La daabacay Agoosto 9, 2024, at 15:30 EE Times Japan
Koox cilmi baaris ah oo ka socota Jaamacadda Hokkaido ee Japan ayaa si wadajir ah u sameeyay "transistor khafiif ah oksijiin" oo leh dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah ee 78cm2 / Vs iyo xasillooni heer sare ah oo leh Jaamacadda Kochi ee Tiknoolajiyada. Waxa suurtagal noqon doonta in la wado shaashadaha jiilka soo socda ee 8K OLED TV.
Dusha sare ee lakabka firfircoon ee filimka khafiifka ah ayaa lagu daboolay filim ilaalin ah, si weyn u hagaajinaya xasilloonida
Bishii Agoosto 2024, koox cilmi-baaris ah oo ay ku jiraan Caawiyaha Professor Yusaku Kyo iyo Professor Hiromichi Ota oo ka tirsan Machadka Cilmi-baarista ee Sayniska Elektrooniga, Jaamacadda Hokkaido, oo kaashanaya Professor Mamoru Furuta oo ka tirsan Dugsiga Sayniska iyo Tignoolajiyada, Jaamacadda Tiknoolajiyada ee Kochi, ayaa ku dhawaaqay inay heleen sameeyay transistor-filim khafiif ah oksaydh oo leh dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah 78cm2/Vs iyo xasilooni aad u fiican. Waxa suurtagal noqon doonta in la wado shaashadaha jiilka soo socda ee 8K OLED TV.
4K OLED TV-yada hadda waxay isticmaalaan oxide-IGZO khafiif-film transistors (a-IGZO TFTs) si ay u wadaan shaashadaha. Dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah ee transistor-kan waa qiyaastii 5 ilaa 10 cm2/Vs. Si kastaba ha noqotee, si loo wado shaashadda jiilka soo socda ee 8K OLED TV, transistor-filim khafiif ah oksaydh oo leh dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah ee 70 cm2/Vs ama ka badan ayaa loo baahan yahay.
Kaaliyaha Professor Mago iyo kooxdiisu waxay sameeyeen TFT oo leh dhaqdhaqaaq elektaroonig ah 140 cm2/Vs 2022, iyagoo isticmaalaya filim khafiif ahindium oxide (In2O3)lakabka firfircoon. Si kastaba ha ahaatee, looma isticmaalin isticmaalka dhabta ah sababtoo ah xasiloonideeda (isku-kalsoonida) ayaa aad u liidatay sababtoo ah xajinta iyo kala-baxa molecules gaaska ee hawada.
Waqtigaan, kooxda cilmi-baaristu waxay go'aansadeen in ay daboolaan dusha sare ee lakabka firfircoon ee khafiifka ah oo leh filim ilaalin ah si looga hortago in gaaska lagu dhejiyo hawada. Natiijooyinka tijaabada ah waxay muujiyeen in TFTs oo leh filimo ilaalin ahyttrium oxideiyoerbium oxidemuujiyay xasilooni aad u saraysa. Waxaa intaa dheer, dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah wuxuu ahaa 78 cm2 / Vs, sifooyinkuna isma beddelin xitaa marka danab ± 20V ah ayaa lagu dabaqay saacadaha 1.5, oo weli deggan.
Dhanka kale, xasiloonida kuma rayn TFT-yada isticmaalay hafnium oxide amaaluminium oxidesida filimada ilaalinta. Markii habka atomiga lagu arkay iyadoo la isticmaalayo mikroskoob elektaroonig ah, waxaa la ogaaday inindium oxide iyoyttrium oxide si adag ayaa loogu xidhay heerka atomiga (koritaanka heteroepitaxial). Taas bedelkeeda, waxaa la xaqiijiyay in TFT-yada xasiloonidoodu aysan soo hagaagin, isdhexgalka u dhexeeya indium oxide iyo filimka difaaca ayaa ahaa amorphous.