Diterbitkeun dina 9 Agustus 2024, jam 15:30 EE Times Japan
Grup panalungtikan ti Jepang Hokkaido University geus babarengan ngembangkeun hiji "oksida film tipis transistor" kalawan mobilitas éléktron 78cm2 / Vs jeung stabilitas alus teuing jeung Kochi Universitas Téknologi. Éta bakal tiasa ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna.
Beungeut pilem ipis lapisan aktip katutupan ku pilem pelindung, greatly ngaronjatkeun stabilitas
Dina Agustus 2024, grup panalungtikan kaasup Asisten Profesor Yusaku Kyo sareng Profesor Hiromichi Ota ti Institut Panaliti Élmu Éléktronik, Universitas Hokkaido, gawé bareng Profesor Mamoru Furuta ti Sakola Élmu sareng Téknologi, Universitas Teknologi Kochi, ngumumkeun yén aranjeunna gaduh ngembangkeun "transistor pilem ipis oksida" kalayan mobilitas éléktron 78cm2 / Vs sareng stabilitas anu saé. Éta bakal tiasa ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna.
TV 4K OLED ayeuna nganggo transistor film tipis oksida-IGZO (a-IGZO TFTs) pikeun ngajalankeun layar. Mobilitas éléktron transistor ieu kira-kira 5 nepi ka 10 cm2/Vs. Nanging, pikeun ngajalankeun layar TV OLED 8K generasi salajengna, peryogi transistor film ipis oksida kalayan mobilitas éléktron 70 cm2/Vs atanapi langkung.
Asisten Profesor Mago sareng timnya ngembangkeun TFT kalayan mobilitas éléktron 140 cm2/Vs 2022, ngagunakeun film ipis tinaindium oksida (In2O3)pikeun lapisan aktip. Tapi, éta henteu dianggo sacara praktis sabab stabilitasna (reliabilitas) goréng pisan kusabab adsorpsi sareng desorpsi molekul gas dina hawa.
Waktos ieu, kelompok panaliti mutuskeun pikeun nutupan permukaan lapisan aktif ipis ku pilem pelindung pikeun nyegah gas tina adsorbed dina hawa. Hasil eksperimen némbongkeun yén TFTs kalawan film pelindung tinayttrium oksidajeungerbium oksidanémbongkeun stabilitas pisan tinggi. Leuwih ti éta, mobilitas éléktron éta 78 cm2 / Vs, sarta ciri teu robah sanajan tegangan ± 20V ieu dilarapkeun pikeun 1,5 jam, sésana stabil.
Di sisi séjén, stabilitas teu ningkat dina TFTs nu dipaké hafnium oksida atawaaluminium oksidasalaku film pelindung. Nalika susunan atom dititénan maké mikroskop éléktron, kapanggih yénindium oksida jeungyttrium oksida kabeungkeut pageuh dina tingkat atom (pertumbuhan hétéroépitaxial). Kontras, éta dikonfirmasi yén dina TFTs anu stabilitas teu ningkat, panganteur antara indium oksida jeung pilem pelindung éta amorf.