ஆகஸ்ட் 9, 2024 அன்று 15:30 EE Times ஜப்பானில் வெளியிடப்பட்டது
ஜப்பான் ஹொக்கைடோ பல்கலைக்கழகத்தின் ஆராய்ச்சிக் குழு, கொச்சி தொழில்நுட்ப பல்கலைக்கழகத்துடன் இணைந்து 78cm2/Vs எலக்ட்ரான் இயக்கம் மற்றும் சிறந்த நிலைத்தன்மையுடன் கூடிய "ஆக்சைடு மெல்லிய-பட டிரான்சிஸ்டரை" உருவாக்கியுள்ளது. அடுத்த தலைமுறை 8K OLED டிவிகளின் திரைகளை இயக்க முடியும்.
செயலில் உள்ள அடுக்கு மெல்லிய படத்தின் மேற்பரப்பு ஒரு பாதுகாப்பு படத்துடன் மூடப்பட்டிருக்கும், இது நிலைத்தன்மையை பெரிதும் மேம்படுத்துகிறது
ஆகஸ்ட் 2024 இல், கொச்சி தொழில்நுட்பப் பல்கலைக்கழகத்தின் அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்பப் பள்ளியின் பேராசிரியர் மமோரு ஃபுருடாவுடன் இணைந்து, ஹொக்கைடோ பல்கலைக்கழக மின்னணு அறிவியல் ஆராய்ச்சி நிறுவனத்தின் உதவிப் பேராசிரியர் யுசாகு கியோ மற்றும் பேராசிரியர் ஹிரோமிச்சி ஓட்டா ஆகியோர் அடங்கிய ஆய்வுக் குழு, தாங்கள் இருப்பதாக அறிவித்தது. 78cm2/Vs எலக்ட்ரான் இயக்கம் மற்றும் சிறந்த நிலைத்தன்மையுடன் "ஆக்சைடு மெல்லிய-பட டிரான்சிஸ்டர்" உருவாக்கியது. அடுத்த தலைமுறை 8K OLED டிவிகளின் திரைகளை இயக்க முடியும்.
தற்போதைய 4K OLED தொலைக்காட்சிகள் திரைகளை இயக்க ஆக்சைடு-IGZO மெல்லிய-பட டிரான்சிஸ்டர்களை (a-IGZO TFTகள்) பயன்படுத்துகின்றன. இந்த டிரான்சிஸ்டரின் எலக்ட்ரான் இயக்கம் சுமார் 5 முதல் 10 செ.மீ2/வி. இருப்பினும், அடுத்த தலைமுறை 8K OLED டிவியின் திரையை இயக்க, 70 cm2/Vs அல்லது அதற்கு மேற்பட்ட எலக்ட்ரான் இயக்கம் கொண்ட ஆக்சைடு மெல்லிய-பட டிரான்சிஸ்டர் தேவைப்படுகிறது.
உதவி பேராசிரியர் மாகோ மற்றும் அவரது குழுவினர் 140 cm2/Vs 2022 என்ற எலக்ட்ரான் இயக்கம் கொண்ட ஒரு TFT ஐ உருவாக்கினர்.இண்டியம் ஆக்சைடு (In2O3)செயலில் உள்ள அடுக்குக்கு. இருப்பினும், காற்றில் உள்ள வாயு மூலக்கூறுகளின் உறிஞ்சுதல் மற்றும் சிதைவு காரணமாக அதன் நிலைத்தன்மை (நம்பகத்தன்மை) மிகவும் மோசமாக இருந்ததால், இது நடைமுறை பயன்பாட்டிற்கு பயன்படுத்தப்படவில்லை.
இந்த நேரத்தில், காற்றில் வாயு உறிஞ்சப்படுவதைத் தடுக்க, மெல்லிய செயலில் உள்ள அடுக்கின் மேற்பரப்பை ஒரு பாதுகாப்பு படத்துடன் மூட ஆராய்ச்சி குழு முடிவு செய்தது. சோதனை முடிவுகள் TFTகள் பாதுகாப்பு படங்களுடன் இருப்பதைக் காட்டியதுயட்ரியம் ஆக்சைடுமற்றும்எர்பியம் ஆக்சைடுமிக உயர்ந்த நிலைத்தன்மையை வெளிப்படுத்தியது. மேலும், எலக்ட்ரான் இயக்கம் 78 cm2/Vs ஆக இருந்தது, மேலும் ± 20V மின்னழுத்தம் 1.5 மணிநேரத்திற்கு பயன்படுத்தப்பட்டாலும் பண்புகள் மாறவில்லை, நிலையானது.
மறுபுறம், ஹாஃப்னியம் ஆக்சைடைப் பயன்படுத்தும் TFTகளில் நிலைத்தன்மை மேம்படவில்லை அல்லதுஅலுமினியம் ஆக்சைடுபாதுகாப்பு படங்களாக. எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியைப் பயன்படுத்தி அணு அமைப்பைக் கவனித்தபோது, அது கண்டுபிடிக்கப்பட்டதுஇண்டியம் ஆக்சைடு மற்றும்யட்ரியம் ஆக்சைடு அணு மட்டத்தில் (ஹீட்டோரோபிடாக்சியல் வளர்ச்சி) இறுக்கமாக பிணைக்கப்பட்டன. இதற்கு நேர்மாறாக, நிலைத்தன்மை மேம்படாத TFTகளில், இண்டியம் ஆக்சைடு மற்றும் ப்ரொக்டிவ் ஃபிலிம் இடையேயான இடைமுகம் உருவமற்றது என்பது உறுதி செய்யப்பட்டது.