1Photovoltaic End ဝယ်လိုအား - Photovoltaic install လုပ်ထားသည့်စွမ်းရည်သည်အလွန်အားကောင်းနေပြီး Polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားသည်တပ်ဆင်ထားသည့်စွမ်းရည်ခန့်မှန်းချက်အပေါ် အခြေခံ. ပြောင်းပြန်ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်
1.1 .1 .1 Polysilicon စားသုံးမှု - ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအဓိကအားဖြင့်စားသုံးမှုပမာဏသည်အဓိကအားဖြင့် Photovoltaic Power Generation အတွက်ဆက်လက်တိုးတက်နေသည်
လွန်ခဲ့သောဆယ်နှစ်ကကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာPolysyiconစားသုံးမှုဆက်လက်မြင့်တက်ခဲ့ပြီးတရုတ်၏အချိုးအစားဆက်လက်တိုးချဲ့ခဲ့ပြီး Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းမှ ဦး ဆောင်သည်။ 2012 မှ 2021 အထိ Global Polysilicon စားသုံးမှုသည်ယေဘုယျအားဖြင့်အထက်သို့လမ်းကြောင်း 23000 မှတန်ချိန် 653000 အထိမြင့်တက်လာခဲ့သည်။ 2018 ခုနှစ်တွင်တရုတ်နိုင်ငံ၏ 531 Photovoltaic Policy ကို Photovoltaic ပေါ်လစီအသစ်ကိုစတင်မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ အသစ်တပ်ဆင်ထားသည့် Photovoltaic စွမ်းရည်သည် 18% တစ်နှစ်ခန့်ကျဆင်းခဲ့ပြီး polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားမှာထိခိုက်ခဲ့သည်။ 2019 ခုနှစ်မှစ. ပြည်နယ်သည် Photovoltaics ၏ဇယားကွက်ကိုမြှင့်တင်ရန်မူဝါဒအတော်များများကိုမိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။ Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းလျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ Polysilicon ၏ဝယ်လိုအားသည်လျင်မြန်စွာကြီးထွားလာသည့်ကာလကို 0 င်ရောက်ခဲ့သည်။ ဤကာလအတွင်းစုစုပေါင်းကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာစားသုံးမှုစုစုပေါင်း၏စုစုပေါင်းတရုတ်၏ Polysilicon စားသုံးမှု၏အချိုးအစားသည် 2012 ခုနှစ်တွင် 61.5% တွင် 61.5% တွင် 93.5% အထိဆက်လက်မြင့်တက်ခဲ့ပြီး 2021 တွင် 93.5% တွင် 93.5% အထိမြင့်တက်ခဲ့သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Polysilicon အမျိုးအစားအမျိုးမျိုး၏ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာစားသုံးမှုပုံစံ၏ရှုထောင့်ရှုထောင့်မှရှုထောင့်၏ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် Photovolliic Cells အတွက်အသုံးပြုသောဆီလီကွန်ပစ္စည်းများသည်အနည်းဆုံး 94% နှင့် 3% တွင် 94% ရှိသည်။ အချိုးသည် 6% သော 6% ဖြစ်သည်။ dual-carbon မူဝါဒပူနွေးလာခြင်းကြောင့် Photovoltaic install လုပ်ထားသည့်စွမ်းရည်များ 0 ယ်လိုအားသည်ပိုမိုအားကောင်းလာလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
1.2 .2 ။ Silicon Wafer: Monocrystall Silicon Wafer သည်ပင်မ၏အဓိကစီးနင်းမှုကိုဆက်လက်လုပ်ကိုင်နေပြီးဆက်တိုက်ကတ်တရာစကီနည်းပညာလျင်မြန်စွာဖြစ်ပေါ်လာသည်
Polysilicon ၏တိုက်ရိုက် link သည် Silicon Wafers ဖြစ်ပြီးတရုတ်သည် Silicon Wafer Market ကိုတရုတ်နိုင်ငံ၏လွှမ်းမိုးမှုကိုလွှမ်းမိုးထားသည်။ 2012 မှ 2021 အထိကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာနှင့်တရုတ်ဆီလီကွန်တို့ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်နှင့်ရလဒ်များဆက်လက်တိုးပွားလာပြီး Photovoltaic လုပ်ငန်းသည်ဆက်လက်တိုးတက်နေသည်။ ဆီလီကွန်ယက်သမားများသည်ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့်ဘက်ထရီများကိုဆက်သွယ်သောတံတားတစ်စင်းအဖြစ် 0 င်ရောက်ပြီးထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်နှင့် 0 န်ဆောင်မှုပေးခြင်းမရှိပါ။ 2021 တွင်တရုတ်ဆီလီကွန်ယက် 0 င်ထုတ်လုပ်သူများသည်သိသိသာသာတိုးချဲ့ခဲ့သည်ထုတ်ဖေါ်ခြင်း213.5GW output ကို 215.4GW အထိတိုးမြှင့်ပေးရန်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာဆီလီကွန်ကထုတ်လုပ်မှုကိုအရှိန်မြှင့်တင်ရန်။ လက်ရှိနှင့်အသစ်ရောက်ရှိလာသောထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များအရလာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်းနှစ်စဉ်တိုးတက်မှုနှုန်းသည် 15-25% ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
polycrystalline ဆီလီကွန်ကို polycrystalline ဆီလီကွန် Ingots (သို့) Monocrystall Silicon ချောင်းများကိုပြုလုပ်နိုင်သည်။ Polycrystalline ဆီလီကွန် Ingots ၏ထုတ်လုပ်မှုဖြစ်စဉ်သည်အဓိကအားဖြင့် Casting Method နှင့်တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သောနည်းလမ်းပါဝင်သည်။ လက်ရှိအချိန်တွင်ဒုတိယအမျိုးအစားမှာအဓိကနည်းလမ်းဖြစ်ပြီးဆုံးရှုံးမှုနှုန်းကိုအခြေခံအားဖြင့် 5% ခန့်တွင်ထိန်းသိမ်းထားသည်။ Casting Method သည်အဓိကအားဖြင့်ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကိုနှစ်ဖက်စလုံးတွင်အရည်ပျော်စေရန်ဖြစ်သည်။ အအေးနှုန်းကိုထိန်းချုပ်ခြင်းအားဖြင့် polycrystalline ဆီလီကွန် Ingot သည် directional soldification နည်းပညာဖြင့်ပစ်ချသည်။ တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်စေသောနည်းစနစ်၏ပူပြင်းသည့်အရည်ပျော်သောဖြစ်စဉ်သည် polysilicon ကိုပထမ ဦး ဆုံးအနေဖြင့်တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်နေသောပထမ ဦး ဆုံးတွင်တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်စေသောသွန်းခြင်းနည်းလမ်းနှင့်အတူတူပင်ဖြစ်သည်, နည်းလမ်းနှစ်မျိုးသည်အလွန်ဆင်တူသော်လည်းတိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သောနည်းစနစ်သည်အစွန်အဖျားတစ်ခုသာရှိပြီးပိုမိုကောင်းမွန်သောသွေးဆောင်မှု၏ကြီးထွားမှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်သော orientation နှင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။ လက်ရှိအချိန်တွင်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းများထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် ဦး ဆောင်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများသည်ယေဘုယျအားဖြင့် polycrystalline ဆီလီကွန် Ingots ပြုလုပ်ရန်တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သောနည်းလမ်းကို အသုံးပြု. 10ppma နှင့် 16ppma အောက်တွင်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ အနာဂတ်တွင် Polycrystalline ဆီလီကွန်ပေါင်းစပ်မှုများကိုထုတ်လုပ်ခြင်းကိုတိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သောနည်းဖြင့်လွှမ်းမိုးနေ ဦး မည်ဖြစ်ပြီးငါးနှစ်အတွင်းဆုံးရှုံးမှုနှုန်းသည် 5% ဝန်းကျင်ရှိ ဦး မည်ဖြစ်သည်။
Monocrystalline ဆီလီကွန်ချုံများကိုထုတ်လုပ်ခြင်းသည်အဓိကအားဖြင့် czochralski method ကို အခြေခံ. ဒေါင်လိုက်ဆိုင်းငံ့ခြင်းဇုန်အရည်ပျော်စေခြင်းဖြင့်ထုတ်လုပ်သည့်ထုတ်ကုန်များနှင့်နှစ်ခုမှထုတ်လုပ်သောထုတ်ကုန်များသည်မတူညီသောအသုံးပြုမှုများရှိသည်။ czochralski နည်းလမ်းသည် polycrystalline silicon ကို polycrystalline ဆီလီကွန်တွင်အရည်ပျော်စေရန် Polycrystalline Silicon ရှိ Polycrystalline silicros ရှိ polycrystalline silicrous တွင် polycrystalline silicrous တွင် crystal ကို purity quarts silicros တွင်အသုံးပြုသည်။ မျိုးစေ့ကျောက်သလင်းသည်ဖြည်းဖြည်းချင်းမြင့်တက်လာပြီး Monocrystall Silicon ကိုမျိုးစေ့, amplification, ပခုံးလှည့်ခြင်း, တန်းတူအချင်းကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များမှတစ်ဆင့်ရရှိသည်။ ဒေါင်လိုက် floating flokating zood melting mething သည်မီးဖိုချောင်ခန်းတွင် columnar high-polycrystalline ပစ္စည်းများကိုပြင်ဆင်ခြင်းနှင့်သတ္တုအနေဖြင့် polycrystalline million coil ၏အတွင်းပိုင်းတွင်ပါ 0 င်ရန်သတ္တုကွိုင်၏အစိတ်အပိုင်းများကိုဖြတ်သန်းသွားလာရန်နှင့် columnar polycrystalline ကိုဖြတ်သန်းသွားလာရန်နှင့် columnar ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းကိုဖြတ်သန်းခြင်းကိုပြုလုပ်သည် ရွေ့လျားနေတဲ့အတွက်အရည်ပျော်မှုတွေကသာကြည်လင်တဲ့ Crystal ကိုဖွဲ့စည်းရန်ပြန်လည်ကောင်းမွန်လာတယ်။ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကြောင့်ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာများ, ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့်ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကွဲပြားခြားနားမှုများရှိသည်။ လက်ရှိအချိန်တွင်ဇုန်အရည်ပျော်သောနည်းစနစ်များမှရရှိသောထုတ်ကုန်များသည်သန့်စင်ခြင်းနှင့် Semiconductor ထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက်အသုံးပြုနိုင်သည်။ Photovoltaic ဆဲလ်များအတွက် Singy Crystal Silicon ထုတ်လုပ်ရန်အတွက်အခြေအနေများနှင့်ပြည့်နှက်နေသောကြောင့်၎င်းသည်အဓိကနည်းစနစ်ဖြစ်သည်။ 2021 တွင်ဖြောင့်သော pull method ၏စျေးကွက်ဝေစုသည် 85% ခန့်ရှိပြီးလာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်းအနည်းငယ်တိုးမြှင့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ 2025 နှင့် 2030 တွင်စျေးကွက်ရှယ်ယာများသည် 87% နှင့် 90% အသီးသီးရှိသည်ဟုခန့်မှန်းရသည်။ ခရိုင်များနှင့်စပ်လျဉ်း။ Singstal Silicon Singstal Silicon Singstal Silicon ၏စက်မှုလုပ်ငန်းအာရုံစူးစိုက်မှုသည်ကမ္ဘာပေါ်တွင်အလွန်မြင့်မားသည်။ ဝယ်ယူမှု), Topsil (ဒိန်းမတ်) ။ အနာဂတ်တွင်, သမင်ဒရယ်သဟောပင်များ၏ output စကေးသိသိသာသာသိသိသာသာတိုးမြှင့်မည်မဟုတ်။ အကြောင်းပြချက်မှာတရုတ်၏သက်ဆိုင်ရာနည်းပညာများသည်ဂျပန်နှင့်ဂျာမနီနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်အလွန်အမင်းနောက်ပြန်လှည့်နေခြင်းဖြစ်သည်။ အချင်းအချင်း silicon syficon ကြည်လင်၏နည်းပညာသည်တရုတ်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများကိုဆက်လက်လေ့လာရန်တရုတ်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းများကိုဆက်လက်လေ့လာရန်လိုအပ်သည်။
CZONCHANSKI Method ကိုစဉ်ဆက်မပြတ် crystal ဆွဲခြင်းနည်းပညာ (CCZ) နှင့်ထပ်ခါတလဲလဲကြည်လင်သောဆွဲခြင်းနည်းပညာ (RCZ) အဖြစ်သို့ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ လက်ရှိအချိန်တွင်စက်မှုလုပ်ငန်းရှိအဓိကနည်းလမ်းမှာ RCZ ဖြစ်ပြီး RCZ မှ CCZ သို့အသွင်ကူးပြောင်းမှုအဆင့်တွင်ရှိသည်။ တစ် ဦး သည်တစ် ဦး နှင့်တစ် ဦး မလုံလောက်ပါ။ ဆွဲခြင်းမပြုမီ Crystal INGOT ကို GATE CHATOT တွင်အအေးနှင့်ဖယ်ရှားပစ်ရမည်။ RCZ သည်အတော်အတန်ရင့်ကျက်ပြီးအနာဂတ်တွင်နည်းပညာတိုးတက်မှုအတွက်နေရာအနည်းငယ်သာရှိသည်။ CCZ သည်ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချရေးနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှု၏အားသာချက်များရှိနေစဉ်လျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်တွင်ရှိသည်။ ကုန်ကျစရိတ်အရ RCZ နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် RCZ နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် CCZ သည်ထုတ်လုပ်ခြင်းကိုထိရောက်စွာထုတ်လုပ်နိုင်ပြီးဤအဆင့်ကိုဖယ်ရှားခြင်းအားဖြင့်စီးပွားဖြစ်ကုန်ကျစရိတ်နှင့်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ စုစုပေါင်းနှာခေါင်း output သည် RCZ ထက် 20% ကျော်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် RCZ ထက် 10% ထက်ပိုသည်။ ထိရောက်မှုအရ CCZ သည် CCRIS (250 နာရီ) ၏ဘဝသံသစ် (250 နာရီ) အတွင်းရှိကျောက်စိမ်းဆီလီကွန်ချုံများအတွင်းရှိ Systal Silicon Rods ၏ပုံဆွဲခြင်းနှင့် RCZ သည် 4-150% ဖြင့်သာတိုးမြှင့်နိုင်သည်။ အရည်အသွေးအရ CCZ တွင်ယူနီဖောင်းစိတ်ဓာတ်ကျခြင်း, အောက်စီဂျင်ဓာတ်နည်းခြင်း, သတ္တုအညစ်အကြေးများစုဆောင်းခြင်းကိုနှေးကွေးစေသဖြင့် N-type Singy Crystal Silicon Wafers များကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက်ပိုမိုသင့်တော်သည်။ လက်ရှိတွင်တရုတ်ကုမ္ပဏီများအနေဖြင့်၎င်းတို့တွင် CCZ နည်းပညာများရှိပြီး Granary Silicon-CCZ-N-n-type mon type monics silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silicon silics ၏လမ်းကြောင်းသည် CCZ နည်းပညာရှိသည်ဟုကြေငြာခဲ့သည်။ ။ အနာဂတ်တွင် CCZ သည်အခြေခံအားဖြင့် RCZ ကိုအစားထိုးမည်ဖြစ်သော်လည်း၎င်းသည်အချို့သောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုကိုယူလိမ့်မည်။
Monocrystalline Silicon Wafers ၏ထုတ်လုပ်မှုဖြစ်စဉ်ကိုအဆင့်လေးဆင့်ခွဲထားသည် - ဆွဲခြင်း, သုတ်ခြင်း, သုတ်ခြင်း, Diamond ဝါယာကြိုး - slicing နည်းလမ်းပေါ်ပေါက်လာခြင်းသည်အချည်းနှီးသောဆုံးရှုံးမှုနှုန်းကိုအလွန်လျှော့ချခဲ့သည်။ ကြည်လင်သောဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအထက်တွင်ဖော်ပြထားသည်။ အဆိုပါ slicing ဖြစ်စဉ်ကို turaring, နှစ်ထပ်ခင်းနှင့် chamfering စစ်ဆင်ရေးပါဝင်သည်။ Slicing ဆိုသည်မှာ columnar silicon ကိုဆီလီကွန်ယက်များသို့ဖြတ်တောက်ရန်အချပ်စက်တစ်လုံးကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းရေးနှင့်ခွဲခြင်းသည်ဆီလီကွန်ယက်များထုတ်လုပ်မှုအတွက်နောက်ဆုံးအဆင့်များဖြစ်သည်။ Diamond ဝါယာကြိုးချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်ချပ်အရမော်တာမော်တာဝါယာကြိုးချပ်ချပ်ဖြင့်သိသာထင်ရှားသည့်အားသာချက်များရှိသည်။ စိန်ဝါယာကြိုးအမြန်နှုန်းသည်ရိုးရာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ငါးကြိမ်ဖြစ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်, တစ်ကိုယ်ရေသမားဖြတ်တောက်ခြင်းအတွက်ရိုးရာမော်တာဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းသည် 10 နာရီခန့်ကြာပြီးစိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းသည် 2 နာရီခန့်သာကြာသည်။ စိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းဆုံးရှုံးမှုသည်အတော်အတန်သေးငယ်ပြီးစိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းကြောင့်ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုအလွှာသည်မော်တာဝါယာကြိုးဖြတ်တောက်ခြင်းထက်သေးငယ်သည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းဆုံးရှုံးမှုဆုံးရှုံးမှုနှင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကိုလျှော့ချရန်ကုမ္ပဏီများသည်စိန်ဝါယာကြိုးကြိုးချပ်ချပ်ချပ်ပြားများနှင့်စိန်ဝါယာကြိုးဘတ်စ်ကားအရက်ဆိုင်များသည်နိမ့်ကျလာသည်။ 2021 တွင်စိန်ဝါယာကြိုး Busbar ၏အချင်းသည် 43-56 μmနှင့် Monocrystall Silicon တို့အတွက်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာကြိုး busbar ၏အချင်းသည်အလွန်အမင်းကျဆင်းသွားပြီးဆက်လက်ကျဆင်းသွားလိမ့်မည်။ 2025 နှင့် 2030 တွင် Monocrystalline Silicon Wafars များကိုဖြတ်တောက်ရန်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာကြိုးများ၏အညွန့်များသည် 36 μmနှင့် 33 μmနှင့် 33 μm, Polycrystalline Silicon Wafars တို့အသယ်မှာ 51 μmနှင့် 51 μmတို့ပါ 0 င်မည်ဖြစ်ကြောင်းခန့်မှန်းရသည်။ ဘာကြောင့်လဲဆိုတော့ Polycrystalline ဆီလီကွန်ကယုန်တွေမှာချို့ယွင်းချက်တွေနဲ့အညစ်အကြေးတွေအများကြီးရှိတယ်, ထို့ကြောင့် polycrystalline silicon wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းအတွက်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာဆင်သည် Silicon Silicon Wafers ၏စျေးကွက်များထက်ပိုမိုကြီးမားပြီး polycrystalline silicon wafers ၏စျေးကွက်ဝေဖန်မှုများသည်တဖြည်းဖြည်းလျော့နည်းသွားသည်။
လက်ရှိတွင် Silicon Wafers များကိုအဓိကအားဖြင့်အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားထားသည်။ Polycrystall Silicon Wafers နှင့် Monocrystall Silicon Silicon တို့ဖြစ်သည်။ MonoCrystalline Silicon Wafers များသည်သက်တမ်းရှည် 0 န်ဆောင်မှုပေးခြင်းနှင့်ဓာတ်ပုံကောင်းကောင်းပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုရှိသည်။ Polycrystalline ဆီလီကွန်ကို Silicon Wafers များသည် Crystal လေယာဉ်လမ်းကြောင်းနှင့်အတူ Crystal Plane orients နှင့်အတူဖွဲ့စည်းထားပြီး, တစ်ကိုယ်ရေ Silicon Wafers များကို Polycrystall Silicon ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး Crystal Plane orientation ကိုအတူတူပြုလုပ်ထားသည်။ အသွင်အပြင်တွင် polycrystalline silicon wafers နှင့် Single Crystal Silicon Wafers များသည် Blue-Black နှင့် Black-Browners ဖြစ်သည်။ နှစ်ခုသည် polycrystalline ဆီလီကွန်ကိုဆီလီကွန် Ingots နှင့် Monocrystall Silicon Rods မှဖြတ်တောက်ခြင်းမှ အသီးသီးရှိ. ပုံစံများသည်စတုရန်းနှင့် quasi-square ဖြစ်သည်။ Polycrystalline Silicon Wafers နှင့် Monocrystall Silicon Wafers ၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည်အနှစ် 20 ခန့်ဖြစ်သည်။ ထုပ်ပိုးမှုနည်းလမ်းနှင့်အသုံးပြုမှုပတ်ဝန်းကျင်သည်သင့်လျော်ပါက 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် 25 နှစ်ကျော်ကြာနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် Monocrystalline Silicon Wafers ၏သက်တမ်းသည် polycrystall silicon wafers ၏ထက်ပိုကြာသည်။ ထို့အပြင် Monocrystalline Silicon Wafers များသည် photoelectric ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုတွင်အနည်းငယ်ပိုမိုကောင်းမွန်ပြီးသူတို့၏ dislocystocation သိပ်သည်းဆနှင့်သတ္တုအညစ်အကြေးများသည် polycrystall silicon silicon wafers ၏ထက်သေးငယ်သည်။ အချက်အမျိုးမျိုး၏ပေါင်းစပ်အကျိုးသက်ရောက်မှုသည်လူနည်းစုလေယာဉ်တင်သင်္ဘောတစ် 0 န်း၏တစ်ကိုယ်ရေဘဝ၏တစ်သက်တာတည်းခိုခန်းများကို polycrystall silicon silicon wafers ၏ထက်များစွာပိုမိုမြင့်မားစေသည်။ ဤနည်းအားဖြင့်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှု၏အားသာချက်ဖေါ်ပြခြင်း။ 2021 ခုနှစ်တွင် Polycrystalline Silicon Wafers ၏အမြင့်ဆုံးပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 21% ခန့်ရှိပြီး Monocrystall Silicon Wafers ၏ 24.2% အထိရောက်ရှိလိမ့်မည်။
ရှည်လျားသောဘ 0 နှင့်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုများအပြင် Monocrystall Silicon Wafers တွင်ဆီလီကွန်စားသုံးမှုနှင့်ဆီလီကွန်ကွတ်စရိတ်များကိုလျှော့ချရန်အထောက်အကူပြုသည့်ပါးလွှာမှုကိုလည်းအကျိုးရှိသော်လည်းအကာအကွယ်နှုန်းတိုးမြှင့်မှုကိုအာရုံစိုက်သည်။ ဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏ပါးလွှာသည်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်ကူညီသည်။ လက်ရှိအသားအရေသည်ပါးလွှာ၏လိုအပ်ချက်များနှင့်အပြည့်အဝတွေ့နိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ကျွန်ုပ်တို့သည်ဆီလီကွန်ယက်သမားများအထူသည်မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းကျဆင်းနေသည်။ Polycrystalline Silicon Wafers များသည် Monocrystall Silicon Silicon Wafers ၏အထူသည်သိသိသာသာပိုမိုကြီးမားသည်။ Monocrystalline Silicon Wafers နှင့် P-type silicon wafers များနှင့် P-type silicon wafers များနှင့် P-type silicon wafers များမှာ N-type Silicon Wafers တို့တွင် topcon ဘက်ထရီအသုံးပြုမှုနှင့် HJT ဘက်ထရီအသုံးပြုမှုများပါဝင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Polycrystalline Silicon Wafers ၏ပျမ်းမျှအထူသည်178μmဖြစ်ပြီးအနာဂတ်တွင် 0 ယ်လိုအားမရှိခြင်းကသူတို့ကို ဆက်လက်. ဆက်လက်မောင်းနှင်ရန်မောင်းလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့်အထူ 2022 မှ 2024 အထိအနည်းငယ်လျော့နည်းသွားလိမ့်မည်ဟုခန့်မှန်းရသည်။ 2025 နောက်ပိုင်းတွင်170mμmတွင်အထူရှိလိမ့်မည်။ P-type monocrystall silicon wafers ၏ပျမ်းမျှအထူ170μmနှင့် 2030 တွင်155μmနှင့်140μmတို့တွင် HJCT ဆဲလ်များအတွက်အသုံးပြုသော silicon silicon wafers ၏ပျမ်းမျှအထူသည် Topcon Cells အတွက်အသုံးပြုသည် 165μm။ 135μm။
ထို့အပြင် polycrystalline silicon wafers ထုတ်လုပ်မှုသည် monocrystalline silicon wafers များထက်ဆီလီကွန်ပိုမိုဆီလီကွန်ကိုစားသုံးသည်။ Polycrystalline Silicon Silicon Wafers နှင့် Monocrystall Silicon Silicon တို့အတွက်ဘုံကုန်ကြမ်းများအနေဖြင့် Polycrystalline Silicon သည်နှစ် ဦး ၏သန့်ရှင်းမှုနှင့်ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များကွဲပြားခြားနားမှုများကြောင့်ကွဲပြားခြားနားသောစားသုံးမှုကွဲပြားမှုရှိသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Polycrystalline Ingot ၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် 1.10 ကီလိုဂရမ် / ကီလိုဂရမ်ဖြစ်သည်။ သုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတို့တွင်ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုအကန့်အသတ်ရှိသောရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုသည်အနာဂတ်တွင်အပြောင်းအလဲများနည်းစေလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ ဆွဲကြိုး၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် 1.066 ကီလိုဂရမ် / ကီလိုဂရမ်ဖြစ်ပြီးအကောင်းမြင်ရန်နေရာတစ်ခုရှိသည်။ 2025 နှင့် 2030 တွင် 1.05 ကီလိုဂရမ် / ကီလိုဂရမ်နှင့် 1.043 ကီလိုဂရမ်ကီလိုဂရမ်, Crystal Praining Prolling Prolling ဖြစ်စဉ်တွင်သန့်ရှင်းရေးနှင့်ကြိတ်ခွဲခြင်းကိုတင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ခြင်း, Polycrystalline Silicon Wafers ၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည်အလွန်မြင့်မားသော်လည်း Polycrystall Silicon Silicon Ingot များထုတ်လုပ်ခြင်းကို Polycrystalline Silicon Silicon Interots သည်အလွန်မြင့်မားသောစွမ်းအားကိုလောင်ကျွမ်းစေသော MonocrySki Silicon Ingot များ၌နှေးကွေးသောကြောင့် polycrystalline silicon silicon ingots ကိုထုတ်လုပ်သည်။ အနိမ့်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Monocrystall Silicon Wafers ၏ပျမ်းမျှထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်မှာ 0.673 ယွမ် / W အတွက် 0.673 ယွမ်ဆီသို့ 0.66 ယွမ် / W ဖြစ်လိမ့်မည်။
Silicon Wire ၏အထူနှင့်စိန်ဝါယာကြိုး၏အချင်းများကျဆင်းလာသည်နှင့်တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင်တူညီသောအချင်းတန်းတူအချင်းနှင့်တန်းတူအချင်း၌ရှိသောပေါင်းစပ်မှုနှင့်ကီလိုဂရမ်တစ်ကီလိုဂရမ်၏ 0 င်ငွေ၏အတိုးများတိုးလာလိမ့်မည်။ အာဏာအရဆိုလျှင်ဆီလီကွန်ကွတ်သမားတစ် ဦး စီ၏အသုံးပြုသောစွမ်းအားသည်အမျိုးအစားနှင့်အရွယ်အစားအရကွဲပြားခြားနားသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် P-type 166mm အရွယ်အစား Monocrystalline Square Square Bars သည် 64 ခုနှင့်တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 64 ခုခန့်ရှိပြီး Polycrystalline Square Ingots သည်အပိုင်း 59 ခုဖြစ်သည်။ P-type crystal silicon wafers များထဲမှ 158.75 မီလီမီတာရှိသော Monocrystalline Square Square ၏ထုတ်လုပ်မှုသည်တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 70 ခန့်ပါ 0 င်သည်။ စတုရန်းဘား၏ output သည်အပိုင်း 40 ခန့်ရှိသည်။ 2022 မှ 2030 အထိဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏စဉ်ဆက်မပြတ်ပါးနပ်မှုသည်အသံအတိုးအကျယ်၏ဆီလီကွန်ချောင်းများ / ingots များတိုးပွားလာခြင်းအားတိုးပွားစေမည်မှာသေချာသည်။ စိန်ဝါယာကြိုး Busbar နှင့်အလတ်စားအမှုန်အရွယ်အစားသေးငယ်သည့်အချင်းသည်အစတွင်လည်းဆုံးရှုံးမှုဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချရန်ကူညီလိမ့်မည်။ အရေအတွက်။ 2025 နှင့် 2030 တွင် P-type 166MM အရွယ်အစား Monocrystalline Square Square ၏ထုတ်လုပ်မှုသည် 71 နှင့် 78 ခုခန့်ရှိပြီး Polycrystalline Square Silicon Silicon Silicon Wafers ၏ရလဒ်မှာ 62 ခုနှင့် 62 အပိုင်းအစများဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်သိသိသာသာနည်းပညာတိုးတက်မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ silicon wafers ၏မတူညီသောအမျိုးအစားများနှင့်အရွယ်အစားအမျိုးမျိုး၏စွမ်းအင်ကွဲပြားခြားနားမှုများရှိသည်။ 158.75mm Silicon Wafers ၏ပျမ်းမျှစွမ်းအားအတွက်ဖော်ပြချက်အချက်အလက်များအရ 166 မီလီမီတာအရွယ်ရှိ Silicon Wafers ၏ပျမ်းမျှစွမ်းအားမှာ 6.25W / PITHERS ၏ပျမ်းမျှစွမ်းအားမှာ 6.25W / PITHERS မှာပျမ်းမျှစွမ်းအားမှာ 6.25W / အပိုင်းအစဖြစ်သည်။ Silicon Wafer သည် 7.49W / PITHER ၏ပျမ်းမျှစွမ်းအားမှာ 7.49W / PITHER ၏ပျမ်းမျှစွမ်းအားမှာ 10w / Piece ဖြစ်သည်။
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း Silicon Wafers များသည်ကြီးမားသောအရွယ်အစားကိုတဖြည်းဖြည်းဖွံ့ဖြိုးလာခဲ့ပြီးကြီးမားသောဆဲလ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်မဟုတ်သော chip ၏စွမ်းအင်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာတိုးပွားစေရန်ကြီးမားသောအရွယ်အစားကြီးမားသည်။ သို့သော်ဆီလီကွန်တို့၏အရွယ်အစားညှိနှိုင်းမှုသည်အထက်ပိုင်းနှင့်မြစ်အောက်ပိုင်းကိုက်ညီမှုနှင့်စံသတ်မှတ်ခြင်းဆိုင်ရာပြ issues နာများ, လက်ရှိတွင် Silicon Wafer အရွယ်အစား၏အနာဂတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းနှင့် ပတ်သက်. စျေးကွက်တွင်စခန်းနှစ်ခုရှိသည်။ 182 မီလီမီတာအဆိုပြုချက်သည်အဓိကအားဖြင့်ဒေါင်လိုက်စက်မှုလုပ်ငန်းပေါင်းစည်းမှု၏ရှုထောင့်မှကြည့်ရှုခြင်း, 210 မီလီမီတာသည်အဓိကအားဖြင့်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့်စနစ်ကုန်ကျစရိတ်၏ရှုထောင့်မှကြည့်ရှုနေစဉ်။ 210 မီလီမီတာဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏ထွက်ရှိမှု၏ output သည် singletace လှံတံဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် 15% ကျော်မြင့်တက်လာပြီးမြစ်အောက်ဘက်ထရေထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို 0.02 ယွမ် / W အကြောင်းလျှော့ချနိုင်ခဲ့ပြီးစုစုပေါင်းဓာတ်အားပေးစက်ရုံတည်ဆောက်မှုစုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချခဲ့သည်။ လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်တွင် 166mm အောက်ရှိအရွယ်အစားရှိသောဆီလီကွန်ယက်များကတဖြည်းဖြည်းဖယ်ရှားပစ်လိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ 210 မီလီမီတာဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏အထက်ပိုင်းနှင့်မြစ်အောက်ပိုင်းရှိပြ problems နာများသည်တဖြည်းဖြည်းထိရောက်စွာဖြေရှင်းနိုင်လိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် 210 မီလီမီတာဆီလီကွန်ယက်များစျေးကွက်ဝေစုသည်တိုးပွားလာလိမ့်မည်။ တည်ငြိမ်မြင့်တက်; 182mm Silicon Wafer သည်၎င်း၏ဒေါင်လိုက်ပေါင်းစည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက်၎င်း၏အားသာချက်များကိုအားသာချက်များဖြင့်စျေးကွက်တွင်အဓိကအရွယ်အစားဖြစ်လာလိမ့်မည်။ ထို့အပြင်လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်းပိုမိုကြီးမားသော silicon wafers များကိုစျေးကွက်တွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုရန်ခက်ခဲသည်။ ။ 2021 ခုနှစ်တွင်စျေးကွက်တွင်ဆီလီကွန်သည် 158.75 မီလီမီတာ, 158.75 မီလီမီတာ, 166 မီလီမီတာ, 182 မီလီမီတာ, 166mm သည်လွန်ခဲ့သော 2 နှစ်အတွင်းအကြီးဆုံးအရွယ်ရှိသည့်ဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအတွက်အဆင့်မြှင့်တင်နိုင်သည့်အကြီးဆုံးဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။ အသွင်ကူးပြောင်းမှုအရွယ်အစားအရ 2030 တွင်စျေးကွက်ဝေစုသည် 2% အောက်သာရှိသည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် 182 မီလီမီတာနှင့် 210 မီလီမီတာတွင် 45 မီလီမီတာနှင့် 210 မီလီမီတာသည် 45% ရှိပြီးစျေးကွက်ဝေစုသည်အနာဂတ်တွင်စျေးကွက်ဝေစုသည်လျင်မြန်စွာတိုးပွားလာလိမ့်မည်။ 2030 တွင်စုစုပေါင်းစျေးကွက်ဝေစုသည် 98% ကျော်လွန်လိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း Monocrystall Silicon ၏စျေးကွက်ဝေစုသည်ဆက်လက်မြင့်တက်လာခဲ့ပြီးစျေးကွက်တွင်အဓိကရာထူးနေရာကိုသိမ်းပိုက်ခဲ့သည်။ 2012 မှ 2021 အထိ Monocrystall Silicon ၏အချိုးသည် 20% အောက်မှ 93.3% အထိမြင့်တက်ခဲ့ပြီးသိသိသာသာတိုးတက်လာသည်။ 2018 ခုနှစ်တွင်ဈေးကွက်တွင်ဆီလီကွန်တို့သည်အဓိကအားဖြင့် polycrystall silicon wafers များဖြစ်ပြီး 50% ကျော်စာရင်းပြုစုသည်။ အဓိကအကြောင်းရင်းမှာ Monocrystall Silicon Wafers ၏နည်းပညာဆိုင်ရာအကျိုးကျေးဇူးများသည်ကုန်ကျစရိတ်အားနည်းချက်များကိုမဖော်ပြနိုင်ခြင်းဖြစ်သည်။ Monocrystall Silicon Silicon Wafers ၏ Photolestalline Silicon Wafers ၏ Photolestall Silicon Wafers ၏ Photolestall Silicon Wafers ၏ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကိုသိသိသာသာကျဆင်းသွားသည်။ ထုတ်ကုန်။ 2025 ခုနှစ်တွင် Monocrystalline Silicon Wafers ၏အချိုးအစားသည် 96% အထိရောက်ရှိလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ (အစီရင်ခံစာအရင်းအမြစ်: အနာဂတ်စဉ်းစားတွေးခေါ်အကြံပေးအဖွဲ့)
1.3 .3 ။ ဘက်ထရီများ - Perc ဘက်ထရီများသည်စျေးကွက်ကိုလွှမ်းမိုးထားပြီး N-type battery များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးသည်ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကိုတွန်းအားပေးသည်
Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏မြစ်ကမ်းစွန်းချိတ်ဆက်ခြင်းတွင် photovoltaic ဆဲလ်များနှင့် Photovoltaic ဆဲလ် module များပါဝင်သည်။ ဆီလီကွန်ယက်များကိုဆဲလ်များထဲသို့သွေးဆောင်ခြင်းက PhotoeenChric ပြောင်းလဲခြင်းကိုနားလည်သဘောပေါက်ခြင်းတွင်အရေးကြီးဆုံးခြေလှမ်းဖြစ်သည်။ Silicon Wafer မှသမားရိုးကျဆဲလ်တစ်ခုကိုလုပ်ဆောင်ရန်အဆင့်ခုနစ်ဆင့်ခန့်ရှိသည်။ ပထမ ဦး စွာ silicon wafer ကို hydrofluoric acid ကို hydrofluoric acid ထဲသို့ထည့်သွင်းရန် PYRAMIS ကဲ့သို့သော SUENELE ဖွဲ့စည်းပုံကို၎င်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ထုတ်လုပ်ရန်နှင့်ရောင်ပြန်ဟပ်ခြင်းနှင့်အလင်းစုပ်ယူမှုကိုလျှော့ချခြင်း, ဒုတိယအချက်မှာ Phosphorus ကို Silicon Wafer ၏တစ်ဖက်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ PN လမ်းဆုံတစ်ခုဖြစ်ပြီးအရည်အသွေးသည်ဆဲလ်၏ထိရောက်မှုကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ တတိယအချက်မှာဆဲလ်၏တိုတောင်းသောဆားကစ်ကိုတားဆီးရန်ပျံ့နှံ့နေသောပွက်ပွက်ဆူညံဂုံစ်၏ဘေးထွက်ရှိ PN Junction ကိုဖယ်ရှားရန်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်နိုက်ထူနာရုပ်ရှင်အလွှာတစ်ခုသည်အလင်းရောင်ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကိုလျှော့ချရန်နှင့်တစ်ချိန်တည်းတွင်ထိရောက်မှုကိုလျှော့ချရန်ဖွဲ့စည်းသည်။ ပဉ္စမနေရာသည် Photovoltaics မှထုတ်လုပ်သောလူနည်းစုသယ်ဆောင်သူများကိုစုဆောင်းရန်ဆီလီကွန် Wafer ၏ရှေ့နှင့်နောက်ဖက်ရှိသတ္တုလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကိုပုံနှိပ်ခြင်း, ပုံနှိပ်စင်သုပ်တွင်ပုံနှိပ်ထားသောတိုက်နယ်သည် Sinked နှင့်ဖွဲ့စည်းထားပြီး၎င်းသည်ဆဲလ်, နောက်ဆုံးတွင်မတူညီသောထိရောက်မှုရှိသောဆဲလ်များကိုခွဲခြားထားသည်။
Crystalline ဆီလီကွန်ဆဲလ်များကိုပုံမှန်အားဖြင့် silicon wafers များဖြင့်ပြုလုပ်လေ့ရှိပြီး silicon wafers အမျိုးအစားအရ p-type cells နှင့် n-type cells များခွဲခြားနိုင်သည်။ ၎င်းတို့အနက် N-Type Cells များသည်ပိုမိုမြင့်မားသောပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုရှိသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း p-type cells များကိုတဖြည်းဖြည်းအစားထိုးနေကြသည်။ P-type silicon wafers များကို Boron နှင့်အတူဆီလီကွန်ကို doping လုပ်ပြီး N-type silicon wafers များကို phosphorus ဖြင့်ပြုလုပ်သည်။ ထို့ကြောင့် N-type Silicon Wafer တွင် Boron Element ၏အာရုံစူးစိုက်မှုသည်နိမ့်ကျပြီး Boron-Oxygen Compacking ၏နှောင်ကြိုးကိုနှောင်ကြိုးသည်ဆီလီကွန်ပစ္စည်း၏သက်တမ်းကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ခြင်း, ထို့အပြင် N-P-type လူနည်းစုသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးများသည်တွင်းအမျိုးအစားများဖြစ်ပြီး P-အမျိုးအစားလူနည်းစုသယ်ဆောင်သူများသည်အီလက်ထရွန်များဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် N-type Cell ၏လူနည်းစုလေယာဉ်တင်သင်္ဘောသည်ပိုမိုမြင့်မားပြီး Photoelect ရေးကူးပြောင်းခြင်းနှုန်းသည်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ဓာတ်ခွဲခန်းအချက်အလက်များအရ P-type cells ၏ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှု၏အထက်ပိုင်းသည် 24.5% ရှိပြီး N-type cells ၏ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 28.7% အထိရှိသည်။ 2021 တွင် N-type Cells (HeteroYoYourics Haction Cells နှင့် topcon ဆဲလ်များအပါအ 0 င်) သည်ကုန်ကျစရိတ်များစွာရှိပြီးအစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုပမာဏသည်သေးငယ်နေဆဲဖြစ်သည်။ လက်ရှိစျေးကွက်ဝေစုသည် 3% ခန့်ရှိပြီး 2020 တွင်အခြေခံအားဖြင့်တူညီသည်။
2021 တွင် N-type cell များ၏ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုကိုသိသိသာသာတိုးတက်လာလိမ့်မည်ဖြစ်ပြီးလာမည့်ငါးနှစ်အတွင်းနည်းပညာတိုးတက်မှုအတွက်နေရာများစွာရှိလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် P-type monocrystalline ဆဲလ်များ၏အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုသည် Perc နည်းပညာကိုအသုံးပြုလိမ့်မည်။ Perc နည်းပညာကို အသုံးပြု. Polycrystalline Silicon Cells ၏ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 2020 နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် 21.0% သို့ရောက်ရှိလာမည်။ 0.2 ရာခိုင်နှုန်းမှတ်များထက်နှစ်စဉ်တိုးခြင်း, သမားရိုးကျ polycrystalline အနက်ရောင်ဆီလီကွန်ဆဲလ်စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှုသည်မခိုင်မာပါ။ 2021 ခုနှစ်တွင်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 19.5% နှင့်အနာဂတ်စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှုနေရာများသာရှိသည်။ Ining Monocrystalline Perc ဆဲလ်များ၏ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုမှာ 22.4% ဖြစ်ပြီး Monocrystalline Perc ဆဲလ်များထက် 0.7 ရာခိုင်နှုန်းမှတ်ဖြစ်သည်။ N-type topcon ဆဲလ်များ၏ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 24% သို့ရောက်ရှိပြီး, အနာဂတ်တွင်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ TBC နှင့် HBC ကဲ့သို့သောဘက်ထရီနည်းပညာများသည်လည်းတိုးတက်မှုကိုဆက်လက်တိုးတက်နေနိုင်သည်။ အနာဂတ်တွင်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များနှင့်အထွက်နှုန်းတိုးတက်လာခြင်းနှင့်အထွက်နှုန်းတိုးတက်လာခြင်းနှင့်အတူ N-type battery များသည်ဘက်ထရီများ၏အဓိကဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဆိုင်ရာလမ်းကြောင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။
ဘက်ထရီနည်းပညာလမ်းကြောင်း၏ရှုထောင့်ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင်ဘက်ထရီနည်းပညာ၏နောက်ဆုံးသတင်းများကိုအဓိကအားဖြင့် Perc တိုးတက်မှုအပေါ် အခြေခံ. BSF, Perc Topcon နှင့် Hjt သည် Perc ကိုဖြိုဖျက်သောနည်းပညာအသစ်ဖြစ်သော HJT ကိုဖြတ်ကျော်သွားသည်။ Topcon သည် TBC ကိုဖွဲ့စည်းရန် IBC နှင့်ထပ်မံပေါင်းနိုင်သည်။ HBC သည် IBC နှင့်ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ p-type monocrystalline ဆဲလ်များသည် Polycrystall Silicsine Silicon Cells နှင့် Ingot Monocrystalline ဆဲလ်များ, တစ်ခုတည်းသော Crystal နှင့် Polycrystalline နှင့်ရောနှောထားသည့်လုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့်ပြုလုပ်သည်။ ဘာဖြစ်လို့လဲဆိုတော့၎င်းသည် polycrystalline ပြင်ဆင်မှုလမ်းကြောင်းကိုအသုံးပြုသောကြောင့်၎င်းသည် p-type polycrystalline ဆဲလ်အမျိုးအစားတွင်ပါ 0 င်သည်။ N-type cells များသည်အဓိကအားဖြင့် topcon monocrystalline ဆဲလ်များ, HJT Monocrystalline ဆဲလ်များနှင့် IBC MOBC MOBC MOBC MOBC MONOCTSALSE ဆဲလ်များပါဝင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Perc ဆဲလ်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများမှအစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအသစ်များကိုဆက်လက်လွှမ်းမိုးထားဆဲဖြစ်ပြီး Perc ဆဲလ်များ၏စျေးကွက်ဝေစုသည် 91.2% တိုးလာလိမ့်မည်။ ပြင်ပနှင့်အိမ်သုံးစီမံကိန်းများအတွက်ထုတ်ကုန်များ 0 ယ်လိုအားသည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောထုတ်ကုန်များအပေါ်အာရုံစူးစိုက်နေသည့်အတွက် BSF ဘက်ထရီများစျေးကွက်ဝေစုသည် 2021 ခုနှစ်တွင် 8.8% မှ 5% အထိကျဆင်းသွားလိမ့်မည်။
1.4 .4 ။ Modules: ဆဲလ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်သည်အဓိကအပိုင်းအတွက်အကောင့်များနှင့် module များ၏စွမ်းအားသည်ဆဲလ်များပေါ်တွင်မူတည်သည်
Photovoltaic module များ၏ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များသည်ဆဲလ်အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုနှင့်မြည်ပျက်ခြင်းတို့ပါဝင်သည်။ Module ၏စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းအတွက်ဆဲလ်အကောင့်များပါဝင်သည်။ ဆဲလ်တစ်ခုတည်း၏လက်ရှိနှင့်ဗို့အားအလွန်သေးငယ်သောကြောင့်ဆဲလ်များကိုဘတ်စ်ကားအရက်ဆိုင်များမှတဆင့်အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ရန်လိုအပ်သည်။ ဤတွင်၎င်းတို့သည်ဗို့အားတိုးမြှင့်ရေးကိုတိုးချဲ့ရန်နှင့် Highure Glass, Eva သို့မဟုတ် Poe, Photovoltaic Gla သို့မဟုတ် Poe, Batterum form, Eva သို့မဟုတ် Poe တို့တွင်ချိတ်ဆက်ထားပြီးနောက်ဆုံးတွင်အလူမီနီယံဘောင်များနှင့်ပိုးမွှားများနှင့်ဆီလီကွန်တံဆိပ်ခတ်ခြင်းများဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသည်။ အစိတ်အပိုင်းထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ဖွဲ့စည်းမှုဖွဲ့စည်းမှု၏ရှုထောင့်ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင်ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ် 75% အတွက် 75% ရှိပြီးအဓိကရာထူးကိုသိမ်းပိုက်ကာအဓိကရာထူးကိုသိမ်းပိုက်ခြင်း, ပစ္စည်းများ၏ကုန်ကျစရိတ်များကိုဆဲလ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်ဖြင့် ဦး ဆောင်သည်။ ကုမ္ပဏီအများအပြားမှကြေငြာချက်များအရဆဲလ်များသည် Photovoltaic module များ၏စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်၏ 2/3 ခန့်ရှိသည်။
Photovoltaic module များကိုဆဲလ်အမျိုးအစား, အရွယ်အစားနှင့်အရေအတွက်အရခွဲခြားထားသည်။ ကွဲပြားခြားနားသော module များ၏စွမ်းအားကွဲပြားခြားနားမှုရှိပါတယ်, ဒါပေမယ့်သူတို့အားလုံးမြင့်မားသောစင်မြင့်၌ရှိကြ၏။ ပါဝါသည်နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးစွမ်းအင်ကိုလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြောင်းရန် module ၏စွမ်းရည်ကိုကိုယ်စားပြုသည့် Photovoltaic Module များ၏အဓိကညွှန်ပြချက်ဖြစ်သည်။ ၎င်းကိုမတူကွဲပြားသော module အမျိုးအစားများ၏စွမ်းအင်စာရင်းအင်းများ၏ပါဝါကိန်းဂဏန်းများအရ, module ရှိဆဲလ်အရေအတွက်နှင့်အတူတူပင်ဖြစ်သည့်အတွက် module တစ်ခု၏စွမ်းအားသည် N-type serystal> P-type တစ်ခုတည်း Crystal> P-type serystal အရွယ်အစားနှင့်အရေအတွက်ပိုကြီးသည်, module ၏စွမ်းအားကိုပိုကြီး; Topcon Single Crystal Crystal Modules နှင့်တူညီသောအသေးစိတ်ဖော်ပြချက်၏တနင်္ဂနွေ၏လှူဒါန်းမှု module များသည်ယခင်က၏စွမ်းအားသည်ယခင်ထက် ပို. ကြီးသည်။ CPIA ၏ခန့်မှန်းချက်အရလာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်းတစ်နှစ်လျှင် 5-10W အားဖြင့် 5-10w အားဖြင့် module စွမ်းအင်တိုးလာလိမ့်မည်။ ထို့အပြင် module packaging သည်အဓိကအားဖြင့် optical loss နှင့်လျှပ်စစ်ဆုံးရှုံးမှုအပါအ 0 င်လျှပ်စစ်ဆုံးရှုံးမှုကိုယူဆောင်လာလိမ့်မည်။ ယခင်က Photovoltaic Glass နှင့် Eva ကဲ့သို့သောထုပ်ပိုးပစ္စည်းများသောအစဉ်အလာနှင့် optical Mismatch ပစ္စည်းများကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဂဟေဗ်ဗွန်းနှင့်ဘတ်စ်ကားဘား၏ခုခံမှုနှင့်ဆဲလ်များ၏အပြိုင်ဆက်သွယ်မှုကြောင့်ဖြစ်ရတဲ့ circuit ဆုံးရှုံးမှုကြောင့်ဆဲလ်များ၏အပြိုင်ဆက်သွယ်မှုကြောင့်ဖြစ်သောလက်ရှိမတိုက်ဆိုင်မှု,
1.5 .5 ။ Photovoltaic install လုပ်ထားသည့်စွမ်းရည် - နိုင်ငံအနှံ့နိုင်ငံ၏မူဝါဒများကိုသိသာထင်ရှားသည့်အပြင်အနာဂတ်တွင်တပ်ဆင်ထားသောစွမ်းရည်အသစ်များအတွက်နေရာများစွာရှိသည်
အခြေခံအားဖြင့်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းသိမ်းရေးရည်မှန်းချက်အရ Net Zero ထုတ်လွှတ်မှုဆိုင်ရာထုတ်လွှတ်မှုဆိုင်ရာထုတ်လွှတ်မှုဆိုင်ရာထုတ်လွှတ်မှုများကိုအခြေခံအားဖြင့်လွှမ်းမိုးထားပြီး Superimposed Photovoltaic စီမံကိန်းများ၏စီးပွားရေးသည်တဖြည်းဖြည်းပေါ်ပေါက်လာသည်။ နိုင်ငံများသည်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စွမ်းအင်သုံးထုတ်လုပ်မှုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုတက်ကြွစွာစူးစမ်းလေ့လာနေကြသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းကမ္ဘာတစ်လွှားရှိနိုင်ငံများသည်ကာဗွန်ထုတ်လွှတ်မှုများကိုလျှော့ချရန်ကတိကဝတ်များပြုလုပ်ခဲ့ကြသည်။ အဓိကဖန်လုံအိမ်ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုအများစုသည်သက်ဆိုင်ရာဖြန့်ဖြိုးနိုင်သောစွမ်းအင်ပစ်မှတ်များကိုရေးဆွဲပြီးပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ကြီးမားသည်။ 1.5 ℃အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုရည်မှန်းချက်အပေါ် အခြေခံ. အိုင်ယာနာသည် 2030 တွင်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာတပ်ဆင်ထားသောပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စွမ်းအင်စွမ်းရည်သည် 10.8tw သို့ရောက်ရှိမည်ဟုခန့်မှန်းထားသည်။ ထို့အပြင် Woodmac အချက်အလက်များသည် 10.8TW သို့ရောက်ရှိလိမ့်မည်ဟုခန့်မှန်းထားသည်။ ထို့အပြင် Woodmac အချက်အလက်များအရတရုတ်, နိုင်ငံများအသင်းများနှင့် Photovoltaic Power Generation ၏စီးပွားရေးဆိုင်ရာမူဝါဒများကိုတက်ကြွစွာမြှင့်တင်ခြင်းသည်မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းကမ္ဘာပေါ်ရှိ Photovoltaics ၏စုပေါင်းတပ်ဆင်ထားသောစွမ်းဆောင်နိုင်မှုစွမ်းရည်ကိုတည်ငြိမ်စေခဲ့သည်။ 2012 မှ 2021 အထိကမ္ဘာပေါ်ရှိ Photovoltaics ၏စုပေါင်းထည့်သွင်းထားသော photovoltaics သည် 104.3gw မှ 849.5GW အထိတိုးလာလိမ့်မည်။ တရုတ်နိုင်ငံရှိစုစုပေါင်း photovoltaics များက 64 ကြိမ်အထိတိုးလာလိမ့်မည်။ ထို့အပြင်တရုတ်၏အသစ်တပ်ဆင်ထားသည့် Photovoltaic စွမ်းရည်သည်ကမ္ဘာ့စုစုပေါင်းတပ်ဆင်ထားသောစွမ်းရည်၏ 20% ကျော်အတွက်ပါ 0 င်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်တရုတ်၏အသစ်တပ်ဆင်ထားသည့် Photovoltaic စွမ်းရည်သည် 53GW ဖြစ်ပြီးကမ္ဘာ့အကောင်းဆုံးတပ်ဆင်ထားသောစွမ်းရည်၏ 40% ခန့်ရှိသည်။ ၎င်းသည်အဓိကအားဖြင့်တရုတ်နိုင်ငံရှိအလင်းစွမ်းအင်အရင်းအမြစ်များနှင့်အောက်ပိုင်းနှင့်မြစ်အောက်ပိုင်းနှင့်အမျိုးသားရေးမူဝါဒများ၏ခိုင်မာသောအထောက်အပံ့များကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဤကာလအတွင်းတရုတ်သည် Photovoltaic Power Power တွင်ကြီးမားသောအခန်းကဏ် played မှပါဝင်ခဲ့ပြီးတဖြည်းဖြည်းတိုးပွားလာသောတပ်ဆင်ထားသောစွမ်းရည်သည် 6.5% အောက်သာရှိသည်။ 36.14% မှခုန်တက်။
အထက်ဖော်ပြပါဆန်းစစ်ခြင်းအပေါ် အခြေခံ. CPIA သည်ကမ္ဘာအနှံ့ရှိ 2022 မှ 2030 မှ 2030 မှ 2030 အထိအသစ်သော Photovoltaic installations အသစ်များအတွက်ခန့်မှန်းချက်ကိုခန့်မှန်းထားသည်။ ခန့်မှန်းတွက်ချက်မှုအရအကောင်းမြင်မှုနှင့်ရှေးရိုးစွဲအခြေအနေများတွင် 2030 တွင်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအသစ်တပ်ဆင်ထားသောစွမ်းဆောင်ရည်မှာ 366 နှင့် 315GW အသီးသီးရှိနိုင်ပြီးတရုတ်၏အသစ်တပ်ဆင်ထားသည့်တရုတ်နိုင်ငံ၏ 125 နှစ်ရှိလိမ့်မည်။ 105GW အောက်တွင်ကျွန်ုပ်တို့သည်နှစ်စဉ်အသစ်တပ်ဆင်ထားသောစွမ်းရည်ပမာဏအပေါ် အခြေခံ. polysilicon လိုအပ်ချက်ကို အခြေခံ. 0 ယ်လိုအားကိုခန့်မှန်းပါမည်။
1.6 .6 .6 .6 ။ Polysilicon အတွက် Polysilicon applications များအတွက် 0 ယ်လိုအားကြိုတင်ခန့်မှန်းချက်
2022 မှ 2030 မှ 2030 မှ 2030 အထိ CPIA ၏အကောင်းမြင်နှင့်ရှေးရိုးစွဲအခြေအနေများအောက်တွင် Polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားအတွက် Polysilicon 0 ယ်လိုအားကိုကြိုတင်ခန့်မှန်းနိုင်ပါသည်။ ဆဲလ်များသည် photoelectric ပြောင်းလဲခြင်းကိုနားလည်သဘောပေါက်ရန်အဓိကခြေလှမ်းဖြစ်ပြီးဆီလီကွန်ယက်သမားများသည်ဆဲလ်များ၏အခြေခံကုန်ကြမ်းများနှင့် polysilicon ၏မြစ်အောက်ပိုင်းတွင်စိမ်းလန်းစိုပြေသောအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် ingots တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင်တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင်အပိုင်းအစများကိုတစ်ကီလိုဂရမ်လျှင်အပိုင်းအစများနှင့်ဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် ingots ၏စျေးကွက်ဝေစုမှတွက်ချက်နိုင်သည်။ ထို့နောက်မတူညီသောအရွယ်အစားအမျိုးမျိုးရှိသောဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏အစွမ်းကုန်နှင့်စျေးကွက်ဝေစုအဆိုအရဆီလီကွန်ယက်စ်ကစားသမားများ၏အလေးချိန်ရှိသောစွမ်းအားကိုရရှိနိုင်ပါသည်။ ထို့နောက်လိုအပ်သောဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် ingots လိုအပ်သောအလေးချိန်ကိုအလေးချိန်နှင့်ကီလိုဂရမ်လျှင်ဆီလီကွန်ချုံများနှင့်ဆီလီကွန်ချုံများနှင့်ဆီလီကွန် interots များအကြားအရေအတွက်ဆက်ဆံရေးနှင့်အညီရရှိနိုင်ပါသည်။ ဆီလီကွန်ချုံများ / ဆီလီကွန် Ingots ၏အလေးချိန်ရှိသောဆီလီကွန်စားသုံးမှုနှင့်အတူထပ်မံပေါင်းစပ်ပြီးအသစ်တပ်ဆင်ထားသည့် Potovoltaic စွမ်းရည်အတွက် polysilicon 0 ယ်လိုအားကိုနောက်ဆုံးတွင်ရနိုင်သည်။ ခန့်မှန်းချက်ရလဒ်များအရလွန်ခဲ့သောငါးနှစ်အတွင်း Polysilicon အသစ်အတွက် Polysilicon အသစ်အတွက် Polysilicon အတွက် Polysilicon 0 ယ်လိုအားမှာ 2027 ခုနှစ်တွင်ဆက်လက်မြင့်တက်လာပြီးလာမည့်သုံးနှစ်အတွင်းအနည်းငယ်ကျဆင်းသွားလိမ့်မည်။ 2025 ခုနှစ်တွင်အကောင်းမြင်နှင့်ရှေးရိုးစွဲအခြေအနေများအောက်တွင် Polovoltaic installation များအတွက် polysilicon အတွက်ကမ္ဘာ့နှစ်စဉ်နှစ်ပတ်လည် 0 ယ်လိုအားမှာတန်ချိန် 1,108,800 0 ယ်လိုခြင်းဖြစ်လိမ့်မည်။ တန်ချိန် 896,900 တန်။ တရုတ်၏အဆိုအရGlobal Photovoltaic Install လုပ်ထားသည့်စွမ်းရည်အချိုးအစား,2025 ခုနှစ်တွင် Photovolicon အတွက် Polysilicon အတွက်တရုတ်၏ 0 ယ်လိုလိုအပ်ချက်အကောင်းမြင်ညီညွတ်မှုအခြေအနေများနှင့်တန်ချိန် 739,600 တန်ချိန် 369,600 နှင့်တန်ချိန်ပေါင်း 302,600 ရှိသည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
2, semiconductor အဆုံးဝယ်လိုအား - စကေး Photovoltaic လယ်ပြင်၌ဝယ်လိုအားထက်အများကြီးသေးငယ်သည်နှင့်အနာဂတ်တိုးတက်မှုနှုန်းမျှော်လင့်ထားနိုင်ပါတယ်
Photovoltaic ဆဲလ်များကိုပြုလုပ်ရန်အပြင် Polysilicon ကိုလည်း Chips လုပ်ခြင်းအတွက်ကုန်ကြမ်းအဖြစ်အသုံးပြုနိုင်သည်။ မော်တော်ကာကွယ်မှု, စက်မှုအီလက်ထရွန်နစ်အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများ, အီလက်ထရောနစ်အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများ, Polysilicon မှချစ်ပ်ကိုအဓိကအားဖြင့်အဆင့်သုံးဆင့်ခွဲခြားထားသည်။ ပထမ ဦး စွာ Polysilicon သည် Monocrystall Silicon Ingots သို့ဆွဲတင်ပြီးပါးလွှာသောဆီလီကွန်ယက်များကိုဖြတ်တောက်သည်။ Silicon Wafers များကိုကြိတ်ခွဲခြင်း, Semiconductor စက်ရုံ၏အခြေခံကုန်ကြမ်းပစ္စည်းဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးအနေဖြင့်ဆီလီကွန်ယက်ချာသည် chip ထုတ်ကုန်များကိုအချို့သောဝိသေသလက္ခဏာများကိုပြုလုပ်ရန် circuit ဖွဲ့စည်းပုံအမျိုးမျိုးသို့ထွင်းထားသည်။ အဓိကအားဖြင့် Silicon Wafers များသည်အဓိကအားဖြင့်ပွတ်သောကြိုးများ, ပွတ်သည် Wafer သည် silicon wafer ကိုမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိပျက်စီးသွားသောအလွှာများကိုဖယ်ရှားရန်အတွက်ရရှိသောမြင့်မားသောပြားချပ်ချပ်နှင့်အတူပြားမြင့်မားသောပံ့ပိုးမှုများဖြင့်ရရှိသောမြင့်မားသောပြားများပါ 0 င်သည်။ ၎င်းသည်ချစ်ပ်များ, Soi silicon silicon အလွှာများ၌ 0 င်ရောက်စွက်ဖက်ခြင်းဖြင့် 0 တ်စုံခြင်းသို့မဟုတ်အိုင်းယွန်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီးကြိုတင်ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်အတော်အတန်ခက်ခဲသည်။
2021 ခုနှစ်တွင် Semiconductor တွင် 0 ယ်လိုအားအတွက် 0 ယ်လိုအားဖြင့်လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း Semiconductor Indeople in Inshold ၏တိုးတက်မှုနှုန်းကိုခန့်မှန်းခြင်းနှင့်အတူပေါင်းစပ်မှုနှင့်အတူ 2022 မှ 2025 အထိ Polysilicon 0 ယ်လိုအားကိုအကြမ်းအားဖြင့်ခန့်မှန်းနိုင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Global Electronic-grade polysilicon ထုတ်လုပ်မှုသည်စုစုပေါင်း polysilicon ထုတ်လုပ်မှု၏ 6% ခန့်ရှိပြီးနေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး polysilicon နှင့် granular silicon သည် 94% ခန့်ရှိသည်။ အီလက်ထရောနစ်တန်းတူ polysilicon အများစုကို Semiconductor Field တွင်အသုံးပြုသည်။ အခြား polysilicon ကိုအခြေခံအားဖြင့် Photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်အခြေခံအားဖြင့်အသုံးပြုသည်။ ။ ထို့ကြောင့် 2021 ရှိ SemiconDuctor Industry တွင် Polysilicon ပမာဏသည်တန်ချိန် 37000 ခန့်ရှိသည်ဟုယူဆနိုင်သည်။ ထို့အပြင် FortuneBusiness Insights မှဟောကိန်းထုတ်ထားသော Semiconductor Inspights ၏အနာဂတ်ပေါင်းစပ် 0 ယ်မှုနှုန်းအရ Semiconductor အသုံးပြုမှုအတွက် polysilicon 0 ယ်လိုအားသည် 2022 ခုနှစ်တွင် 2025 ခုနှစ်တွင် 8.6% တွင် 8.6% ရှိသည်ဟုခန့်မှန်းရသည်။ (အစီရင်ခံစာအရင်းအမြစ်: အနာဂတ်စဉ်းစားတွေးခေါ်အကြံပေးအဖွဲ့)
3Polysilicon တင်သွင်းမှုနှင့်ပို့ကုန် - တင်ပို့မှုသည်ပို့ကုန်များထက် ကျော်လွန်. ဂျာမနီနှင့်မလေးရှားနိုင်ငံသည်ပိုမိုမြင့်မားသောအချိုးအစားအတွက်စာရင်းကိုင်နှင့်အတူ
2021 ခုနှစ်တွင်တရုတ်၏ Polysilicon ဝယ်လိုအား၏ 18.63% ခန့်သည်သွင်းကုန်မှလာလိမ့်မည်။ 2017 မှ 2021 အထိတင်သွင်းခြင်းနှင့်ပို့ကုန်ပုံစံသည်မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းလျင်မြန်စွာဖြစ်ပေါ်လာသော Polysilicon စက်မှုလုပ်ငန်းအတွက်အပူရှိန်စက်မှု 0 ယ်လိုအားအတွက် 0 ယ်လိုအားဖြင့် 0 ယ်လိုအားရှိရှိ 0 ယ်လိုအားရှိရှိ 0 ယ်လိုအားဖြင့် 0 ယ်လိုခြင်းဖြင့်တင်သွင်းခြင်းဖြင့်လွှမ်းမိုးထားသည်။ ထို့အပြင်ကုမ္ပဏီအနေဖြင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောအီလက်ထရောနစ် polysilicon ၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာကိုကျွမ်းကျင်မှုမရှိသေးပါ, ဆီလီကွန်စက်မှုလုပ်ငန်းဌာနခွဲ၏အချက်အလက်များအရ 2019 ခုနှစ်တွင် Polysilicon တင်သွင်းမှုကျဆင်းမှု၏အဓိကကျသောအရာသည် 2019 ခုနှစ်တွင်တန်ချိန် 3888000 အထိမြင့်တက်ခဲ့သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် 2019 ခုနှစ်တွင် Polysilicon တင်သွင်းမှုကျဆင်းမှု၏အခြေခံကျသောအကြောင်းပြချက်မှာ 2019 ခုနှစ်တွင်တန်ချိန် 3588000 အထိမြင့်တက်ခဲ့သည်။ Polysilicon စက်မှုလုပ်ငန်းများဆုံးရှုံးမှုများကြောင့်ဖြစ်သောကြောင့် Polysilicon ၏သွင်းကုန်မှီခိုမှုသည်အလွန်နည်းပါးသည်။ 2020 ခုနှစ်တွင်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်တိုးလာခြင်းမရှိသေးသော်လည်းကပ်ရောဂါ၏သက်ရောက်မှုသည် Photovoltaic စီမံကိန်းများဆောက်လုပ်ခြင်းကိုနှောင့်နှေးစေခဲ့ပြီး Polysilicon အမိန့်အရေအတွက်သည်တူညီသောကာလအတွင်းလျော့နည်းသွားသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်တရုတ်၏ Photovoltaic စျေးကွက်သည်လျင်မြန်စွာဖွံ့ဖြိုးလာမည်ဖြစ်ပြီး Polysilicon ၏စားသုံးမှုသည်တန်ချိန် 613000 အထိရှိပြီး Import Volume ကိုပြန်ခုန်ထွက်လာလိမ့်မည်။ လွန်ခဲ့သောငါးနှစ်တာကာလအတွင်းတရုတ်၏ Net Polysilicon Importilicon Import Volume သည်တန်ချိန် 90,000 မှ 140,000 ကြားရှိပြီး 2021 ခုနှစ်တွင်တရုတ်၏ Net Polysilicon Import Volume သည်တစ်နှစ်လျှင်တန်ချိန် 100000 ခန့်ရှိလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။
တရုတ်၏ Polysilicon တင်သွင်းမှုသည်ဂျာမနီ, မလေးရှား, ဂျပန်, ဂျပန်နှင့်ထိုင်ဝမ်တို့မှတင်သွင်းသောတရုတ်နိုင်ငံ၏တင်သွင်းမှုသည် 2021 ခုနှစ်တွင် 90.51% ရှိသည်။ တရုတ်နိုင်ငံမှ 26%, ဂျပန်မှ 13.5% နှင့်ထိုင်ဝမ်မှ 6%, ဂျာမနီသည်ကမ္ဘာပေါ်တွင် Polysilicon ၏အကြီးဆုံးသောကမ္ဘာ့ polysilicon wacker ကိုပိုင်ဆိုင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်ကမ္ဘာ့ထုတ်လုပ်မှုစုစုပေါင်း၏ 12.7% ရှိသည်။ မလေးရှားနိုင်ငံတွင်တောင်ကိုရီးယားနိုင်ငံမှ OCI မှမလေးရှားနိုင်ငံရှိမလေးရှားနိုင်ငံရှိမလေးရှားနိုင်ငံတွင်မူလထုတ်လုပ်မှုလိုင်းမှမူလထုတ်လုပ်မှုလိုင်းမှမူလထုတ်လုပ်မှုလိုင်းမှ အစပြု. Polysilicon Polysilicon ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများစွာရှိသည်။ အရှေ့ပိုင်းကိုရီးယားမှမလေးရှားသို့စက်ရုံများနှင့်စက်ရုံများရှိသည်။ ပြန်လည်နေရာချထားရေးအကြောင်းပြချက်မှာမလေးရှားနိုင်ငံသည်အခမဲ့စက်ရုံနေရာကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။ ဂျပန်နှင့်ထိုင်ဝမ်တို့တွင်တရုတ်နိုင်ငံတွင် Polysilicon ထုတ်လုပ်မှုကိုသိမ်းပိုက်ထားသော Tokuyama, Get နှင့်အခြားကုမ္ပဏီများရှိသည်။ နေရာ။ 2021 ခုနှစ်တွင် Polysilicon Output သည်တန်ချိန် 492000 ရှိပြီးအသစ်တပ်ဆင်ထားသည့် photovoltaic စွမ်းရည်နှင့် chip ထုတ်လုပ်မှုဝယ်လိုအားသည်တန်ချိန် 2800 တန်ရှိပြီးတန်ချိန် 28400 တန်တိုင်းတွင်နိုင်ငံရပ်ခြားတွင် အသုံးပြု. ပြည်ပသို့တင်ပို့ခြင်းနှင့်ပြည်ပသို့တင်ပို့ပါလိမ့်မည်။ Polysilicon, ဆီလီကွန်ယက်သမားများ၏မြစ်အောက်ပိုင်းအချိတ်အဆက်များတွင်ဆဲလ်များနှင့် module များကိုအဓိကအားဖြင့်တင်ပို့သည်။ 2021 တွင် Silicon Wafers နှင့် 3.2 ဘီလီယံ Photovoltaic ဆဲလ်များ 3.2 ဘီလီယံရှိသည်ထုတ်ကုန်တင်ပို့22.6GW နှင့် 10.3GW စုစုပေါင်းတင်ပို့မှုနှင့် 10.3GW တို့တွင်စုစုပေါင်းတင်ပို့မှုနှင့် Photovoltaic module များတင်ပို့မှုမှာ 98.5GW ဖြစ်ပြီးတင်သွင်းမှုအနည်းငယ်သာရှိသည်။ ပို့ကုန်တန်ဖိုး၏ဖွဲ့စည်းမှုအရ 2021 တွင် Module တင်ပို့မှုသည်အမေရိကန်ဒေါ်လာ 24.61 ဘီလီယံရရှိပြီး 86% ရှိသည်။ 86% ရှိသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် Silicon Wafers, Photovoltaic ဆဲလ်များနှင့် Photovoltaic Module တို့၏ကမ္ဘာ့ထုတ်လုပ်မှုသည် 97.3%, 85.1% နှင့် 82.3% အသီးသီးရောက်ရှိလိမ့်မည်။ ကမ္ဘာချီ PhotoVoltaic Industry သည်လာမည့်သုံးနှစ်အတွင်းတရုတ်နိုင်ငံတွင်ဆက်လက်အာရုံစိုက်မည်ဖြစ်ပြီး link တစ်ခုစီ၏ output နှင့်တင်ပို့မှုပမာဏသည်အတော်အတန်ဖြစ်လိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် 2022 မှ 2025 အထိ 2025 မှ 2025 အထိအသုံးပြုသော Polysilicon ပမာဏနှင့်ပြည်ပသို့တင်ပို့ခြင်းနှင့်ပြည်ပသို့တင်ပို့ခြင်းအတွက်အသုံးပြုသော Polysilicon ပမာဏသည်တဖြည်းဖြည်းတိုးလာလိမ့်မည်။ နိုင်ငံခြား polysilicon ဝယ်လိုအားကနေပြည်ပထုတ်လုပ်မှုနုတ်ခြင်းဖြင့်ခန့်မှန်းရသည်။ 2025 ခုနှစ်တွင်မြစ်အောက်ပိုင်းထုတ်ကုန်များသို့ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြင့် Polysilicon သည်တရုတ်နိုင်ငံမှတန်ချိန် 583000 တင်ပို့ရန်ခန့်မှန်းထားလိမ့်မည်
4, အကျဉ်းချုပ်နှင့် Outlook
Global Polysilicon ဝယ်လိုအားကိုအဓိကအားဖြင့် Photovoltaic Field တွင်အဓိကအားဖြင့်အဓိကထားပြီး Semiconductor Field တွင် 0 ယ်လိုအားမှာပမာဏသည်ပမာဏမဟုတ်ပါ။ Polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားကို Photovoltaic installations မှမောင်းနှင်ပြီး Polysilicon မှ Polysilicon သို့ polysilicon သို့ကူးပြောင်းခြင်းကိုတဖြည်းဖြည်းကူးစက်ခြင်း, ဝယ်လိုအားကိုထုတ်လုပ်သည်။ အနာဂတ်တွင်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ Photovoltaic install လုပ်ထားသည့်စွမ်းရည်တိုးချဲ့ခြင်းဖြင့် Polysilicon ၏ 0 ယ်လိုအားသည်ယေဘုယျအားဖြင့်အကောင်းမြင်သည်။ အကောင်းမြင်အရ, တရုတ်နှင့်ပြည်ပရှိ PV တပ်ဆင်မှုများတိုးပွားလာသော PV တပ်ဆင်ခြင်းသည် 2025 ခုနှစ်တွင် Polysilicon 0 ယ်လိုအားနှင့် 73.96GW 0 ယ်လိုအားမှာ 36.96GW နှင့် 73.93GW တို့အသီးသီးရှိလိမ့်မည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ polysilicon ထောက်ပံ့ရေးနှင့်ဝယ်လိုအားသည်တင်းကျပ်လာပြီးကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ polysilicon စျေးနှုန်းများမြင့်တက်လာသည်။ ဤအခြေအနေသည် 2022 ခုနှစ်အထိဆက်လက်တည်ရှိနိုင်ခဲ့ပြီး 2020 ခုနှစ်နောက်ပိုင်းတွင်ဖြည်းဖြည်းဖြန့်ချိခြင်း၏အဆင့်သို့ရောက်သွားသည်။ မြစ်အောက်ပိုင်းတွင်ဓာတ်သတ္တုတိုးပွားလာခြင်းဖြစ်ပြီးထုတ်လုပ်မှုတိုးချဲ့မှုကိုစတင်ခဲ့သည်။ သို့ရာတွင်တစ်နှစ်ခွဲနှင့်နှစ်နှစ်ကျော်တိုးချဲ့ခြင်းသံသရာသည် 2021 နှင့် 2022 နှစ်ကုန်ပိုင်းတွင်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကိုထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။ 2021 တွင် 4.24 ရာခိုင်နှုန်းတိုးလာသည်။ တန်ချိန် 10000 ကျော်တိုးလာသည်။ ထို့ကြောင့်စျေးနှုန်းများသိသိသာသာမြင့်တက်လာခဲ့သည်။ 2022 ခုနှစ်တွင် Photovoltaic install လုပ်ထားသောစွမ်းဆောင်ရည်၏အကောင်းမြင်နှင့်ရှေးရိုးစွဲနိုင်စွမ်းရှိသောအခြေအနေများအရ 0 ယ်ယူမှုနှင့်ဝယ်လိုအားကွာဟချက်များအရ 0 ယ်လိုခြင်းနှင့်ဝယ်လိုအားကွာဟမှုသည်တန်ချိန် 2,400 နှင့်တန်ချိန် 2,400 အသီးသီးရှိလိမ့်မည်ဟုခန့်မှန်းထားသည်။ 2023 နှင့် 2021 ခုနှစ်အကုန်ပိုင်းတွင်ဆောက်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းကိုစတင်ဆောက်လုပ်ပြီးစီးသည့်စီမံကိန်းအသစ်များသည်ထုတ်လုပ်မှုကိုစတင်ခဲ့ပြီးထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်တွင်တိုးတက်မှုရရှိရန်ဖြစ်သည်။ ထောက်ပံ့ရေးနှင့်ဝယ်လိုအားသည်တဖြည်းဖြည်းလျော့နည်းလာလိမ့်မည်။ စျေးနှုန်းများသည်အောက်သို့ဖိအားပေးနိုင်သည်။ နောက်ဆက်တွဲတွင်ရုရှား - ယူကရိန်းစစ်ပွဲ၏ 0 င်ရောက်မှုကိုပြောင်းလဲစေသည့်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာစွမ်းအင်ပုံစံအပေါ်အာရုံစူးစိုက်မှုကိုဂရုပြုသင့်သည်။
(ဤဆောင်းပါးသည်မြို့ပြမီဒီယာများ၏ဖောက်သည်များ၏ 0 ယ်ယူသူများ၏ရည်ညွှန်းချက်ကိုသာရည်ညွှန်းသည်။