Lomia i le aso 9 o Aokuso, 2024, i le 15:30 EE Times Iapani
Ua galulue fa'atasi se vaega su'esu'e mai le Iunivesite o Iapani Hokkaido ma le Iunivesite o Tekonolosi o Kochi e atia'e se "oxide thin-film transistor" fa'atasi ai ma le saoasaoa o le eletise e 78cm2/Vs ma le mautu lelei ma le Iunivesite o Tekonolosi o Kochi. O le a mafai ona fa'agaoioia pupuni o le isi tupulaga 8K OLED TV.
O le pito i luga o le vaega galue o le ata manifinifi e ufiufi i se ata puipui, e faʻaleleia atili ai le mautu
Ia Aokuso 2024, na faasilasila mai ai e se vaega suesue e aofia ai le Fesoasoani Polofesa Yusaku Kyo ma le Polofesa Hiromichi Ota o le Inisetiute o Suesuega mo le Saienisi Faatekinolosi, Iunivesite o Hokkaido, faatasi ai ma le Polofesa Mamoru Furuta o le Aoga o Saienisi ma Tekinolosi, Iunivesite o Tekinolosi o Kochi, ua latou atiaeina se "oxide thin-film transistor" faatasi ai ma le saoasaoa o le eletise e 78cm2/Vs ma le mautu lelei. O le a mafai ona faagaoioia pupuni o le isi tupulaga 8K OLED TV.
O televise 4K OLED i le taimi nei e faʻaaogaina transistors thin-film oxide-IGZO (a-IGZO TFTs) e faʻagaoioia ai lau. O le eletise e gaoioi ai lenei transistor e tusa ma le 5 i le 10 cm2/Vs. Peitaʻi, ina ia faʻagaoioia le lau o se isi tupulaga 8K OLED TV, e manaʻomia se transistor oxide thin-film e gaoioi ai le eletise e 70 cm2/Vs pe sili atu.
O le Fesoasoani Polofesa Mago ma lana 'au na atia'e se TFT ma le eletise e gaoioi i le 140 cm2/Vs 2022, e fa'aaoga ai se ata manifinifi oindium oxide (In2O3)mo le vaega galue. Peita'i, e le'i fa'aaogaina i le auala moni ona o lona mautu (fa'atuatuaina) sa matua leaga lava ona o le mitiia ma le aveeseina o molekula o le kesi i le ea.
O le taimi lenei, na filifili ai le vaega suʻesuʻe e ufiufi le pito i luga o le vaega manifinifi o loʻo galue i se ata puipui e puipuia ai le kesi mai le mitiia i le ea. O taunuuga o suʻega na faʻaalia ai o TFTs ma ata puipui oyttrium oxidema'okesi erbiumna faaalia ai le mautu maualuga tele. E le gata i lea, o le fealua’i o le eletise e 78 cm2/Vs, ma e le’i suia uiga e tusa lava pe fa’aogaina le voltage e ±20V mo le 1.5 itula, ma tumau pea le mautu.
I le isi itu, e le'i fa'aleleia le mautu i TFT na fa'aogaina le hafnium oxide po'o le'okesaita aluminio ni ata puipui. Ina ua matauina le faatulagaga o le atomika e faaaoga ai se microscope eletise, na maua ai'okesi indiuma mayttrium oxide sa pipii mau i le tulaga atomika (tuputupu aʻe heteroepitaxial). I se faatusatusaga, na faamaonia ai i totonu o TFT e leʻi faaleleia lo latou mautu, o le fesootaʻiga i le va o le indium oxide ma le ata puipui sa leai se foliga.