Lolomiina ia Aokuso 9, 2024, i le 15:30 EE Times Iapani
O se vaega su'esu'e mai le Iunivesite o Iapani Hokkaido ua fausia fa'atasi se "oxidant thin-film transistor" fa'atasi ai ma le eletise eletise o le 78cm2/Vs ma le mautu lelei ma le Kochi University of Technology. O le a mafai ona faʻauluina lau o isi augatupulaga 8K OLED TV.
O le pito i luga o le faʻaogaina o le ata tifaga manifinifi e ufiufi i se ata puipui, faʻaleleia atili le mautu
Ia Aokuso 2024, o se vaega suʻesuʻe e aofia ai Polofesa Lagolago Yusaku Kyo ma Polofesa Hiromichi Ota o le Inisetiute Suesuega mo Saienisi Faaeletonika, Iunivesite o Hokkaido, i le galulue faatasi ma Polofesa Mamoru Furuta o le Aoga o Saienisi ma Tekinolosi, Kochi Iunivesite o Tekonolosi, na faasilasila mai ua latou maua. atiina ae se "oxidant thin-film transistor" ma se eletise eletise o 78cm2 / Vs ma sili ona mautu. O le a mafai ona faʻauluina lau o le isi augatupulaga 8K OLED TV.
O lo'o iai nei 4K OLED TV fa'aoga oxide-IGZO manifinifi-film transistors (a-IGZO TFTs) e tuli ai lau. O le eletise eletise o lenei transistor e tusa ma le 5 i le 10 cm2 / Vs. Ae ui i lea, ina ia tulia le lau o le isi augatupulaga 8K OLED TV, o se oxide thin-film transistor ma se eletise eletise o le 70 cm2 / Vs pe sili atu e manaʻomia.
Polofesa Lagolago Mago ma lana 'au na atiina ae se TFT ma se eletise eletise o le 140 cm2 / Vs 2022, faʻaaogaina se ata manifinifi oindium oxide (In2O3)mo le vaega galue. Ae ui i lea, e leʻi faʻaaogaina ona o lona mautu (faʻatuatuaina) sa matua leaga lava ona o le faʻaogaina ma le faʻamaʻi o mole kesi i le ea.
O le taimi lea, na filifili ai le vaega suʻesuʻe e ufiufi le pito i luga o le vaega manifinifi malosi i se ata puipui e puipuia ai le kesi mai le faʻafefe i le ea. O fa'ai'uga fa'ata'ita'iga na fa'aalia ai o TFT ma ata puipui oyttrium oxidemaerbium oxidefa'aalia le mautu maualuga. E le gata i lea, o le eletise eletise e 78 cm2 / Vs, ma e leʻi suia uiga e tusa lava pe faʻaaogaina se voltage o ± 20V mo 1.5 itula, tumau tumau.
I le isi itu, e leʻi faʻaleleia le mautu i TFT na faʻaaogaina le hafnium oxide poʻoalumini oxidee pei o ata puipui. Ina ua matauina le faatulagaga atomika e faaaoga ai se microscope electron, na maua aiindium oxide mayttrium oxide sa fusifusia mau i le tulaga atomika (teteleoepitaxial growth). I se faʻatusatusaga, na faʻamaonia i totonu o TFT e leʻi faʻaleleia lona mautu, o le fesoʻotaʻiga i le va o le indium oxide ma le ata puipui o le amorphous.