענס פון מאל העכער ווי די פון פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז. דערמיט ווייַזן די מייַלע פון ​​קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט. אין 2021, די העכסטן קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז וועט זיין אַרום 21%, און די פון מאָנאָקרימילינע סיליציום ווייפערז וועט דערגרייכן אַרויף צו 24.2%.

אין אַדישאַן צו לאַנג און הויך קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט, מאָנאָקריוואַללינע סיליאָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז וואַפליע, וואָס איז קאַנדוסיוו צו רידוסינג סיליציום קאַנסאַמשאַן און סיליקאָן ווייפער קאָס, אָבער באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פאַרגרעסערן אין סאַקעראָן ווייפער קאָס, אָבער באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פאַרגרעסערן אין סאַקעראָן ווייפער קאָס, אָבער באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פאַרגרעסערן אין די קאַווערמאַנטיישאַן קורס, אָבער באַצאָלן ופמערקזאַמקייט צו די פאַרגרעסערן אין די קאַווערמאַנטיישאַן טעמפּאָ. The thinning of silicon wafers helps reduce manufacturing costs, and the current slicing process can fully meet the needs of thinning, but the thickness of silicon wafers must also meet the needs of downstream cell and component manufacturing. אין אַלגעמיין, די גרעב פון סיליציום ווייפערז זענען דיקריסינג אין די לעצטע יאָרן, און די גרעבסאַללינע סיליאָן ווייפעראָן ווייפערז איז געגרינדעט ווי די פון מאָנאָקריסטאַליין סיליציליין סיליציליין סיליציונג. מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפערז זענען ווייַטער צעטיילט אין N- טיפּ סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז. אין 2021, די דורכשניטלעך גרעב פון פּאָליקריסי סיליין סיליציום ווייפעראָן וואָפעראָן וואַפליע איז 178μ ם, און די פעלן פון פאָדערונג אין דער צוקונפֿט וועט פאָר זיי צו פאָרזעצן צו דין. דעריבער, עס איז פּרעדיקטעד אַז די גרעב וועט פאַרקלענערן אַ ביסל 2022 צו 2024, און די גרעב וועט בלייַבן מער וועגן 170μ ם נאָך 2025; די דורכשניטלעך גרעב פון פּ-טיפּ מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפערז איז וועגן 170μ ם, און עס איז געריכט צו פאַלן צו 150μ ם, די N- טיפּ מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז איז 165μ ם. 135μ ם.

אין דערצו, די פּראָדוקציע פון ​​פּאָליקליין סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפּיאָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייטער. Polycrystalline silicon, as a common raw material for polycrystalline silicon wafers and monocrystalline silicon wafers, has different consumption in the production of the two, which is due to the differences in the purity and production steps of the two. אין 2021, די סיליציום קאַנסאַמשאַן פון פּאָליקריסעאַללינע ינגגאַט איז 1.10 קג / קג. עס איז געריכט אַז די לימיטעד ינוועסמאַנט אין פאָרשונג און אַנטוויקלונג וועט פירן צו קליין ענדערונגען אין דער צוקונפֿט. די סיליציום קאַנסאַמשאַן פון די ציען רוט איז 1.066 קג / קג, און עס איז אַ זיכער פּלאַץ פֿאַר אַפּטאַמאַזיישאַן. עס איז געריכט צו זיין 1.05 קג / קג און 1.043 קג / קג אין 2025 און 2030, ריספּעקטיוולי. אין די איין קריסטאַל פּולינג פּראָצעס, די רעדוקציע פון ​​די סיליציום קאַנסאַמשאַן פון די פּולינג רוט קענען זיין אַטשיווד דורך רידוסינג די אָנווער פון רייניקונג און קראַשינג, שטרענג קאַנטראָולינג די פּרימינג, ימפּרוווינג די פּראַקשאַן קאָנטראָל און פֿאַרבעסערן די פּראַקשאַן פון די פּראָפּאָרש, ימפּרוווינג די פּראַקשאַן קאָנטראָל און פֿאַרבעסערן די פּראַקשאַן פון די פּראָפּאָרש, ימפּרוווינג די פּראַקשאַן קאָנטראָל, און אָפּשיקן די פּראַסעסינג פון די פּראָפּאָרש, ימפּרוווינג די פּראַקשאַן, ימפּרוווינג די פּראַסעסינג, ימפּרוווינג די פּראַסעסינג, און אָפּטימיזעד די פּראַסעסינג, און אָפּטימיזעד די פּראַסעסינג, און אָפּשיקן די פּראַסעסינג פון די פּראַקשאַן, ימפּרוווינג די פּראַסעסינג פון די פּראָפּונאַציע פון ​​אָנפאַנג. כאָטש די סיליציום קאַנסאַמשאַן פון פּאָליקריסעאַללינע סיליציום ווייפעראָן אין CZOCHRALLINE CILICON ערגעץ איז געשאפן דורך וואַרעם-מעלטינג לינגגאַנציק אויבערשטער, וואָס זענען געשאפן דורך הייס-מעלטינג לעפיערעך סילאָאָן ינגגאַץ זענען געשאפן דורך וואַרעם-מעלטינג ינגגאַנט פון וואַרעם-מעלטינג לעפיערעך. נידעריק. אין 2021, די דורכשניטלעך פּראָדוקציע קאָסטן פון מאָנאָקרימילינע סיליציום ווייפערז וועט זיין וועגן 0.673 יואַן / וו, און אַז פון פּאָליליקאַללינע סיליציום ווייאַפערז וועט זיין 0.66 יואַן / וו.

ווי די גרעב פון די סיליקאָן ווייפער דיאַמאַסיז און די דיאַמעטער פון דיאַמאָנד דראָט בוסבאַר אין די מאַכט מאַכט, די מאַכט געניצט דורך יעדער סיליקאָן ווייפער וועריז לויט די טיפּ און גרייס. אין 2021, דער רעזולטאַט פון פּ-טיפּ 166 מם גרייס מאָנאָקריוואַללינע קוואַדראַט באַרס איז וועגן 64 ברעקלעך פּער קילאָדערלינע קוואדראט קוואַדראַט ינגגאַץ איז וועגן 59 ברעקלעך. צווישן די פּ-טיפּ איין קריסטאַל סיליציום ווייפעראָן ווייפערז, דער רעזולטאַט פון 158.75 מם גרייס מאָנאָקריוולינע קוואדראט ראַדז איז וועגן 53 ברעקלעך פּער קילאָ, 210 מם גרייס איין קריסטאַל ראַדז פּער קילאָ. דער רעזולטאַט פון די קוואַדראַט באַר איז וועגן 40 ברעקלעך. 2022 צו 2030, די קעסיידערדיק טינינג פון סיליציום ווייפער וועט בלי ספק צו אַ פאַרגרעסערן אין די נומער פון סיליציום ראַדז / ינגגאַץ פון דער זעלביקער באַנד. דער קלענערער דיאַמעטער פון די דיאַמאָנד דראָט בוסבאַר און מיטל פּאַרטאַקאַל גרייס וועט אויך רעדוצירן קאַטינג לאָססעס, דערמיט ינקריסינג די נומער פון ווייפערז געשאפן. קוואַנטיטי. עס איז עסטימאַטעד אַז אין 2025 און 2030, דער רעזולטאַט פון פּ-טיפּ 166 מם גרייס מאָנאָקריוולינע קוואדראט ראַדז זענען וועגן 71 און 78 ברעקלעך פּער קילאמעטער, וואָס איז רעכט צו דער נידעריק מאַרק טיילן פון פּאָליסרעסטאַללינע סיליציום ווייערז. עס זענען דיפעראַנסיז אין די מאַכט פון פאַרשידענע טייפּס און סיזעס פון סיליציום ווייפערז. לויט די מעלדן דאַטן פֿאַר די דורכשניטלעך מאַכט פון 158.75 מם סיליציום ווייפעראָן איז וועגן 5.8 וו / שטיק, די דורכשניטלעך מאַכט פון 166 מם גרייס סיליציום ווייפּיז זענען וועגן 6.25 וואַפערז איז וועגן 6.25 וו / שטיק. די דורכשניטלעך מאַכט פון די גרייס סיליציום ווייפער איז וועגן 7.49 וו / שטיק, און די דורכשניטלעך מאַכט פון די 210 מם גרייס סיליקאָן ווייפער איז וועגן 10 וו / שטיק.

אין די לעצטע יאָרן, סיליציום ווייפערז האָבן ביסלעכווייַז דעוועלאָפּעד אין דער ריכטונג פון גרויס גרייס, און די גרויס גרייס איז קאַנדוסיוו צו ינקריסינג די מאַכט פון אַ איין שפּאָן, דערמיט דיילוטינג די ניט-סיליקאָן קאָס פון סעלז. אָבער, די אַדזשאַסטמאַנט פון סיליציום ווייפערז אויך דאַרף צו באַטראַכטן אַפּסטרים און דאַונסטרים מאַטטשינג און סטאַנדערדזאַטיאָן ישוז, ספּעציעל די מאַסע און הויך קראַנט ישוז. דערווייַל, עס זענען צוויי לאגערן אין דער מאַרק וועגן די צוקונפֿט אַנטוויקלונג ריכטונג פון סיליאָן ווייפער גרייס, ניימלי 182 מם גרייס און 210 מם גרייס. דער פאָרשלאָג פון 182 מם איז דער הויפּט פֿון די פּערספּעקטיוו פון ווערטיקאַל אינדוסטריע ינאַגריישאַן, באזירט אויף די באַטראַכטונג פון די ינסטאַלירונג און טראַנספּערטיישאַן פון פאָטאָוואָלטאַיק סעלז, די מאַכט און די סינטערראַם; בשעת 210 מם איז דער הויפּט פֿון דער פּערספּעקטיוו פון פּראָדוקציע קאָס און סיסטעם קאָס. דער רעזולטאַט פון 210 מם סיליציום ווייפערז געוואקסן מיט מער ווי 15% אין די איין-טעמפּעראַטורע רוט צייכענונג פּראָצעס, די דאַונסטרים באַטאַרייע פּראָדוקציע פּרייַז איז רידוסט דורך וועגן 0.02 יואַן / וו, און די גאַנץ פּרייַז פון מאַכט סטאַנציע קאַנסטראַקשאַן איז רידוסט דורך וועגן 0.1 יואַן / וו. אין דער ווייַטער ווייניק יאָרן עס איז געריכט אַז סיליציום ווייפערז מיט אַ גרייס ונטער 166 מם וועט זיין ביסלעכווייַז ילימאַנייטאַד; די אַפּסטרים און דאַונסטרים וואָס ריכטן זיך פּראָבלעמס פון 210 מם סיליקאָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז וועט זיין ביסלעכווייַז סאַלווד יפעקטיוולי, און קאָס וועט זיין אַ מער וויכטיק פאַקטאָר וואָס ווירקן די ינוועסמאַנט און פּראָדוקציע פון ​​ענטערפּרייזיז. דעריבער, דער מאַרק טיילן פון 210 מם סיליציום ווייפעראָן וועט פאַרגרעסערן. פעסט העכערונג; 182 מם סיליקאָן ווייפער וועט ווערן די מיינסטרים גרייס אין דעם מאַרק דורך די אַדוואַנטידזשיז אין ווערטיקלי ינאַגרייטיד פּראָדוקציע, אָבער מיט די ברייקטרו אַנטוויקלונג פון 210 מם סיליקאָן ווייפעריקאָן וואַפער אין דערצו, עס איז שווער פֿאַר גרעסערע-סייזד סיליציום ווייפערז צו זיין וויידלי געניצט אין די ווייַטער ביסל יאָרן, ווייַל די אַרבעט פֿאַר די אַרבעט און ינסטאַלירונג ריזיקירן פון גרויס-סייזד סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז וועט זיין אָפסעט דורך די סייווינגז אין פּראָדוקציע קאָס און סיסטעם קאָס. . אין 2021, סיליציום ווייפער סיזעס אויף די מאַרק אַרייַננעמען 156.75 מם, 157 מם, 158.75 מם, 166 מם, עטק. 166 מם איז דער גרעסטער גרייס לייזונג אַז קענען זיין אַפּגריידיד פֿאַר די יגזיסטינג באַטאַרייע פּראָדוקציע ליניע, וואָס וועט זיין די גרעסטע גרייס אין די לעצטע צוויי יאָר. אין טערמינען פון יבערגאַנג גרייס, עס איז געריכט אַז די מאַרק ייַנטיילן וועט זיין ווייניקער ווי 2% אין 2030; די קאַמביינד גרייס פון 182 מם און 210 מם וועט זיין 100% אין 2021, און דער מאַרק ייַנטיילונג וועט פאַרגרעסערן ראַפּאַדלי אין דער צוקונפֿט. עס איז געריכט אַז די גאַנץ מאַרק טיילן אין 2030 וועט יקסיד 98%.

אין די לעצטע יאָרן, די מאַרק טיילן פון מאָנאָקריוולילינע סיליציום האט געצויגן צו פאַרגרעסערן, און עס איז פאַרנומען די מיינסטרים שטעלע אין די מאַרק. פון 2012 צו 2021, דער פּראָפּאָרציע פון ​​מאָנאָקרימילינע סיליציום רויז פון ווייניקער ווי 20% צו 93.3%, אַ באַטייטיק פאַרגרעסערן. אין 2018, די סיליציום ווייפערז אויף דעם מאַרק זענען דער הויפּט פּאָליסרעסטאַללילילילינע סיליאָן ווייפערז, אַקאַונטינג פֿאַר מער ווי 50%. די הויפּט סיבה איז אַז די טעכניש אַדוואַנטידזשיז פון מאָנאָקריוואַללינע סיליציום ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז קענען נישט דעקן די קאָסטן דיסאַדוואַנטידזשיז. Since 2019, as the photoelectric conversion efficiency of monocrystalline silicon wafers has significantly exceeded that of polycrystalline silicon wafers, and the production cost of monocrystalline silicon wafers has continued to decline with technological progress, the market share of monocrystalline silicon wafers has continued to increase, becoming the mainstream in the market. פּראָדוקט. עס איז דערוואַרט אַז די פּראָפּאָרציע פון ​​מאָנאָקריוואַללילילילינע ווייפּיאָן ווייפערז וועט דערגרייכן וועגן 96% אין 2025, און די מאַרק טיילן פון מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום ווייפערז וועט דערגרייכן 97.7% אין 2030. (מעלדונג מקור:

1.3. באַטעריז: פּערק באַטעריז באַהערשן די מאַרק, און די אַנטוויקלונג פון N- טיפּ באַטעריז פּושיז אַרויף פּראָדוקט קוואַליטעט

די מידסטרעאַם לינק פון די פאָטאָ גאָלדיאַיק אינדוסטריע קייט כולל פאָטאָוואַלאַיק סעלז און פאָטאָוואָלטאַיק צעל מאַדזשולז. די פּראַסעסינג פון סיליציום ווייפערז אין סעלז איז די מערסט וויכטיק שריט אין רעאַליזינג פאָוטאָאַלעקטריק קאַנווערזשאַן. עס נעמט וועגן זיבן טריט צו פּראָצעס אַ קאַנווענשאַנאַל צעל פֿון אַ סיליקאָן ווייפער. ערשטער, שטעלן די סיליקאָן ווייפער אין הידראָפלואָריק זויער צו פּראָדוצירן אַ פּיראַמיד-ווי סעטי סטרוקטור אויף די ייבערפלאַך, דערמיט רידוסינג די רעפלעקטיוויטי פון זונשייַן און ינקריסינג ליכט אַבזאָרפּשאַן; די רגע איז פאַספעראַס איז דיפיוזד אויף די ייבערפלאַך פון איין זייַט פון די סיליציום ווייפער צו פאָרעם אַ פּן קנופּ, און די קוואַליטעט אַפעקץ די עפעקטיווקייַט פון דער צעל; די דריט איז צו באַזייַטיקן די פּן קנופּ געשאפן אויף די זייַט פון די סיליציום ווייפער בעשאַס די דיפיוזשאַן בינע צו פאַרמייַדן קורץ-קרייַז פון דער צעל; א שיכטע פון ​​סיליציום ניטרידע פילם איז קאָוטאַד אויף די זייַט אויף די זייַט אויף די זייַט אויף די זייַט ווו די פּן קנופּ איז געשאפן צו רעדוצירן די ליכט אָפּשפּיגלונג און אין דער זעלביקער צייט פאַרגרעסערן עפעקטיווקייַט; די פינפט איז צו דרוקן מעטאַל ילעקטראָודז אויף די פראָנט און צוריק פון די סיליציום ווייפער צו זאַמלען מינאָריטעט קאַריערז דזשענערייטאַד דורך פאָטאָוואָלטטיקס; דער קרייַז געדרוקט אין די דרוקן בינע איז סיטערד און געשאפן, און עס איז ינאַגרייטיד מיט די סיליציום ווייפער, דאָס איז, דער צעל; צום סוף, די סעלז מיט פאַרשידענע עפעקטיווקייַט זענען קלאַסאַפייד.

קריסטאַליין סיליציום סעלז זענען יוזשאַוואַלי געמאכט מיט סיליציום ווייפערז ווי סאַבסטרייץ, און קענען זיין צעטיילט אין פּ-טיפּ סעלז און N- טיפּ פון סיליציום ווייפערז. צווישן זיי, די אָדער עפעקטיווקייַט פון העכער קאַנווערזשאַן און ביסלעכווייַז פאַרבייַטן פּ-טיפּ סעלז אין די לעצטע יאָרן. פּ-טיפּ סיליציום ווייפערז זענען געמאכט פון דאָפּינג סיליציום מיט באָראָן און די סיליציום ווייטעראָן ווייפעראָן זענען געמאכט פון פאַספעראַס. דעריבער, די קאַנסאַנטריישאַן פון באָראַן עלעמענט אין די N- טיפּ סיליקאָן וואַפער איז נידעריקער, דערמיט ינכיבאַט די באַנדינג פון באָראָן-זויערשטאָף מאַטעריאַל, און אין דער זעלביקער צייט, און עס איז קיין פאָטאָ-ינדאַקיישאַנז אין די באַטאַרייע. אין אַדישאַן, די N- טיפּ מיעטאַריטעט קעריערז זענען האָלעס, די פּאָמעסץ פון פּ-טיפּ מיעט, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראָנס, און די טראַטראַס קרייַז-אָפּטיילונג פון מערסט טומע אַטאָמס פֿאַר האָלעס איז קלענערער ווי די פון עלעקטראָנס. דעריבער, די מיעראַטי טרעגער לעבן פון די N-טיפּ צעל איז העכער און די פאָוטאָוילעקטריק קאַנווערזשאַן קורס איז העכער. According to laboratory data, the upper limit of the conversion efficiency of p-type cells is 24.5%, and the conversion efficiency of n-type cells is up to 28.7%, so n-type cells represent the development direction of future technology. אין 2021, N- טיפּ סעלז (דער הויפּט אַרייַנגערעכנט העטעראָדזשונקטיאָן סעלז און טאָפּקאָן סעלז) האָבן לעפיערעך הויך קאָס, און די וואָג פון מאַסע פּראָדוקציע איז נאָך קליין. די קראַנט מאַרק טיילן איז וועגן 3%, וואָס איז בייסיקלי די זעלבע ווי אין 2020.

אין 2021, די קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון N- טיפּ סעלז וועט זיין ימפּרוווד, און עס איז דערוואַרט אַז עס וועט זיין מער פּלאַץ פֿאַר טעקנאַלאַדזשיקאַל פּראָגרעס אין דער ווייַטער פינף יאָר. אין 2021, די גרויס פּראָדוקציע פון ​​פּ-טיפּ מאַנאַקיסטאַללינע סעלז וועט נוצן פּערק טעכנאָלאָגיע, און די דורכשניטלעך קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון 0.3 פּראָצענט, אַ פאַרגרעסערן פון 0.3 פּראָצענט פונקטן קאַמפּערד מיט 2020; די קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון פּאָליקריסיאַללינע שוואַרץ סיליציום ניצן פּערק טעכנאָלאָגיע וועט דערגרייכן 21.0%, קאַמפּערד מיט 2020. יערלעך פאַרגרעסערן פון 0.2 פּראָצענט פונקטן; קאַנווענשאַנאַל פּאָליקריצטאַללינע שוואַרץ סיליציום פֿאַרבעסערונג איז נישט שטאַרק, די קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט אין 2021 וועט זיין וועגן 19.5%, בלויז 0.1 פּראָצענט פונט העכער, און די צוקונפֿט עפעקטיווקייַט פֿאַרבעסערונג איז לימיטעד; די דורכשניטלעך קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון ינגגאַט מאָנאָקריוואַללינע פּערק סעלז איז 22.4%, וואָס איז 2,8%, וואָס איז 0.7 פּראָצענט פונקטן נידעריקער ווי די פון מאָנאָקריוואַללינע פּערק סעלז; די דורכשניטלעך קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט פון N- טיפּ טאָפּקאָן סעלז ריטשאַז ריסעס 24%, און די דורכשניטלעך קאַנווערזשאַן פון העטעראָמסונקונקטיאָן, ריטשאַז 25.2%, ביידע פון ​​זיי זענען זייער ימפּרוווד פון יבק סעלז ריטשאַז 24.2%. מיט דער אַנטוויקלונג פון טעכנאָלאָגיע אין דער צוקונפֿט, באַטאַרייע טעקנאַלאַדזשיז אַזאַ ווי טבק און הבק קען אויך פאָרזעצן צו מאַכן פּראָגרעס. אין דער צוקונפֿט, מיט די רעדוקציע פון ​​פּראָדוקציע קאָס און די פֿאַרבעסערונג פון טראָגן, די ינפּרווומאַנץ טיפּ באַטעריז וועט זיין איינער פון די הויפּט אַנטוויקלונג אינסטרוקציעס פון באַטאַרייע טעכנאָלאָגיע.

פֿון די פּערספּעקטיוו פון באַטאַרייע טעכנאָלאָגיע מאַרשרוט, די יטעראַטיוו דערהייַנטיקן פון באַטאַרייע טעכנאָלאָגיע האט דער הויפּט העכער דורך BSF, פּערק, טאָפּקאָן באזירט אויף פּערק פֿאַרבעסערונג און HJT, אַ נייַע טעכנאָלאָגיע וואָס סאַבווערץ פּערק; TopCon קענען זיין ווייַטער קאַמביינד מיט IBC צו פאָרעם טבק, און הדט קענען אויך זיין קאַמביינד מיט IBC צו ווערן HBC. די פּיט פון פּ-טיפּ מאַנאַדזשאַללינע סעלז דער הויפּט נוצן פּערק טעכנאָלאָגיע, פּ-טיפּ פּאָליסרעסטאַללינע סעלז זענען די יענער קאַלעקשאַן פון די מעטאַקאַלז, די יענער רעפערס צו די יענער ריפערז, די יענער ריפערז, און אַ קוואַדראַט סאָלידאַפאַקיישאַן איז געשאפן און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַדראַט סיליציום איז געגרינדעט און אַ קוואַטערז, און אַ סילעקטיאָן פון פּ-טיפּ. איין קריסטאַל און פּאָליקריסאַללינע איז געמאכט דורך אַ סעריע פון ​​פּראַסעסינג פּראַסעסאַז. ווייַל עס בייסיקלי ניצט אַ פּאָליקריסאַללינע צוגרייטונג מאַרשרוט, עס איז אַרייַנגערעכנט אין די קאַטעגאָריע פון ​​פּ-טיפּ פּאָלינקראַיסאַללינע סעלז. סעלז די N- טיפּ איז דער הויפּט אַרייַננעמען טאָפּקאָן מאָנאָקריסטאַללינע סעלז, HJT Monocrystallline סעלז און יבק מאָנאָקריוואַללינע סעלז. אין 2021, די נייַ מאַסע פּראָדוקציע שורות וועט נאָך זיין דאַמאַנייטאַד דורך פּערם צעל פּראָדוקציע שורות, און דער מאַרק טיילן פון פּערק סעלז וועט ווייַטער פאַרגרעסערן צו 91.2%. ווי דער פּראָדוקט פאָדערונג פֿאַר דרויסנדיק און הויזגעזינד פּראַדזשעקס קאַנסאַנטרייטאַד אויף הויך-עפעקטיווקייַט פּראָדוקטן, די מאַרק טיילן פון BSF באַטעריז וועט פאַלן פון 8.8% צו 5% אין 2021.

1.4. מאַדזשולז: די פּרייַז פון די סעלז אַקאַונץ פֿאַר די הויפּט טייל, און די מאַכט פון די מאַדזשולז דעפּענדס אויף די סעלז

די פּראָדוקציע טריט פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז דער הויפּט אַרייַננעמען צעל ינטערקאַנעקשאַן און לאַמינאַטיאָן און סעלז חשבון פֿאַר אַ הויפּט טייל פון די גאַנץ קאָסטן פון די מאָדולע. זינט די קראַנט און וואָולטידזש פון אַ איין צעל איז זייער קליין, די סעלז דאַרפֿן צו זיין ינטערקאַנעקטיד דורך ויטאָבוס באַרס. דאָ, זיי זענען פארבונדן אין סעריע צו פאַרגרעסערן די וואָולטידזש און דעמאָלט פארבונדן אין פּאַראַלעל צו באַקומען הויך קראַנט, און דערנאָך די פאָטאָאַלטאַיק גלאז, ייוואַ אָדער פּאָע, די פּע, צוריק, די פּו, די פּו, און ענדאַ אָדער לעאַוו, און לעסאָף פּראָטעקטעד דורך אַלומינום ראַם און סיליקאָנע סילינג ברעג און אַלומינום ראַם און סיליקאָנע סילינג ברעג. פון די פּערספּעקטיוו פון קאָמפּאָנענט פּראָדוקציע קאָסטן זאַץ, מאַטעריאַל קאָס אַקאַונץ פֿאַר 75%, אַקיאַפּייז די הויפּט שטעלע, נאכגעגאנגען דורך מאַנופאַקטורינג קאָס, פאָרשטעלונג קאָסטן. די פּרייַז פון מאַטעריאַלס איז געפירט דורך די פּרייַז פון סעלז. לויט צו מעלדן פון פילע קאָמפּאַניעס, סעלז חשבון פֿאַר וועגן 2/3 פון די גאַנץ קאָסטן פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז.

פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז זענען יוזשאַוואַלי צעטיילט לויט די צעל טיפּ, גרייס און קוואַנטיטי. עס זענען דיפעראַנסיז אין די מאַכט פון פאַרשידענע מאַדזשולז, אָבער זיי זענען אַלע אין די רייזינג בינע. מאַכט איז אַ שליסל גראדן פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז, רעפּריזענטינג די מאָדולע ס פיייקייט צו בייַטן זונ - ענערגיע אין עלעקטרע. עס איז קענטיק פון די מאַכט סטאַטיסטיק פון פאַרשידענע טייפּס פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז אַז ווען די גרייס און נומער פון סעלז אין די מאָדולע זענען די זעלבע, די מאַכט פון די מאָדולע איז N- טיפּ איין קריסטאַל> פּ-טיפּ איין קריסטאַל> פּאָליקריגהץ. די גרעסערע גרייס און קוואַנטיטי, די גרעסערע די מאַכט פון די מאָדולע; פֿאַר טאָפּקאָן איין קריסטאַל מאַדזשולז און העטעראָדזשונקטיאָן מאַדזשולז פון דער זעלביקער באַשרייַבונג, די מאַכט פון די יענער איז גרעסער ווי די ערשטע. לויט צו CPIA פאָרויסזאָגן, מאָדולע מאַכט וועט פאַרגרעסערן מיט 5-10 וו פּער יאָר אין די קומענדיק ביסל יאָרן. מאָדולע פּאַקקאַגינג וועט ברענגען אַ זיכער מאַכט אָנווער, דער הויפּט אַרייַנגערעכנט אָפּטיש אָנווער און עלעקטריקאַל אָנווער. די ערשטע איז געפֿירט דורך די טראַנסמיסיע און אָפּטיש מיסמאַטש פון פּאַקקאַגינג מאַטעריאַלס מאַטעריאַלס מאַטעריאַלס און ייוואַ, און די לעצטע דער הויפּט רעפערס צו די נוצן פון זונ - סעלז אין סעריע. The circuit loss caused by the resistance of the welding ribbon and the bus bar itself, and the current mismatch loss caused by the parallel connection of the cells, the total power loss of the two accounts for about 8%.

1.5. פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט: די פּאַלאַסיז פון פאַרשידן לענדער זענען דאָך געטריבן, און עס איז ריזיק פּלאַץ פֿאַר נייַ אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט אין דער צוקונפֿט

די וועלט האט בייסיקלי ריטשט אַ קאָנסענסוס אויף נעץ נול ימישאַנז אונטער די ינווייראַנמענאַל שוץ ציל, און די עקאנאמיק פון סופּעראַמפּאָוזד פאָטאָוואָלטאַיק פּראַדזשעקס האָבן ביסלעכווייַז ימערדזשד. לענדער זענען אַקטיוולי יקספּלאָרינג די אַנטוויקלונג פון רינואַבאַל ענערגיע מאַכט דור. אין די לעצטע יאָרן, לענדער אַרום די וועלט האָבן געמאכט קאַמיטמאַנץ צו רעדוצירן טשאַד ימישאַנז. רובֿ פון די הויפּט אָראַנזשעריי גאַז עמיטערז האָבן פארמולירט קאָראַספּאַנדינג רינואַבאַל ענערגיע טאַרגאַץ, און די אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט פון רינואַבאַל ענערגיע איז ריזיק. באַזירט אויף די 1.5 ℃ טעמפּעראַטור קאָנטראָל ציל, ירענאַ פּרידיקס אַז די גלאבאלע אינסטאַלירן רינואַבאַל ענערגיע קאַפּאַציטעט פון זונ - מאַפּע, און וועט ווייַטער אַראָפּגיין אין דער צוקונפֿט. די אַקטיוו העכערונג פון פּאַלאַסיז אין פאַרשידן לענדער און די עקאנאמיק פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַכט דור האָבן געפֿירט צו אַ פעסט פאַרגרעסערן אין די קיומיאַלאַטיוו אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט פון פאָטאָוואָלטטיקס אין דער וועלט און טשיינאַ אין די לעצטע יאָרן. פון 2012 צו 2021, די קיומיאַלאַטיוו אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט פון פאָטאָוואָלטטיקס אין דער וועלט וועט פאַרגרעסערן פון 104.3 גוו צו 849.5 גוו, און די קיומיאַלאַטיוו אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט פון די פאָטאָוואָלטטיקס אין טשיינאַ וועט 307 גוו, אַ פאַרגרעסערן פון איבער 44 מאל. אין דערצו, טשיינאַ ס ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט אַקאַונץ פֿאַר מער ווי 20% פון די וועלט 'ס גאַנץ אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט. אין 2021, די ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט איז 53 גוו, אַקאַונטינג פֿאַר וועגן 40% פון די וועלט 'ס ניי אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט. דאָס איז דער הויפּט רעכט צו דער שעפעדיק און מונדיר פאַרשפּרייטונג פון ליכט ענערגיע רעסורסן אין טשיינאַ, די געזונט-דעוועלאָפּעד אַפּסטרים און דאַונסטרים און די שטאַרק שטיצן פון נאציאנאלע פּאַלאַסיז. אין דעם פּעריאָד, טשיינאַ האט געשפילט אַ ריזיק ראָלע אין פאָטאָוואָלטאַיק מאַכט דור, און די קיומיאַלאַטיוו אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט האט אַקאַונאַד ווייניקער ווי 6.5%. דזשאַמפּט צו 36.14%.

באזירט אויף די אויבן אַנאַליסיס, CPIA האט געגעבן די פאָרויסזאָגן פֿאַר ניי געוואקסן פאָטאָוואָלטאַיק ינסטאַליישאַנז 2022-2030 איבער די וועלט. עס איז עסטימאַטעד אַז אונטער ביידע אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע טנאָים, די גלאבאלע נייַ אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט אין 2030 וועט זיין 366 און 366 און 366 און 366 און 366 און 365 גוו ריספּעקטיוולי, און ניי אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט פון טשיינאַ וועט זיין 128., 105 גוו. ונטער מיר וועט פאָרויסזאָגן די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסייל באזירט אויף די וואָג פון ניי אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט יעדער יאָר.

1.6. פאָדערונג פאָרויסזאָגן פון Polysilicon פֿאַר פאָטאָאַלטאַיק אַפּלאַקיישאַנז

2022 צו 2030, באזירט אויף CPIA ס פאָרויסזאָגן פֿאַר די גלאבאלע ניי געוואקסן פּוו ינסטאַליישאַנז אונטער ביידע אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע סינעריאָוז, די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסייל פֿאַר פּוו אַפּלאַקיישאַנז קענען זיין פּרעדיקטעד פֿאַר PV אַפּלאַקיישאַנז קענען זיין פּרעדיקט. סעלז זענען אַ שליסל שריט צו פאַרשטיין פאָטאָ עלעקטריק קאַנווערזשאַן און סיליציום ווייפערז זענען די יקערדיק רוי מאַטעריאַלס פון סעלז און די דירעקט דאַונסטרים פון פּאָליסעלסעלאָן, אַזוי עס איז אַ וויכטיק טייל פון Policilicon פאָדערונג פאָרקאַסטינג. די ווייטיד נומער פון ברעקלעך פּער קילאָ פון סיליציום ראַדז און ינגגאַץ קענען זיין קאַלקיאַלייטיד פון די נומער פון ברעקלעך פּער קילאָ און די מאַרק טיילן פון סיליציום ראַדז און ינדזשאַץ. דערנאָך, לויט צו די מאַכט און מאַרק טיילן פון סיליציום ווייפערז פון פאַרשידענע סיזעס, די ווייטיד מאַכט פון די סיליציום ווייפערז קענען זיין באקומען, און דעריבער די פארלאנגט נומער פון סיליציום ווייפערז קענען זיין עסטימאַטעד לויט די נייע אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק. דערנאָך, די וואָג פון די פארלאנגט סיליציום ראַדז און ינגגאַץ קענען זיין באקומען לויט די קוואַנטיטאַטיווע שייכות צווישן די נומער פון סיליציום ווייפערז און די ווייטיד נומער פון סיליציום ראַדז און סיליציום ראַדז פּער קילאָ. ווייַטער קאַמביינד מיט די ווייטיד סיליציום קאַנסאַמשאַן פון סיליציום ראַדז / סיליציום ינגאָץ, די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסיין פֿאַר אַ ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט קענען זיין לעסאָף באקומען. לויט צו די פאָרויסזאָגן רעזולטאַטן, די גלאבאלע פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסאָן פֿאַר נייַ פאָטאָוואָלטאַיק ינסטאַליישאַנז אין די לעצטע פינף יאָר וועט פאָרזעצן צו העכערונג, פייינג אין 2027, און די ווייַטערדיק דריי יאָר. עס איז עסטימאַטעד אַז אונטער אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע טנאָים אין 2025, די גלאבאלע יערלעך פאָדערונג פֿאַר פּאָליסיליקאָן פֿאַר PhotoVolicon פֿאַר PhotoVolicon פֿאַר PhotoVolicon פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק ינסטאַליישאַנז וועט זיין 1,108,900 טאָנס ריספּעקטיוולי, און די גלאבאלע פאָדערונג פֿאַר PhotoVolton פֿאַר PhotoVollicon פֿאַר PhotoVolton פֿאַר PhotoVolton פֿאַר PhotoVolton פֿאַר PhotoVollicon פֿאַר PhotoVoltaiC פֿאַר PhotoVoltaial, און די גלאבאלע פאָדערונג פֿאַר PhotoVoltaic איז געווען 1,042,100 טאָנס אונטער אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע טנאָים. , 896,900 טאָנס. לויט טשיינאַ ספּראָפּאָרציע פון ​​גלאבאלע פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט,די פאָדערונג פון טשיינאַ פֿאַר Polysilicon פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק נוצן אין 2025איז געריכט צו זיין 369,600 טאָנס און 302,600 טאָנס ריספּעקטיוולי אונטער אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע טנאָים, און 739 טאַנז און 605,200 טאָנס מעייווער - לייאַם ריספּעקטיוולי.

2, סעמיקאַנדאַקטער סוף פאָדערונג: די וואָג איז פיל קלענערער ווי די פאָדערונג אין די פאָטאָוואָלטאַיק פעלד, און צוקונפֿט וווּקס קענען זיין דערוואַרט

אין אַדישאַן צו מאַכן פאָטאָאָלטאַיק סעלז, פּאָליסיליקאָן קענען אויך זיין געוויינט ווי אַ רוי מאַטעריאַל פֿאַר מאכן טשיפּס און איז געניצט אין דעם סעמיקאַנדאַקטער דיפּליפינגינג, ינדאַסטריאַל עלעקטראָניק, עלעקטראָניש קאָמוניקאַציע, היים אַפּלייאַנסיז און אנדערע פעלדער. דער פּראָצעס פון פּאָליסעליסאָן צו שפּאָן איז דער הויפּט צעטיילט אין דרייַ סטעפּס. ערשטער, די פּאָליסעלסעללאָן איז ציען אין מאָנאָקרימילינע סיליציאָן ינגאָץ, און דאַן שנייַדן אין דין סיליקאָן ווייפערז. סיליציום ווייפערז זענען געשאפן דורך אַ סעריע פון ​​גרינדינג, טשאַמפערינג און פּאַלישינג אַפּעריישאַנז. , וואָס איז די גרונט רוי מאַטעריאַל פון די סעמיקאַנדאַקטער. לעסאָף, די סיליציום ווייפער איז שנייַדן און לאַזער ינגרייווד אין פאַרשידן קרייַז סטראַקטשערז צו מאַכן שפּאָן פּראָדוקטן מיט זיכער קעראַקטעריסטיקס. פּראָסט סיליציום ווייפערז דער הויפּט אַרייַננעמען פּאַלישט ווייפערז, עפּיטאַקסיאַל ווייפערז און סוי ווייפערז. פּאַלישט ווייפער איז אַ שפּאָן פּראָדוקציע מאַטעריאַל מיט הויך פלאַטנאַס באקומען דורך פּאַלישינג די סיליציום ווייפער צו באַזייַטיקן די דאַמידזשד שיכטע אויף די ייבערפלאַך, וואָס קענען זיין גלייַך געניצט צו מאַכן טשיפּס, עפּיטאַקסיאַל ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייפערז. עפּיטאַקסיאַל ווייפערז זענען באקומען דורך עפּיטאַקסיאַל וווּקס פון פּאַלישט ווייפערז, בשעת סוי סיליקאָן ווייפעראָן ווייפעראָן ווייטער אָדער יאָן ימפּלאַנטיישאַן אויף פּאַלישט ווייפער סאַבסטרייץ, און דער צוגרייטונג פון די צוגרייטונג פון די צוגרייטונג איז לעפיערעך שווער.

דורך די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסילערסאָן אויף די סעמיקאַנדאַקטער זייַט אין 2021, קאַמביינד מיט די פאָרויסזאָגן פון דעם וווּקס קורס פון די סעמיקאַנדאַקטער אין די קומענדיק ביסל יאָרן, די פאָדערונג פֿאַר פּאַליסאַליקאָן אין די סעמיקאַנדאַקטער פיעלד. אין 2021, די גלאבאלע עלעקטראָניש-מיינונג פּאָליסיליקאָן פּראָדוקציע וועט רעכענען פֿאַר 6% פון די גאַנץ פּאָליסיליקאָן פּראָדוקציע און זונ - מיינונג פּאָליסיליקאָן און גראַניאַלער סיליציום וועט רעכענען פֿאַר 94%. די מערסט עלעקטראָניש-מיינונג פּאָליסיליקאָן איז געניצט אין דעם סעמיקאַנדאַקטער פעלד, און אנדערע פּאָליסעליסאָן איז בייסיקלי געניצט אין דעם פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. . דעריבער, עס קענען זיין אנגענומען אַז די סומע פון ​​פּאָליסעלסעלאַן געניצט אין דעם סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע אין 2021 איז וועגן 37,000 טאָנס. אין דערצו, לויט דער צוקונפֿט קאַמפּאַונד וווּקס קורס פון די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע פּרעדיקטעד דורך פאָרונעבוסינעסס ינסייץ, די פאָדערונג פֿאַר פּאַליסאַלאַסץ פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער נוצן וועט פאַרגרעסערן אין די סעמיקאַנדאַקטער דיפּלי וועט זיין אַרום 51,500 טאָנס. (באריכט מקור: צוקונפֿט טראַכטן טאַנק)

3, פּאָליסיליקאָן אַרייַנפיר און אַרויספירן: ימפּאָרץ ווייַט יקסיד עקספּאָרץ, מיט דייַטשלאַנד און מאַלייַסיאַ אַקאַונטינג פֿאַר אַ העכער פּראָפּאָרציע

אין 2021, וועגן 18.63% פון טשיינאַ 'ס פּאָליציליקאָן פאָדערונג וועט קומען פון ימפּאָרץ, און די וואָג פון ימפּאָרץ ווייַט יקסידז די וואָג פון עקספּאָרץ. פון 2017-2021, דער אַרייַנפיר און אַרויספירן מוסטער פון פּאָליסיליקאָן איז דאַמאַנייטאַד דורך ימפּאָרץ, וואָס קען זיין רעכט צו דער שטאַרק דאַונסטרים פאָדערונג פֿאַר פאָטאָוואָלטאַיק ינדוסטרי וואָס איז דעוועלאָפּעד אין די לעצטע יאָרן, און די פאָדערונג פֿאַר פּאַליסאַליקאָן אַקאַונץ פֿאַר מער ווי 94% פון די גאַנץ פאָדערונג פֿאַר מער ווי 94%. אין אַדישאַן, די פירמע האט נישט נאָך מאַסטערד די פּראָדוקציע טעכנאָלאָגיע פון ​​הויך-ריינקייַט עלעקטראָניש-מיינונג פּאָליסיליקאָן, אַזוי עטלעכע פּאָליסעליקאָן פארלאנגט דורך די ינאַגרייטיד קרייַז ינדאַסטרי איז נאָך דאַרף צו פאַרלאָזנ אויף ימפּאָרץ. לויט צו די דאַטן פון די סיליציום אינדוסטריע צווייַג, דער אַרייַנפיר באַנד פארבליבן צו אַראָפּגיין אין 2019 און 2020. די פונדאַמענטאַל סיבה פֿאַר די אַראָפּגיין אין פּאָליסילדיקאָן ימפּאָרץ אין פּאָליסילאַקאָן ימפּאָרץ אין Polysantial לאָססעס, אַזוי די אַרייַנפיר אָפענגיקייט פון פּאָליסעליקאָן איז פיל נידעריקער; כאָטש פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט איז נישט געוואקסן אין 2020, די פּראַל פון די עפּידעמיע האט געפֿירט צו דילייז אין די קאַנסטראַקשאַן פון פאָטאָוואָלטאַיק פּראַדזשעקס, און די נומער פון פּאָליסיליקאָן אָרדערס איז דיקריסט אין דער זעלביקער צייַט. אין 2021, טשיינאַ ס פאָטאָוואָלטאַיק מאַרק וועט אַנטוויקלען ראַפּאַדלי, און דער קענטיק קאַנסאַמשאַן פון Polisilicon וועט דערגרייכן 613,000 טאָנס, דרייווינג די אַרייַנפיר באַנד צו אָפּבאַלעמענ זיך. אין די לעצטע פינף יאָר, טשיינאַ ס נעט פּאָליסעלסייל

טשיינאַ ס פּאָליסיליקאָן ימפּאָרץ דער הויפּט קומען פון דייַטשלאַנד, מאַלייַסיאַ, יאַפּאַן און טייוואַן, טשיינאַ, און די גאַנץ ימפּאָרץ פון די פיר לענדער וועט זיין פיינאַ ס פּאַליסיאָוס דייַטשלאַנד אָונז די וועלט 'ס פּאַליסאַליקאָן ריז וואָקער, וואָס איז דער גרעסטער מקור פון מעייווער - לייאַם פּאַליסיליקאָן, אַקאַונטינג פֿאַר 12.7% פון די גאַנץ גלאבאלע פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט אין 2021; מאַלייַסיאַ האט אַ גרויס נומער פון פּאָליסעליקאָן פּראָדוקציע שורות פון דרום קארעע ס אָפּי פירמע, וואָס ערידזשאַנייץ פון דער אָריגינעל פּראָדוקציע ליניע אין מאַלייַסיאַ פון טאָקויאַמאַ, אַ יאַפּאַניש פירמע קונה דורך אָסי. עס זענען פאבריקן און עטלעכע פאבריקן אַז אָסי אריבערגעפארן פון דרום קארעע צו מאַלייַסיאַ. די סיבה פֿאַר די רילאָוקיישאַן איז אַז מאַלייסיאַ גיט פריי פאַבריק פּלאַץ און די קאָסטן פון עלעקטרע איז 1/3 נידעריקער ווי אין דרום קארעע; יאַפּאַן און טייוואַן, טשיינאַ האָבן טאָקויאַמאַ, באַקומען און אנדערע קאָמפּאַניעס, וואָס אַקיאַפּייז אַ גרויס טיילן פון פּאָליסעלאַס. אַ פּלאַץ. אין 2021, די Polisilicon רעזולטאַט וועט זיין 492,000 טאָנס, וואָס די ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט וועט זיין 206,400 טאָנס ריספּעקטיוולי, און די רוען 28400 טאָנס איז דער הויפּט געניצט פֿאַר דאַונסטרים פּראַסעסינג און יקספּאָרטאַד מעייווער - לייאַם. אין די דאַונסטרים פֿאַרבינדונגען פון Polisilicon, סיליציום ווייפערז, סעלז און מאַדזשולז זענען דער הויפּט יקספּאָרטאַד, צווישן וועלכע די אַרויספירן פון מאַינהאַלעס איז דער הויפּט באַוווסט. אין 2021, 4.64000000000 סיליציום ווייפערז און 3.2000000000 פאָטאָאַלטאַיק סעלז האָבן שויןיקספּאָרטאַדפֿון טשיינאַ, מיט אַ גאַנץ אַרויספירן פון 22.6 גוו און 10.3 גוו ריספּעקטיוולי, און די אַרויספירן פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז איז 98.5 גוו מיט זייער ווייניק ימפּאָרץ. אין טערמינען פון אַרויספירן ווערט זאַץ, מאָדולע עקספּאָרץ אין 2021 וועט דערגרייכן יו. עס. $ 24.61 ביליאָן, אַקאַונטינג פֿאַר 86%, נאכגעגאנגען דורך סיליציום ווייפערז און באַטעריז. אין 2021, די גלאבאלע פּראָדוקציע פון ​​סיליציום ווייפערז, פאָטאָוואָלטאַיק סעלז, און פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז וועט דערגרייכן 97.3%, 85.1%, 82.3%, ריספּעקטיוולי. עס איז דערוואַרט אַז די גלאבאלע פאָטאָאָלטאַיק ינדאַסטרי וועט פאָרזעצן צו קאַנסאַנטרייט אין טשיינאַ אין דער ווייַטער דריי יאָר, און דער רעזולטאַט און אַרויספירן באַנד פון יעדער לינק וועט זיין היפּש. דעריבער, עס איז עסטימאַטעד אַז 2022 צו 2025, די סומע פון ​​פּאָליסעליסאָן געניצט פֿאַר פּראַסעסינג און פּראָדוצירן דאַונסטרים פּראָדוקטן און יקספּאָרטאַד אין אויסלאנד וועט ביסלעכווייַז פאַרגרעסערן. עס איז עסטימאַטעד דורך סאַבטראַקטינג מעייווער - לייאַם פּראָדוקציע פון ​​מעייווער - לייאַם פּאַליסיליקאָן פאָדערונג. אין 2025, Polisilicon Produced דורך פּראַסעסינג אין דאַונסטרים פּראָדוקטן וועט זיין עסטימאַטעד צו אַרויספירן 583,000 טאָנס צו פרעמד לענדער פון טשיינאַ

4, קיצער און אַוטלוק

די גלאבאלע פּאָליסעליקאָן פאָדערונג איז דער הויפּט קאַנסאַנטרייטאַד אין די פאָטאָוואָלטאַיק פעלד, און די פאָדערונג אין די סעמיקאַנדאַקטער פעלד איז נישט אַ סדר פון מאַגנאַטוד. די פאָדערונג פֿאַר POLYSILLICON איז געטריבן דורך פאָטאָוואָלטאַיק ינסטאַליישאַנז, און איז ביסלעכווייַז טראַנסמיטטעד צו Polysilicon דורך די לינק פון פאָטאָוואָלטאַיק מאַדזשולז-סעל-ווייפער, דזשענערייטינג פאָדערונג פֿאַר עס. אין דער צוקונפֿט, מיט די יקספּאַנשאַן פון גלאבאלע פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט, די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסעלסיין איז בכלל אָפּטימיסטיש. אָפּטימיסטיקאַללי, טשיינאַ און מעייווער - לייאַם ניי געוואקסן פּוו ינסטאַליישאַנז קאָזינג די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסיליסאָן אין 2025 וועט זיין 36.49 גוו ריספּעקטיוולי, און די פאָדערונג אונטער קאָנסערוואַטיווע טנאָים וועט אויך דערגרייכן 30.24 ג און 60.49 גוו ריספּעקטיוולי. אין 2021, די גלאבאלע פּאָליסעללאָן צושטעלן און מאָנען וועט זיין ענג, ריזאַלטינג אין הויך גלאבאלע פּאָליסעליסאָן פּרייסיז. די סיטואַציע קען געדויערן ביז 2022, און ביסלעכווייַז ווענדן צו דער בינע פון ​​פרייַ צושטעלן נאָך 2023. אין דער צווייטער העלפט פון 2020, די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די פּראַל פון די יפּענסע אנגעהויבן צו וויקאַן פּראָדוקציע יקספּאַנשאַן דרייווז, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס, און עטלעכע אָפפערס פון 2022, און ביסלעכווייַז ווענדן נאָך 2023. אין דער צווייטער העלפט פון 2020, די פּראַל פון די פּראַל פון די יפּענסע אנגעהויבן צו וויקאַן פּראָדוקציע יקספּאַנשאַן פון די פאָדערונג, און עטלעכע לידינג קאָמפּאַניעס. אָבער, די יקספּאַנשאַן ציקל פון מער ווי איין און אַ האַלב יאָר ריזאַלטיד אין די מעלדונג פון פּראָדוקציע קאַפּאַציטעט אין די סוף פון 2021 און 2022, ריזאַלטינג אין 4.24% פאַרגרעסערן אין 2021. עס איז אַפיל ריס פון 10,000 טאָנס, אַזוי די פּרייסיז זענען רייזינג שארף. עס איז פּרעדיקטעד אַז אין 2022, אונטער די אָפּטימיסטיש און קאָנסערוואַטיווע טנאָים פון פאָטאָוואָלטאַיק אינסטאַלירן קאַפּאַציטעט, די צושטעלן פון צושטעלן און מאָנען ריס און 2,400 טאָנס ריספּעקטיוולי, און די קוילעלדיק צושטעלן איז ריספּעקטיוולי נאָך לעפיערעך קורץ צושטעלן. אין 2023 און ווייַטער, די נייַ פּראַדזשעקס וואָס סטאַרטעד קאַנסטראַקשאַן אין די סוף פון 2021 און פרי 2022 וועט אָנהייבן פּראָדוקציע און דערגרייכן אַ ראַמפּע קאַפּאַציטעט. צושטעלן און פאָדערונג וועט ביסלעכווייַז לוסאַן, און די פּרייסיז קענען זיין אונטער דאַונווערד דרוק. אין די נאָכפאָלגן, ופמערקזאַמקייט זאָל זיין באַצאָלט צו די פּראַל פון די רוסיש-אוקרייניש מלחמה אויף די גלאבאלע ענערגיע מוסטער, וואָס קען טוישן די גלאבאלע פּלאַן פֿאַר ניי אינסטאַלירן פאָטאָוואָלטאַיק קאַפּאַציטעט, וואָס וועט ווירקן די פאָדערונג פֿאַר פּאָליסיליקאָן.

(דער אַרטיקל איז בלויז פֿאַר דער רעפֿערענץ פון ורבאַנאַס קאַסטאַמערז און רעפּראַזענץ נישט קיין ינוועסמאַנט עצה)