တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပိုလီစီလီကွန်စက်မှုလုပ်ငန်း၏ စျေးကွက်ချဲ့ထွင်မှု လိုအပ်ချက်အတွက် လက်ရှိအခြေအနေအား လေ့လာသုံးသပ်ခြင်း။

1၊ Photovoltaic အဆုံးဝယ်လိုအား- photovoltaic တပ်ဆင်နိုင်မှု လိုအပ်ချက်သည် အားကောင်းပြီး တပ်ဆင်ထားသည့် စွမ်းဆောင်ရည် ခန့်မှန်းချက်အပေါ် အခြေခံ၍ polysilicon လိုအပ်ချက်သည် ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်။

1။၁။ ပိုလီစီလီကွန်သုံးစွဲမှု- ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအဓိကအားဖြင့် photovoltaic ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် သုံးစွဲမှုပမာဏသည် တဖြည်းဖြည်း တိုးလာသည်။

လွန်ခဲ့သည့် ဆယ်နှစ်က ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ၊ပိုလီစီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် ဆက်လက်မြင့်တက်နေပြီး photovoltaic လုပ်ငန်းမှ ဦးဆောင်သည့် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အချိုးအစားသည် ဆက်လက် တိုးလာခဲ့သည်။ 2012 ခုနှစ်မှ 2021 ခုနှစ်အတွင်း ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပိုလီဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် ယေဘုယျအားဖြင့် တန်ချိန် 237,000 မှ တန်ချိန် 653,000 ခန့်အထိ မြင့်တက်လာသည်။ 2018 ခုနှစ်တွင်၊ တရုတ်၏ 531 photovoltaic မူဝါဒအသစ်ကိုမိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး photovoltaic ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက်ထောက်ပံ့ကြေးနှုန်းကိုသိသိသာသာလျှော့ချခဲ့သည်။ အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic စွမ်းရည်သည် တစ်နှစ်ထက်တစ်နှစ် 18% ကျဆင်းသွားပြီး ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားကို ထိခိုက်ခဲ့သည်။ 2019 ခုနှစ်မှစ၍ နိုင်ငံတော်သည် photovoltaics ၏ grid parity ကိုမြှင့်တင်ရန် မူဝါဒများစွာကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်း လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားသည်လည်း လျင်မြန်စွာ တိုးတက်မှုကာလတစ်ခုသို့ ဝင်ရောက်လာခဲ့သည်။ ဤကာလအတွင်း၊ တရုတ်နိုင်ငံ၏ လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်နေသော photovoltaic စက်မှုလုပ်ငန်းကြောင့် အဓိကအားဖြင့် ၂၀၁၂ ခုနှစ်တွင် ၆၁.၅% မှ ၂၀၂၁ ခုနှစ်တွင် ၉၃.၉% အထိ တရုတ်၏ ပိုလီဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုအချိုးသည် ဆက်လက်မြင့်တက်ခဲ့သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် မတူညီသော ပိုလီဆီလီကွန် အမျိုးအစားများ၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ သုံးစွဲမှုပုံစံကို ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် photovoltaic ဆဲလ်များအတွက် အသုံးပြုသော ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများသည် အနည်းဆုံး 94% ရှိပြီး ယင်းတို့အနက် နေရောင်ခြည်တန်း ပိုလီဆီလီကွန်နှင့် အစေ့ထုတ်ဆီလီကွန်များသည် 91% နှင့် 3% အသီးသီးရှိကြပြီး၊ ချစ်ပ်များအတွက် အသုံးပြုနိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ပိုလီစီကွန်သည် 94% ဖြစ်သည်။ အချိုးသည် 6% ဖြစ်ပြီး လက်ရှိ ပိုလီဆီလီကွန် လိုအပ်ချက်ကို photovoltaics က လွှမ်းမိုးထားကြောင်း ပြသသည်။ dual-carbon ပေါ်လစီ၏ ပူနွေးလာမှုနှင့်အတူ၊ photovoltaic တပ်ဆင်နိုင်မှု လိုအပ်ချက်သည် ပိုမိုအားကောင်းလာပြီး ဆိုလာအဆင့် ပိုလီဆီလီကွန် သုံးစွဲမှုနှင့် အချိုးအစားသည် ဆက်လက်တိုးလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။

1။၂။ Silicon wafer- monocrystalline silicon wafer သည် ပင်မရေစီးကြောင်းကို သိမ်းပိုက်ထားပြီး Czochralski နည်းပညာသည် စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်နေသည်

ပိုလီဆီလီကွန်၏ တိုက်ရိုက်အောက်ပိုင်းလင့်ခ်သည် ဆီလီကွန်ဝေဖာများဖြစ်ပြီး လက်ရှိတွင် တရုတ်နိုင်ငံသည် ကမ္ဘာ့ဆီလီကွန်ဝေဖာဈေးကွက်ကို လွှမ်းမိုးထားသည်။ 2012 မှ 2021 ခုနှစ်အထိ၊ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာနှင့် တရုတ်ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်နှင့် အထွက်နှုန်းများ ဆက်လက်တိုးမြင့်လာပြီး photovoltaic လုပ်ငန်းသည် ဆက်လက် ကြီးထွားလာခဲ့သည်။ ဆီလီကွန် wafers များသည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် ဘက်ထရီများကို ချိတ်ဆက်ပေးသည့် တံတားတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်ကြပြီး ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်အတွက် ဝန်ထုပ်ဝန်ပိုးမရှိသောကြောင့် ကုမ္ပဏီအများအပြားကို လုပ်ငန်းတွင်းသို့ ဝင်ရောက်ရန် ဆက်လက်ဆွဲဆောင်လျက်ရှိသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် တရုတ်ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်သူများ သိသိသာသာ တိုးချဲ့လာခဲ့သည်။ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည် 213.5GW အထိ ထွက်ရှိပြီး ကမ္ဘာ့ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်မှုကို 215.4GW အထိ တိုးမြင့်လာစေခဲ့သည်။ လက်ရှိနှင့် အသစ်တိုးလာသော တရုတ်နိုင်ငံ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်အရ နှစ်စဉ်တိုးတက်မှုနှုန်းသည် လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း 15-25% ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရပြီး တရုတ်၏ wafer ထုတ်လုပ်မှုသည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် ပကတိအသာစီးရနေဆဲဖြစ်သည်။

Polycrystalline silicon ကို polycrystalline silicon ingots သို့မဟုတ် monocrystalline silicon rods များအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။ polycrystalline silicon ingots များ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအားဖြင့် သွန်းလုပ်နည်းနှင့် တိုက်ရိုက် အရည်ပျော်သည့် နည်းလမ်းတို့ ပါဝင်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဒုတိယအမျိုးအစားသည် အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုနှုန်းကို အခြေခံအားဖြင့် ၅ ရာခိုင်နှုန်းခန့် ထိန်းသိမ်းထားသည်။ သွန်းလုပ်နည်းမှာ အဓိကအားဖြင့် ကဗိုလီကွန်အတွင်းရှိ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကို အရည်ပျော်စေရန်ဖြစ်ပြီး အအေးခံရန်အတွက် အခြားအပူပေးထားသော ကန့်လန့်ကာတွင် လောင်းထည့်ခြင်းဖြစ်သည်။ အအေးခံနှုန်းကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့်၊ polycrystalline silicon ingot ကို directional solidification နည်းပညာဖြင့် သွန်းလုပ်ပါသည်။ တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သည့်နည်းလမ်း၏ ပူသောအရည်ပျော်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် သတ္တုတွင်းထဲသို့ ပိုလီဆီလီကွန်ကို ပထမအရည်ပျော်သည့် သတ္တုပုံသွင်းနည်းနှင့် အတူတူပင်ဖြစ်သော်လည်း အအေးခံသည့်အဆင့်သည် သတ္တုပုံသွင်းနည်းနှင့် ကွဲပြားသည်။ နည်းလမ်းနှစ်ခုသည် သဘောသဘာဝအရ အလွန်ဆင်တူသော်လည်း၊ တိုက်ရိုက် အရည်ပျော်သည့်နည်းလမ်းသည် crucible တစ်ခုသာ လိုအပ်ပြီး ထုတ်လုပ်သော ပိုလီဆီလီကွန် ထုတ်ကုန်သည် အရည်အသွေးကောင်းမွန်ပြီး ပိုကောင်းသော လမ်းကြောင်းဖြင့် polycrystalline silicon ingots များ၏ ကြီးထွားမှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေပြီး ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် လွယ်ကူပါသည်။ automate ၏ အတွင်းပိုင်း အနေအထားကို ကြည်လင်စေနိုင်သည့် Error ကို လျော့ပါးစေပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းရှိ ထိပ်တန်းစီးပွားရေးလုပ်ငန်းများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် polycrystalline silicon ingots များပြုလုပ်ရန်တိုက်ရိုက်အရည်ပျော်သည့်နည်းလမ်းကိုအသုံးပြုကြပြီး ကာဗွန်နှင့်အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှုအတော်လေးနည်းပါးပြီး 10ppma နှင့် 16ppma အောက်တွင်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ အနာဂတ်တွင်၊ polycrystalline silicon ingots ထုတ်လုပ်မှုကို တိုက်ရိုက် အရည်ပျော်သည့်နည်းလမ်းဖြင့် လွှမ်းမိုးထားဆဲဖြစ်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုနှုန်းသည် ငါးနှစ်အတွင်း 5% ဝန်းကျင်တွင် ရှိနေမည်ဖြစ်သည်။

monocrystalline silicon rods များ ထုတ်လုပ်မှုကို အဓိကအားဖြင့် ဒေါင်လိုက် ဆိုင်းထိန်းဇုန် အရည်ပျော်သည့် နည်းလမ်းဖြင့် ဖြည့်စွက်ထားသော Czochralski နည်းလမ်းကို အခြေခံထားပြီး ၎င်းတို့ နှစ်ခုမှ ထုတ်လုပ်သော ထုတ်ကုန်များသည် ကွဲပြားခြားနားသော အသုံးပြုမှုများရှိသည်။ Czochralski နည်းလမ်းသည် အရည်ပျော်ရန်အတွက် ဖြောင့်ပြွန်အပူစနစ်ရှိ သန့်စင်မြင့်မားသော quartz crucible တွင် polycrystalline silicon မှ ဂရပ်ဖိုက်ခံနိုင်ရည်အား အသုံးပြုကာ ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် အစေ့ပုံဆောင်ခဲကို အရည်ပျော်သည့်မျက်နှာပြင်ထဲသို့ ထည့်သွင်းကာ အစေ့ပုံဆောင်ခဲကို ပြောင်းပြန်လှန်နေစဉ်၊ crucible အစေ့ပုံဆောင်ခဲသည် အထက်သို့ ဖြည်းညှင်းစွာ မြှင့်တက်လာပြီး monocrystalline silicon ကို အစေ့ထုတ်ခြင်း၊ ချဲ့ထွင်ခြင်း၊ ပခုံးလှည့်ခြင်း၊ တူညီသော အချင်း ကြီးထွားခြင်းနှင့် ပြီးဆုံးခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များမှ ရရှိပါသည်။ ဒေါင်လိုက်ရေပေါ်ဇုန် အရည်ပျော်နည်းသည် မီးဖိုခန်းရှိ ကော်လံဘားအတွင်း သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ပိုလီခရစ်စတယ်လိုင်းပစ္စည်းကို ပြုပြင်ခြင်း၊ သတ္တုကွိုင်အား polycrystalline အရှည် ဦးတည်ရာတစ်လျှောက် ဖြည်းညှင်းစွာ ရွေ့လျားကာ ကော်လံမာ polycrystalline မှတဆင့် ဖြတ်သန်းကာ သတ္တုတွင်းရှိ စွမ်းအားမြင့် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းစီးဆင်းမှုကို ဖြတ်သန်းခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ ကွိုင်သည် polycrystalline pillar coil ၏အတွင်းပိုင်းတစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကို အရည်ပျော်သွားစေရန် ကွိုင်ကို ရွှေ့ပြီးနောက် အရည်ပျော်မှုသည် တစ်ခုတည်းသော crystal အသွင်ဖြစ်လာသည်။ ကွဲပြားသော ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များကြောင့် ထုတ်လုပ်မှု စက်ပစ္စည်းများ၊ ထုတ်လုပ်မှု ကုန်ကျစရိတ်နှင့် ထုတ်ကုန် အရည်အသွေး ကွာခြားမှု ရှိပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဇုန်အရည်ပျော်မှုနည်းလမ်းဖြင့်ရရှိသောထုတ်ကုန်များသည်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်ပြီးတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက်အသုံးပြုနိုင်သော်လည်း Czochralski နည်းလမ်းသည် photovoltaic ဆဲလ်များအတွက်တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ထုတ်လုပ်ရန်အခြေအနေများနှင့်ကိုက်ညီပြီးကုန်ကျစရိတ်သက်သာသောကြောင့်၎င်းသည် ပင်မနည်းလမ်း။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ ဖြောင့်ဆွဲနည်းလမ်း၏စျေးကွက်ဝေစုသည် 85% ခန့်ရှိပြီး၎င်းသည်လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်တွင်အနည်းငယ်တိုးလာရန်မျှော်လင့်ရသည်။ 2025 နှင့် 2030 တွင် စျေးကွက်ရှယ်ယာ 87% နှင့် 90% အသီးသီးရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းရပါသည်။ ခရိုင်တစ်ခုတည်း အရည်ပျော်ခြင်း၏ စည်းကမ်းချက်များအရ၊ ခရိုင်တစ်ခုတည်း အရည်ပျော်ခြင်း၏ လုပ်ငန်းအာရုံစူးစိုက်မှုသည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် အတော်လေးမြင့်မားသည်။ ဝယ်ယူမှု), TOPSIL (ဒိန်းမတ်)။ အနာဂတ်တွင်၊ သွန်းသောတစ်ခုတည်းသော crystal silicon ၏ထွက်ရှိမှုအတိုင်းအတာသည် သိသိသာသာတိုးလာမည်မဟုတ်ပါ။ အကြောင်းရင်းမှာ တရုတ်၏ဆက်စပ်နည်းပညာများသည် အထူးသဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်အပူပေးစက်များ၏ စွမ်းရည်နှင့် ပုံဆောင်ခဲဖြစ်စဉ်အခြေအနေများကို ဂျပန်နှင့် ဂျာမနီတို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အတော်လေးနောက်ကျကျန်နေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ကြီးမားသော အချင်းဧရိယာတွင် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲနည်းပညာကို တရုတ်ကုမ္ပဏီများက ၎င်းတို့ကိုယ်တိုင် ဆက်လက်ရှာဖွေရန် လိုအပ်သည်။

Czochralski နည်းလမ်းကို စဉ်ဆက်မပြတ် ပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းနည်းပညာ (CCZ) နှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ ပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းနည်းပညာ (RCZ) ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပင်မရေစီးကြောင်းနည်းလမ်းမှာ RCZ ဖြစ်ပြီး၊ RCZ မှ CCZ သို့ ကူးပြောင်းသည့်အဆင့်တွင်ဖြစ်သည်။ RZC ၏ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းနှင့် အစာကျွေးခြင်း အဆင့်များသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု သီးခြားဖြစ်သည်။ ဆွဲခြင်းတစ်ခုခြင်းမပြုမီ၊ တစ်ခုတည်းသော crystal ingot ကို တံခါးခန်းအတွင်း အအေးခံပြီး ဖယ်ရှားရမည်ဖြစ်ပြီး CCZ သည် ဆွဲနေစဉ် အစာကျွေးခြင်းနှင့် အရည်ပျော်ခြင်းကို သိရှိနိုင်ပြီး၊ RCZ သည် အတော်လေးရင့်ကျက်ပြီး အနာဂတ်တွင် နည်းပညာတိုးတက်မှုအတွက် နေရာအနည်းငယ်သာရှိသည်။ CCZ သည် ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချခြင်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ခြင်း၏ အားသာချက်များရှိပြီး လျင်မြန်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်တွင် ရှိနေပါသည်။ ကုန်ကျစရိတ်သတ်မှတ်ချက်အရ၊ ကြိမ်လုံးတစ်လုံးမဆွဲမီ 8 နာရီခန့်ကြာသည့် RCZ နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက CCZ သည် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို များစွာတိုးတက်စေကာ ဤအဆင့်ကိုဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်နှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။ စုစုပေါင်းမီးဖိုတစ်ခုတည်း၏ထွက်ရှိမှုသည် RCZ ထက် 20% ပိုများသည်။ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် RCZ ထက် 10% ထက် ပိုနိမ့်သည်။ ထိရောက်မှုအရ၊ CCZ သည် crucible ၏သက်တမ်း (နာရီ 250) အတွင်း 8-10 single crystal silicon rods များကို အပြီးသတ်နိုင်ပြီး RCZ သည် 4 ကြိမ်ခန့်သာ ပြီးစီးနိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှု၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို 100-150% တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ . အရည်အသွေးအရ၊ CCZ သည် ပိုမိုတူညီသောခုခံနိုင်စွမ်း၊ အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှုနည်းပြီး သတ္တုအညစ်အကြေးများစုပုံခြင်းနှေးကွေးသောကြောင့် ၎င်းသည် လျင်မြန်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကာလတွင်ရှိသော n-type single crystal silicon wafers ပြင်ဆင်မှုအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ အချို့သော တရုတ်ကုမ္ပဏီများသည် ၎င်းတို့တွင် CCZ နည်းပညာရှိကြောင်း ကြေညာထားပြီး၊ granular silicon-CCZ-n-type monocrystalline silicon wafers များ၏လမ်းကြောင်းသည် အခြေခံအားဖြင့် ရှင်းလင်းနေပြီး 100% granular silicon ပစ္စည်းများကိုပင် စတင်အသုံးပြုနေပြီဖြစ်သည်။ . အနာဂတ်တွင်၊ CCZ သည် အခြေခံအားဖြင့် RCZ ကိုအစားထိုးမည်ဖြစ်သော်လည်း ၎င်းသည် တိကျသောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုယူရမည်ဖြစ်သည်။

monocrystalline silicon wafers ၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ဆွဲခြင်း၊ လှီးဖြတ်ခြင်း၊ လှီးဖြတ်ခြင်း၊ သန့်ရှင်းရေးနှင့် စီခြင်းတို့ကို အဆင့်လေးဆင့် ခွဲခြားထားသည်။ စိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းနည်းလမ်း ပေါ်ပေါက်လာခြင်းကြောင့် လှီးဖြတ်ခြင်း ဆုံးရှုံးမှုနှုန်းကို များစွာ လျော့ကျစေပါသည်။ ပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အထက်တွင်ဖော်ပြထားသည်။ လှီးဖြတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ စတုရန်းခွဲခြင်းနှင့် ချမ်ဖာခြင်းလုပ်ဆောင်ခြင်းများ ပါဝင်သည်။ Slicing သည် columnar silicon ကို silicon wafers များအဖြစ်သို့ဖြတ်ရန် slicing machine ကိုအသုံးပြုရခြင်းဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းရေးနှင့် စီခြင်းတို့သည် ဆီလီကွန် wafer များထုတ်လုပ်ခြင်း၏ နောက်ဆုံးအဆင့်များဖြစ်သည်။ စိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းနည်းလမ်းသည် အချိန်တိုအတွင်း စားသုံးမှုနှင့် ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းတွင် အဓိကအားဖြင့် ထင်ဟပ်စေသည့် ရိုးရာအင်္ဂတေဝိုင်ယာဖြတ်ခြင်းနည်းလမ်းထက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်များရှိသည်။ စိန်ဝိုင်ယာကြိုး၏ အမြန်နှုန်းသည် ရိုးရာဖြတ်တောက်မှုထက် ငါးဆဖြစ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ တစ်ခုတည်းသော wafer ဖြတ်တောက်ခြင်းအတွက်၊ ရိုးရာအင်္ဂတေဝိုင်ယာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် 10 နာရီခန့်ကြာမြင့်ပြီး စိန်ဝိုင်ယာဖြတ်တောက်ခြင်း 2 နာရီခန့်သာကြာပါသည်။ စိန်ဝိုင်ယာဖြတ်တောက်ခြင်း၏ ဆုံးရှုံးမှုမှာလည်း အတော်လေးသေးငယ်ပြီး စိန်ဝါယာကြိုးဖြတ်ခြင်းကြောင့် ပျက်စီးသည့်အလွှာသည် ပိုမိုပါးလွှာသော ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို ဖြတ်တောက်ရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေသည့် အင်္ဂတေဝိုင်ယာကြိုးဖြတ်ခြင်းထက် သေးငယ်ပါသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ဖြတ်တောက်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန်အတွက် ကုမ္ပဏီများသည် စိန်ဝါယာကြိုးများကို လှီးဖြတ်သည့်နည်းလမ်းများကို ပြောင်းလဲအသုံးပြုလာကြပြီး စိန်ဝိုင်ယာဘတ်စ်တုံးများ၏ အချင်းသည် နိမ့်ပါးလာပါသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ စိန်ဝိုင်ယာဘစ်ဘား၏အချင်းသည် 43-56 μm ရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ monocrystalline silicon wafers အတွက်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာကြိုး busbar ၏အချင်းသည် အလွန်လျော့နည်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး ဆက်လက်ကျဆင်းသွားမည်ဖြစ်သည်။ 2025 နှင့် 2030 ခုနှစ်တွင်၊ monocrystalline silicon wafers များကိုဖြတ်တောက်ရာတွင်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာကြိုး busbars များ၏အချင်းများသည် 36 μm နှင့် 33 μm အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်ပြီး polycrystalline silicon wafers များကိုဖြတ်ရန်အသုံးပြုသောစိန်ဝါယာကြိုးများ၏အချင်းသည် 51 μm ဖြစ်လိမ့်မည် နှင့် 51 μm အသီးသီးရှိသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် polycrystalline silicon wafers များတွင် အပြစ်အနာအဆာများနှင့် အညစ်အကြေးများစွာရှိနေသောကြောင့်ဖြစ်ပြီး ပါးလွှာသောဝါယာကြိုးများသည် ကျိုးကြေလွယ်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် polycrystalline silicon wafer ဖြတ်တောက်ရာတွင်အသုံးပြုသော စိန်ဝိုင်ယာ busbar ၏ အချင်းသည် monocrystalline silicon wafers များထက် ပိုကြီးပြီး polycrystalline silicon wafers များ၏ စျေးကွက်ဝေစု တဖြည်းဖြည်း လျော့နည်းလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်းကို polycrystalline silicon စိန်၏ အချင်း လျော့ပါးစေရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ အချပ်များဖြင့် ဖြတ်ထားသော ဝါယာကြိုးများ နှေးကွေးသွားသည်။

လက်ရှိတွင်၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို အဓိကအားဖြင့် polycrystalline silicon wafers နှင့် monocrystalline silicon wafers ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားထားပါသည်။ Monocrystalline silicon wafers များသည် တာရှည် ဝန်ဆောင်မှု သက်တမ်း နှင့် photoelectric ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှု မြင့်မားသော အားသာချက်များ ရှိသည်။ Polycrystalline silicon wafers များသည် မတူညီသော crystal plane orientations များဖြင့် crystal grains များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ တစ်ခုတည်းသော crystal silicon wafers များကို ကုန်ကြမ်းအဖြစ် polycrystalline silicon ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး တူညီသော crystal plane orientation ရှိသည်။ ပုံပန်းသဏ္ဌာန်အားဖြင့်၊ polycrystalline silicon wafers နှင့် single crystal silicon wafers များသည် အပြာ-အနက်ရောင်နှင့် အနက်ရောင်-အညိုရောင်ဖြစ်သည်။ နှစ်ခုလုံးကို polycrystalline silicon ingots နှင့် monocrystalline silicon rods တို့မှ ဖြတ်တောက်ထားသောကြောင့် ပုံသဏ္ဍာန်များသည် စတုရန်းနှင့် တစ်ပိုင်းစတုရန်းဖြစ်သည်။ polycrystalline silicon wafers နှင့် monocrystalline silicon wafers များ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းမှာ နှစ် 20 ခန့်ဖြစ်သည်။ ထုပ်ပိုးမှုနည်းလမ်းနှင့် အသုံးပြုမှုပတ်ဝန်းကျင် သင့်လျော်ပါက ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် 25 နှစ်ကျော်အထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ monocrystalline silicon wafers များ၏ သက်တမ်းသည် polycrystalline silicon wafers များထက် အနည်းငယ်ပိုရှည်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ monocrystalline silicon wafers များသည် photoelectric ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုတွင် အနည်းငယ်ပိုကောင်းပြီး ၎င်းတို့၏ dislocation density နှင့် metal impurities များသည် polycrystalline silicon wafers များထက် များစွာသေးငယ်ပါသည်။ အကြောင်းရင်းအမျိုးမျိုး၏ ပေါင်းစပ်အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် လူနည်းစုသယ်ဆောင်သူ၏ သက်တမ်းတစ်လျှောက်တွင် polycrystalline silicon wafers များထက် အဆများစွာ မြင့်မားစေသည်။ ထို့ကြောင့် ပြောင်းလဲခြင်း၏ အကျိုးကျေးဇူးကို ပြသသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ polycrystalline silicon wafers များ၏ အမြင့်ဆုံးပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှု 21% ဝန်းကျင်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး monocrystalline silicon wafers များ၏ 24.2% အထိရှိလာမည်ဖြစ်ပါသည်။

တာရှည်ခံခြင်းနှင့် ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုအပြင်၊ monocrystalline silicon wafers များသည် ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုနှင့် ဆီလီကွန် wafer ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန် အထောက်အကူဖြစ်စေသည့် ပါးလွှာခြင်း၏ အားသာချက်လည်း ဖြစ်သော်လည်း အကွဲအပြဲနှုန်း တိုးလာမှုကို အာရုံစိုက်ပါ။ ဆီလီကွန် wafers များ ပါးလွှာခြင်း သည် ထုတ်လုပ်မှု ကုန်ကျစရိတ်ကို လျော့ပါးစေပြီး လက်ရှိ လှီးဖြတ်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပါးလွှာခြင်း လိုအပ်ချက်များကို အပြည့်အဝ ဖြည့်ဆည်း ပေးနိုင်သော်လည်း ဆီလီကွန် ဝေဖာများ၏ အထူသည် downstream cell နှင့် အစိတ်အပိုင်းများ ထုတ်လုပ်မှု လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရပါမည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်၊ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ဆီလီကွန် wafers များ၏အထူသည် လျော့ကျလာပြီး polycrystalline silicon wafers များ၏အထူသည် monocrystalline silicon wafers များထက် သိသိသာသာပိုကြီးပါသည်။ Monocrystalline silicon wafers များကို n-type silicon wafers နှင့် p-type silicon wafers များအဖြစ် ခွဲခြားထားပြီး n-type silicon wafers များတွင် TOPCon ဘက်ထရီအသုံးပြုမှုနှင့် HJT ဘက်ထရီအသုံးပြုမှုတို့ ပါဝင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ polycrystalline silicon wafers များ၏ပျမ်းမျှအထူသည် 178μm ဖြစ်ပြီး၊ အနာဂတ်တွင် ဝယ်လိုအားမရှိခြင်းသည် ၎င်းတို့အား ဆက်လက်ပါးလွှာစေရန် တွန်းအားပေးမည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ အထူသည် 2022 မှ 2024 ခုနှစ်အတွင်း အနည်းငယ်လျော့ကျသွားမည်ဖြစ်ပြီး အထူသည် 2025 ခုနှစ်နောက်ပိုင်း 170μm ခန့်တွင် ကျန်ရှိနေမည်ဟု ခန့်မှန်းရပါသည်။ p-type monocrystalline silicon wafers များ၏ ပျမ်းမျှအထူသည် 170μm ခန့်ရှိပြီး ၎င်းသည် 2025 နှင့် 2030 ခုနှစ်တွင် 155μm နှင့် 140μm သို့ ကျဆင်းသွားဖွယ်ရှိသည်။ N-type monocrystalline silicon wafers များထဲတွင်၊ HJT cells အတွက်အသုံးပြုသော silicon wafers များ၏ အထူသည် 150μm၊ နှင့် TOPCon ဆဲလ်များအတွက် အသုံးပြုသော n-type ဆီလီကွန် wafers များ၏ ပျမ်းမျှအထူသည် 165μm ဖြစ်သည်။ 135μm။

ထို့အပြင်၊ polycrystalline silicon wafers များ၏ထုတ်လုပ်မှုသည် monocrystalline silicon wafers များထက် ဆီလီကွန်ပိုမိုစားသုံးသော်လည်း ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များသည် အတော်လေးရိုးရှင်းပြီး polycrystalline silicon wafers များအတွက် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစေသည်။ polycrystalline silicon wafers နှင့် monocrystalline silicon wafers များအတွက် အသုံးများသော ကုန်ကြမ်းအဖြစ် Polycrystalline silicon သည် နှစ်မျိုး၏ သန့်စင်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှု အဆင့်များ ကွာခြားမှုကြောင့် နှစ်မျိုးထုတ်လုပ်ရာတွင် စားသုံးမှု ကွဲပြားပါသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ polycrystalline ingot ၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် 1.10 ကီလိုဂရမ်/kg ဖြစ်သည်။ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် အကန့်အသတ်ရှိသော ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုသည် အနာဂတ်တွင် သေးငယ်သော အပြောင်းအလဲများကို ဖြစ်ပေါ်စေမည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။ ဆွဲတံ၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုသည် 1.066 ကီလိုဂရမ်/ကီလိုဂရမ်ဖြစ်ပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန် နေရာအချို့ရှိသည်။ 2025 နှင့် 2030 တွင် 1.05 kg/kg နှင့် 1.043 kg/kg အသီးသီးရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ဆွဲလှံတံ၏ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးနှင့် ကြိတ်ခွဲခြင်းဆုံးရှုံးခြင်း၊ ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်ကို တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ခြင်း၊ primers အချိုးအစားကို လျှော့ချခြင်း၊ တိကျစွာထိန်းချုပ်ခြင်းနှင့် အမျိုးအစားခွဲခြင်းတို့ကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် အောင်မြင်နိုင်ပါသည်။ ပျက်ဆီးသွားသော ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကို စီမံဆောင်ရွက်သည့် နည်းပညာ၊ polycrystalline silicon wafers များ၏ ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှု မြင့်မားသော်လည်း၊ polycrystalline silicon wafers များ၏ ထုတ်လုပ်မှု ကုန်ကျစရိတ်မှာ polycrystalline silicon ingots များကို hot-melting ingot casting ဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပြီး monocrystalline silicon ingot များကို Czochralski single crystal furaces များတွင် ကြီးထွားမှုနှေးကွေးစွာဖြင့် ထုတ်လုပ်သောကြောင့်၊ ၎င်းသည်အတော်လေးမြင့်မားသောပါဝါကိုစားသုံးသည်။ နိမ့်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ monocrystalline silicon wafers များ၏ပျမ်းမျှထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်မှာ 0.673 ယွမ်/W ခန့်ရှိပြီး polycrystalline silicon wafers များ၏ 0.66 ယွမ်/W ရှိသည်။

ဆီလီကွန် wafer ၏ အထူ လျော့နည်းလာပြီး စိန်ဝါယာကြိုး busbar ၏ အချင်း လျော့နည်းလာသည်နှင့်အမျှ ဆီလီကွန်ချောင်းများ/အချင်း တူညီသော အချင်း တစ်ကီလိုဂရမ်၏ အထွက်တိုးလာကာ တူညီသော အလေးချိန်ရှိသော crystal silicon rods များ အရေအတွက်သည် ထိုထက် ပိုများလိမ့်မည် ။ polycrystalline silicon ingots များ။ ပါဝါသတ်မှတ်ချက်အရ၊ ဆီလီကွန် wafer တစ်ခုစီတွင် အသုံးပြုသည့် ပါဝါသည် အမျိုးအစားနှင့် အရွယ်အစားအလိုက် ကွဲပြားသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် p-type 166mm အရွယ်အစားရှိ monocrystalline စတုရန်းတုံးများ၏ထွက်ရှိမှုသည် တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 64 pieces ခန့်ရှိပြီး polycrystalline square ingots များ၏ထွက်ရှိမှုသည် 59 pieces ခန့်ဖြစ်သည်။ p-type single crystal silicon wafers များထဲတွင်၊ 158.75mm အရွယ်အစား monocrystalline square rods များ၏ output သည် တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 70 pieces ခန့်၊ p-type 182mm size single crystal square rods များ၏ output သည် တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 53 pieces ခန့်ရှိပြီး p ၏ထွက်ရှိမှု၊ -type 210mm အရွယ်အစား single crystal rods သည် တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 53 pieces ခန့်ရှိသည်။ စတုရန်းဘား၏အထွက်သည်အပိုင်းပိုင်း ၄၀ ခန့်ဖြစ်သည်။ 2022 မှ 2030 ခုနှစ်အတွင်း၊ ဆီလီကွန် wafers များ စဉ်ဆက်မပြတ် ပါးလွှာခြင်းသည် တူညီသော ထုထည်ရှိ ဆီလီကွန်ချောင်းများ အရေအတွက် တိုးလာမည်မှာ သေချာပါသည်။ စိန်ဝါယာကြိုး busbar ၏သေးငယ်သောအချင်းနှင့် အလတ်စားအမှုန်အမွှားအရွယ်အစားသည်လည်း ဖြတ်တောက်ခြင်းဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ထုတ်လုပ်သော wafer အရေအတွက်ကို တိုးမြင့်စေပါသည်။ ပမာဏ။ 2025 နှင့် 2030 ခုနှစ်များတွင် p-type 166mm အရွယ်အစား monocrystalline square rods များ၏ထွက်ရှိမှုသည် တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် 71 နှင့် 78 pieces ခန့်ရှိပြီး polycrystalline square ingots များ၏ထွက်ရှိမှုသည် 62 နှင့် 62 အပိုင်းခန့်ရှိကြောင်း၊ polycrystalline silicon wafers ၏မျှဝေမှု သိသိသာသာနည်းပညာတိုးတက်မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေရန်ခက်ခဲသည်။ ဆီလီကွန် wafers များ၏ မတူညီသော အမျိုးအစားများနှင့် အရွယ်အစား ပါဝါ ကွာခြားမှု ရှိပါသည်။ ကြေငြာချက်များအရ 158.75mm ဆီလီကွန် wafers များ၏ ပျမ်းမျှပါဝါသည် 5.8W/piece ခန့်၊ 166mm size silicon wafers များ၏ ပျမ်းမျှ power သည် 6.25W/piece ခန့်ဖြစ်ပြီး 182mm silicon wafers များ၏ ပျမ်းမျှ power သည် 6.25W/piece ခန့်ဖြစ်သည် ။ . အရွယ်အစား ဆီလီကွန် wafer ၏ ပျမ်းမျှ ပါဝါသည် 7.49W/piece ခန့် ဖြစ်ပြီး 210mm အရွယ်အစား ဆီလီကွန် wafer ၏ ပျမ်းမျှ ပါဝါသည် 10W/piece ခန့် ဖြစ်သည်။

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ ဆီလီကွန် wafers များသည် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဦးတည်ချက်ဖြင့် တဖြည်းဖြည်း ဖွံ့ဖြိုးလာပြီး ကြီးမားသောအရွယ်အစားသည် ဆဲလ်များ၏ ဆီလီကွန်မဟုတ်သော ကုန်ကျစရိတ်ကို ချေဖျက်ပေးခြင်းဖြင့် ချစ်ပ်တစ်ခုတည်း၏ ပါဝါကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် ကြီးမားသောအရွယ်အစားသည် အထောက်အကူဖြစ်စေသည်။ သို့သော်၊ ဆီလီကွန် wafers များ၏ အရွယ်အစား ချိန်ညှိမှုသည် အထက်ပိုင်းနှင့် အောက်ပိုင်း ကိုက်ညီမှုနှင့် စံချိန်စံညွှန်းသတ်မှတ်ခြင်းဆိုင်ရာ ပြဿနာများ၊ အထူးသဖြင့် ဝန်နှင့် မြင့်မားသော လက်ရှိပြဿနာများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ ဆီလီကွန် wafer အရွယ်အစား 182mm နှင့် 210mm အရွယ်အစား တို့၏ အနာဂတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ဦးတည်ချက်နှင့် ပတ်သက်၍ ဈေးကွက်တွင် စခန်းနှစ်ခုရှိသည်။ 182mm ၏ အဆိုပြုချက်သည် photovoltaic cells များ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ခြင်း၊ module များ၏ ပါဝါနှင့် ထိရောက်မှု နှင့် upstream နှင့် downstream အကြား ပေါင်းစပ်ညှိနှိုင်းမှုအပေါ် အခြေခံ၍ 182mm ၏ အဆိုပြုချက်သည် အဓိကအားဖြင့် ဒေါင်လိုက်စက်မှုလုပ်ငန်း ပေါင်းစည်းခြင်း၏ ရှုထောင့်မှဖြစ်သည်။ 210mm သည် အဓိကအားဖြင့် ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် စနစ်ကုန်ကျစရိတ်၏ရှုထောင့်မှဖြစ်သည်။ Single-furnace rod ပုံဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် 210mm ဆီလီကွန် wafer များ၏ထွက်ရှိမှုသည် 15% ထက် တိုးလာပြီး အောက်ပိုင်းဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်မှာ 0.02 ယွမ်/W ခန့် လျော့ကျသွားကာ ဓာတ်အားပေးစက်ရုံတည်ဆောက်မှု စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်မှာ 0.1 ယွမ်/ခန့် လျော့ကျသွားခဲ့သည်။ ဒဗလျူ။ လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်တွင်၊ 166mm အောက်အရွယ်အစားရှိ ဆီလီကွန် wafer များကို တဖြည်းဖြည်း ဖယ်ရှားပစ်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ 210mm silicon wafers များ၏ အထက်ပိုင်းနှင့် အောက်ပိုင်း ကိုက်ညီသည့် ပြဿနာများကို တဖြည်းဖြည်း ထိရောက်စွာ ဖြေရှင်းနိုင်မည်ဖြစ်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်သည် လုပ်ငန်းများ၏ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုကို ထိခိုက်စေသည့် ပိုမိုအရေးကြီးသော အချက်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ 210mm silicon wafers ၏စျေးကွက်ဝေစုတိုးလာလိမ့်မည်။ မှန်မှန်မြင့်တက်; 182mm silicon wafer သည် ဒေါင်လိုက်ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ၎င်း၏အားသာချက်များကြောင့် စျေးကွက်တွင် ပင်မအရွယ်အစားဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး၊ သို့သော် 210mm silicon wafer application technology ၏အောင်မြင်မှုများနှင့်အတူ 182mm သည် ၎င်းကိုအသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း ဈေးကွက်တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုရန် ခက်ခဲနေသောကြောင့် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန် wafers များ၏ လုပ်အားကုန်ကျစရိတ်နှင့် တပ်ဆင်မှုအန္တရာယ်မှာ အလွန်တိုးမြင့်လာမည်ဖြစ်သောကြောင့် နှိမ်ရန်ခက်ခဲသည့်အတွက်၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့် စနစ်ကုန်ကျစရိတ်များကို သက်သာစေသည်။ . 2021 ခုနှစ်တွင် စျေးကွက်ရှိ ဆီလီကွန် wafer အရွယ်အစားများသည် 156.75mm၊ 157mm၊ 158.75mm၊ 166mm၊ 182mm၊ 210mm စသည်တို့ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အနက် 158.75mm နှင့် 166mm အရွယ်အစားသည် စုစုပေါင်း 15mm ၏ 50% ဖြစ်ပြီး အရွယ်အစားမှာ 50% ဖြစ်သည်။ နောင်တွင် တဖြည်းဖြည်း အစားထိုးမည့် 5% သို့ ကျဆင်းသွားသည်၊ 166mm သည် လက်ရှိ ဘက်ထရီထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအတွက် အဆင့်မြှင့်တင်နိုင်သည့် အကြီးဆုံးအရွယ်အစား ဖြေရှင်းချက်ဖြစ်ပြီး လွန်ခဲ့သည့် နှစ်နှစ်အတွင်း အကြီးဆုံးအရွယ်အစား ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ အကူးအပြောင်းအရွယ်အစားအရ၊ စျေးကွက်ဝေစုသည် 2030 တွင် 2% ထက်နည်းလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ 182mm နှင့် 210mm ပေါင်းစပ်အရွယ်အစားသည် 2021 ခုနှစ်တွင် 45% ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး အနာဂတ်တွင် စျေးကွက်ဝေစု လျင်မြန်စွာ တိုးလာမည်ဖြစ်ပါသည်။ 2030 တွင်စုစုပေါင်းစျေးကွက်ဝေစု 98% ကျော်လွန်လိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ monocrystalline silicon ၏စျေးကွက်ဝေစုသည်ဆက်လက်တိုးလာခဲ့ပြီး၎င်းသည်စျေးကွက်တွင်အဓိကရေစီးကြောင်းအနေအထားကိုသိမ်းပိုက်ခဲ့သည်။ 2012 မှ 2021 ခုနှစ်အထိ၊ monocrystalline silicon ၏အချိုးအစားသည် 20% အောက်မှ 93.3% သို့ သိသိသာသာတိုးလာသည်။ 2018 ခုနှစ်တွင်၊ စျေးကွက်ရှိဆီလီကွန် wafers များသည် အဓိကအားဖြင့် polycrystalline silicon wafers များဖြစ်ပြီး 50% ကျော်ရှိသည်။ အဓိကအကြောင်းရင်းမှာ monocrystalline silicon wafers များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များသည် ကုန်ကျစရိတ် အားနည်းချက်များကို မဖုံးကွယ်နိုင်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်သည်။ 2019 ခုနှစ်မှစ၍၊ monocrystalline silicon wafers များ၏ photoelectric ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် polycrystalline silicon wafers များထက် သိသိသာသာ ကျော်လွန်သွားခဲ့ပြီး monocrystalline silicon wafers များ၏ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့်အတူ ဆက်လက်ကျဆင်းလာခဲ့ပြီး monocrystalline silicon wafers များ၏ စျေးကွက်ဝေစုသည် ဆက်လက်တိုးလာလျက်ရှိပါသည်။ စျေးကွက်တွင်အဓိကရေစီးကြောင်း။ ထုတ်ကုန်။ monocrystalline silicon wafers များ၏အချိုးအစားသည် 2025 ခုနှစ်တွင် 96% ခန့်အထိရှိလာမည်ဖြစ်ပြီး monocrystalline silicon wafers များ၏စျေးကွက်ဝေစုသည် 2030 တွင် 97.7% အထိရှိလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။ (Report source: Future Think Tank)

1။၃။ ဘက်ထရီများ- PERC ဘက်ထရီများသည် စျေးကွက်ကို လွှမ်းမိုးထားပြီး N-type ဘက်ထရီများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

photovoltaic လုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ midstream link တွင် photovoltaic cells နှင့် photovoltaic cell module များပါဝင်သည်။ ဆဲလ်များထဲသို့ ဆီလီကွန် wafer များကို ပြုပြင်ခြင်းသည် photoelectric အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းကို အကောင်အထည်ဖော်ရန် အရေးကြီးဆုံးအဆင့်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ဝေဖာမှ သမားရိုးကျဆဲလ်တစ်ခုကို လုပ်ဆောင်ရန် အဆင့်ခုနစ်ဆင့်ခန့် ကြာသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ဆီလီကွန် wafer ကို hydrofluoric acid ထဲသို့ ထည့်ပြီး ၎င်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပိရမစ်ကဲ့သို့သော suede ပုံစံကို ထုတ်လုပ်ရန်၊ ထို့ကြောင့် နေရောင်ခြည်၏ ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို လျှော့ချပြီး အလင်းစုပ်ယူမှု တိုးလာစေသည်။ ဒုတိယအချက်မှာ Phosphorus သည် PN လမ်းဆုံတစ်ခုအဖြစ် ဆီလီကွန် wafer ၏တစ်ဖက်မျက်နှာပြင်တွင် ပျံ့နှံ့သွားပြီး ၎င်း၏အရည်အသွေးသည် ဆဲလ်များ၏ထိရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။ တတိယအချက်မှာ ဆဲလ်၏ short circuit ကိုကာကွယ်ရန် diffusion stage တွင် silicon wafer ၏ဘေးဘက်ရှိ PN လမ်းဆုံကိုဖယ်ရှားရန်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်ဖလင်အလွှာကို အလင်းရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် တစ်ချိန်တည်းတွင် ထိရောက်မှုတိုးစေရန် PN လမ်းဆုံကို ဖွဲ့စည်းထားသည့် ဘေးဘက်တွင် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ ပဉ္စမအချက်မှာ photovoltaics မှထုတ်လုပ်သော လူနည်းစုသယ်ဆောင်သူများကိုစုဆောင်းရန်အတွက် ဆီလီကွန် wafer ၏ရှေ့နှင့်နောက်ဘက်ရှိ သတ္တုလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို ပုံနှိပ်ထုတ်ဝေရန်ဖြစ်သည်။ ပုံနှိပ်စင်တွင် ရိုက်နှိပ်ထားသော ဆားကစ်ကို မီးရှို့ပြီး ဖွဲ့စည်းထားကာ ၎င်းကို ဆီလီကွန်ဝေဖာ၊ ဆဲလ်၊ နောက်ဆုံးတွင်၊ မတူညီသောထိရောက်မှုရှိသောဆဲလ်များကိုခွဲခြားထားသည်။

ပုံဆောင်ခဲများဖြစ်သော ဆီလီကွန်ဆဲလ်များကို အများအားဖြင့် ဆီလီကွန် wafers များဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး၊ ဆီလီကွန် wafer အမျိုးအစားအလိုက် p-type ဆဲလ်များနှင့် n-type ဆဲလ်များအဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်။ ၎င်းတို့အနက် N-type ဆဲလ်များသည် ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားပြီး မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း p-type ဆဲလ်များကို တဖြည်းဖြည်း အစားထိုးလာကြသည်။ P-type silicon wafers များကို boron ဖြင့် doping silicon ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး n-type silicon wafers များကို phosphorus ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ ထို့ကြောင့်၊ n-type silicon wafer တွင် ဘိုရွန်ဒြပ်စင်၏ အာရုံစူးစိုက်မှုသည် နိမ့်ပါးသဖြင့် ဘိုရွန်-အောက်ဆီဂျင် ရှုပ်ထွေးမှုကို ဟန့်တားကာ၊ ဆီလီကွန်ပစ္စည်း၏ လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူ၏ သက်တမ်းကို တိုးတက်စေကာ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဓါတ်ပုံ-နှိုက်နှိုက်နှိုက်ချွတ်ချွတ် လျှော့ကျခြင်း မရှိပေ။ ဘက်ထရီထဲမှာ။ ထို့အပြင် n-type minority carriers များသည် hole များ၊ p-type minority carriers များသည် electrons များဖြစ်ပြီး holes များအတွက် impurity atom အများစု၏ ကန့်လန့်ဖြတ်အပိုင်းသည် အီလက်ထရွန်ထက် သေးငယ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ n-type cell ၏ လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူ၏ သက်တမ်းသည် မြင့်မားပြီး photoelectric ပြောင်းလဲမှုနှုန်း ပိုများသည်။ ဓာတ်ခွဲခန်းအချက်အလက်များအရ p-type ဆဲလ်များ၏ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်၏အထက်ကန့်သတ်ချက်မှာ 24.5% ရှိပြီး n-type ဆဲလ်များ၏ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် 28.7% အထိရှိသောကြောင့် n-type ဆဲလ်များသည် အနာဂတ်နည်းပညာ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဦးတည်ချက်ကိုကိုယ်စားပြုသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ n-type ဆဲလ်များ (အဓိကအားဖြင့် heterojunction cells နှင့် TOPCon ဆဲလ်များအပါအဝင်) သည် ကုန်ကျစရိတ်အတော်လေးမြင့်မားပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှု၏အတိုင်းအတာသည် သေးငယ်နေသေးသည်။ လက်ရှိဈေးကွက်ဝေစုသည် 3% ခန့်ရှိပြီး အခြေခံအားဖြင့် 2020 နှင့်တူညီသည်။

2021 ခုနှစ်တွင်၊ n-type ဆဲလ်များ၏ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် သိသိသာသာတိုးတက်လာမည်ဖြစ်ပြီး လာမည့်ငါးနှစ်အတွင်း နည်းပညာဆိုင်ရာတိုးတက်မှုအတွက် နေရာပိုရှိလာမည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် p-type monocrystalline cells ၏အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုသည် PERC နည်းပညာကိုအသုံးပြုမည်ဖြစ်ပြီး ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုသည် 23.1% သို့ရောက်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး 2020 နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက 0.3 ရာခိုင်နှုန်းတိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ PERC နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ polycrystalline black silicon ဆဲလ်များ၏ ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှုသည် 2020 ခုနှစ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 21.0% ရှိလာပါမည်။ နှစ်စဉ် 0.2 ရာခိုင်နှုန်း တိုးလာပါသည်။ သမားရိုးကျ polycrystalline black silicon ဆဲလ်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှုသည် အားကောင်းခြင်းမရှိပါ၊ 2021 ခုနှစ်တွင် ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုမှာ 19.5% ခန့်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး 0.1 ရာခိုင်နှုန်းအမှတ်သာ ပိုမိုမြင့်မားမည်ဖြစ်ပြီး အနာဂတ်ထိရောက်မှုမြှင့်တင်မည့်နေရာ အကန့်အသတ်ရှိသည်။ ingot monocrystalline PERC ဆဲလ်များ၏ ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် 22.4% ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် monocrystalline PERC ဆဲလ်များ၏ 0.7 ရာခိုင်နှုန်းအမှတ်များထက် နိမ့်ပါသည်။ n-type TOPCon ဆဲလ်များ၏ ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် 24% နှင့် heterojunction ဆဲလ်များ၏ ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် 24.2% အထိ 2020 ခုနှစ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက များစွာတိုးတက်ကောင်းမွန်လာပြီး IBC ဆဲလ်များ၏ ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှု 24.2% အထိ ရောက်ရှိသွားသည်။ အနာဂတ်တွင် နည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ TBC နှင့် HBC ကဲ့သို့သော ဘက်ထရီနည်းပညာများသည်လည်း ဆက်လက်တိုးတက်နေပေလိမ့်မည်။ အနာဂတ်တွင်၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချခြင်းနှင့် အထွက်နှုန်းတိုးတက်ခြင်းတို့နှင့်အတူ N-type ဘက္ထရီများသည် ဘက်ထရီနည်းပညာ၏ အဓိကဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။

ဘက်ထရီနည်းပညာလမ်းကြောင်း၏ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် ဘက်ထရီနည်းပညာ၏ ထပ်ခါထပ်ခါမွမ်းမံမှုသည် PERC တိုးတက်မှုအပေါ်အခြေခံ၍ BSF၊ PERC၊ TOPCon နှင့် PERC ကို ဖျက်စီးနိုင်သောနည်းပညာအသစ်တစ်ခုဖြစ်သည့် HJT၊ TOPCon ကို TBC အဖြစ် IBC နှင့် ထပ်မံပေါင်းစပ်နိုင်ပြီး HJT ကိုလည်း HBC ဖြစ်လာစေရန် IBC နှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ P-type monocrystalline cells များသည် PERC နည်းပညာကို အဓိကအသုံးပြုသည်၊ p-type polycrystalline cells များတွင် polycrystalline black silicon cells နှင့် ingot monocrystalline cells များပါဝင်သည်၊ နောက်ပိုင်းတွင် monocrystalline seed crystals များကို သမရိုးကျ polycrystalline ingot လုပ်ငန်းစဉ်၏ အခြေခံ၍ ပေါင်းထည့်ခြင်း၊ directional solidification ထို့နောက်၊ စတုရန်းဆီလီကွန် ingot ကိုဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ တစ်ခုတည်းသော crystal နှင့် polycrystalline ရောစပ်ထားသော ဆီလီကွန် wafer ကို လုပ်ငန်းစဉ်များ ဆက်တိုက်ပြုလုပ်သည်။ ၎င်းသည် polycrystalline ပြင်ဆင်မှုလမ်းကြောင်းကို အခြေခံအားဖြင့် အသုံးပြုသောကြောင့်၊ ၎င်းသည် p-type polycrystalline cells အမျိုးအစားတွင် ပါဝင်ပါသည်။ N-type ဆဲလ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် TOPCon monocrystalline ဆဲလ်များ၊ HJT monocrystalline ဆဲလ်များနှင့် IBC monocrystalline ဆဲလ်များ ပါဝင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအသစ်များကို PERC ဆဲလ်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများက ဆက်လက်လွှမ်းမိုးထားမည်ဖြစ်ပြီး PERC ဆဲလ်များ၏ စျေးကွက်ဝေစုသည် 91.2% အထိ တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ ပြင်ပနှင့် အိမ်သုံးပရောဂျက်များအတွက် ထုတ်ကုန်ဝယ်လိုအားသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ထုတ်ကုန်များပေါ်တွင် အာရုံစိုက်နေသောကြောင့် BSF ဘက်ထရီများ၏ စျေးကွက်ဝေစုသည် 2021 ခုနှစ်တွင် 8.8% မှ 5% သို့ ကျဆင်းသွားမည်ဖြစ်ပါသည်။

1။၄။ မော်ဂျူးများ- ဆဲလ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်သည် အဓိကအစိတ်အပိုင်းအတွက်ဖြစ်ပြီး မော်ဂျူးများ၏စွမ်းအားသည် ဆဲလ်များပေါ်တွင်မူတည်သည်။

photovoltaic module များ၏ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များတွင်အဓိကအားဖြင့်ဆဲလ်အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုနှင့် lamination ပါ ၀ င်ပြီး module ၏စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းအတွက်ဆဲလ်များပါဝင်သည်။ ဆဲလ်တစ်ခု၏ လက်ရှိနှင့် ဗို့အားသည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် ဆဲလ်များသည် ဘတ်စ်ကားဘားများမှတစ်ဆင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်ရန် လိုအပ်သည်။ ဤတွင်၊ ၎င်းတို့အား ဗို့အားတိုးမြှင့်ရန်အတွက် ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းရရှိရန် အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ထို့နောက် photovoltaic glass၊ EVA သို့မဟုတ် POE၊ ဘက်ထရီစာရွက်၊ EVA သို့မဟုတ် POE၊ နောက်ကျောစာရွက်ကို အလုံပိတ်ပြီး တိကျသောအစီအစဥ်အတိုင်း အပူဖိထားသည်။ နောက်ဆုံးတွင် အလူမီနီယမ်ဘောင်နှင့် ဆီလီကွန်တံဆိပ်ခတ်ထားသော အစွန်းများဖြင့် ကာကွယ်ထားသည်။ အစိတ်အပိုင်းထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ဖွဲ့စည်းမှု၏ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင်ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်သည် 75% တွင်အဓိကနေရာယူထားပြီး၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်၊ စွမ်းဆောင်ရည်ကုန်ကျစရိတ်နှင့်အလုပ်သမားကုန်ကျစရိတ်တို့ဖြစ်သည်။ ပစ္စည်းများ၏ကုန်ကျစရိတ်ကိုဆဲလ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်ကဦးဆောင်နေသည်။ ကုမ္ပဏီအများအပြားမှ ကြေငြာချက်များအရ ဆဲလ်များသည် photovoltaic module များ၏ စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်၏ 2/3 ခန့်ရှိသည်။

Photovoltaic module များကို များသောအားဖြင့် ဆဲလ်အမျိုးအစား၊ အရွယ်အစားနှင့် အရေအတွက်အလိုက် ပိုင်းခြားထားသည်။ မတူညီသော module များ၏စွမ်းအားတွင် ကွဲပြားမှုများရှိသော်လည်း ၎င်းတို့အားလုံးသည် မြင့်တက်လာသည့်အဆင့်တွင် ရှိနေပါသည်။ Power သည် photovoltaic modules များ၏ အဓိကညွှန်ပြချက်ဖြစ်ပြီး module ၏ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးနိုင်စွမ်းကို ကိုယ်စားပြုသည်။ မော်ဂျူးရှိဆဲလ်များ၏ အရွယ်အစားနှင့် အရေအတွက်တို့သည် တူညီသောအခါတွင်၊ module ၏ ပါဝါသည် n-type single crystal > p-type single crystal > polycrystalline; အရွယ်အစားနှင့် ပမာဏ ပိုကြီးလေ၊ module ၏ ပါဝါ ကြီးလေ၊ TOPCon တစ်ခုတည်းသော crystal module များနှင့်တူညီသောသတ်မှတ်ချက်များ၏ heterojunction modules အတွက်၊ နောက်တစ်ခု၏ပါဝါသည်ယခင်ကထက်ပိုမိုကြီးမားသည်။ CPIA ခန့်မှန်းချက်အရ လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း module power သည် တစ်နှစ်လျှင် 5-10W တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ module packaging သည် အဓိကအားဖြင့် optical loss နှင့်electric loss အပါအဝင် အချို့သော power loss ကို ယူဆောင်လာမည်ဖြစ်သည်။ ယခင်က ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများဖြစ်သည့် photovoltaic glass နှင့် EVA တို့၏ transmittance နှင့် optical လွဲမှားမှုတို့ကြောင့်ဖြစ်ပြီး နောက်ပိုင်းတွင် အဓိကအားဖြင့် ဆိုလာဆဲလ်များကို ဆက်တိုက်အသုံးပြုခြင်းကို ရည်ညွှန်းပါသည်။ ဂဟေဖဲကြိုးနှင့် ဘတ်စ်ဘားတို့ကိုယ်တိုင် ခုခံမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဆားကစ်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ဆဲလ်များ၏ အပြိုင်ချိတ်ဆက်မှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော လက်ရှိ မကိုက်ညီမှု ဆုံးရှုံးမှု၊ နှစ်ခု၏ စုစုပေါင်း ပါဝါဆုံးရှုံးမှုသည် 8% ခန့်ရှိသည်။

1။၅။ Photovoltaic တပ်ဆင်နိုင်မှု- နိုင်ငံအသီးသီး၏ မူဝါဒများသည် သိသာထင်ရှားစွာ တွန်းအားပေးနေပြီး အနာဂတ်တွင် တပ်ဆင်နိုင်စွမ်းအသစ်အတွက် နေရာများစွာ ရှိပါသည်။

ကမ္ဘာကြီးသည် သဘာဝပတ်ဝန်းကျင် ကာကွယ်ရေး ရည်မှန်းချက်အောက်တွင် အသားတင်ထုတ်လွှတ်မှု သုညအပေါ် အခြေခံအားဖြင့် သဘောတူညီမှုကို ရရှိထားပြီး၊ superimposed photovoltaic ပရောဂျက်များ၏ စီးပွားရေးသည် တဖြည်းဖြည်း ထွက်ပေါ်လာပါသည်။ နိုင်ငံများသည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်သုံး ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ရေး ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို တက်ကြွစွာ စူးစမ်းရှာဖွေနေကြသည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ နိုင်ငံများသည် ကာဗွန်ထုတ်လွှတ်မှု လျှော့ချရန် ကတိကဝတ်ပြုခဲ့ကြသည်။ အဓိက ဖန်လုံအိမ်ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုအများစုသည် သက်ဆိုင်ရာ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင် ပစ်မှတ်များကို ချမှတ်ထားပြီး ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်၏ တပ်ဆင်နိုင်စွမ်းမှာ ကြီးမားပါသည်။ 1.5 ℃ အပူချိန် ထိန်းချုပ်ရေး ပစ်မှတ်ကို အခြေခံ၍ IRENA သည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ တပ်ဆင်ပြီး ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲ စွမ်းအင် ပမာဏသည် 2030 ခုနှစ်တွင် 10.8TW သို့ ရောက်ရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ ထို့အပြင် WOODMac ဒေတာအရ တရုတ်နိုင်ငံ၊ အိန္ဒိယ၊ တရုတ်နိုင်ငံတွင် ဆိုလာစွမ်းအင် ထုတ်လုပ်သည့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ကုန်ကျစရိတ် (LCOE) အဆင့်၊ အမေရိကန်နှင့် အခြားနိုင်ငံများသည် စျေးအသက်သာဆုံး ရုပ်ကြွင်းစွမ်းအင်ထက် နိမ့်နေပြီး အနာဂတ်တွင် ပိုမိုကျဆင်းလာမည်ဖြစ်သည်။ နိုင်ငံအသီးသီးရှိ မူဝါဒများ တက်ကြွစွာ မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် photovoltaic ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်း၏ စီးပွားရေးသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ကမ္ဘာနှင့် တရုတ်နိုင်ငံတို့တွင် photovoltaic များ၏ စုစည်းတပ်ဆင်မှုစွမ်းရည်ကို ဆက်တိုက်မြင့်တက်စေခဲ့သည်။ 2012 ခုနှစ်မှ 2021 ခုနှစ်အတွင်း ကမ္ဘာပေါ်တွင် photovoltaics များ၏ စုစည်းတပ်ဆင်နိုင်စွမ်းသည် 104.3GW မှ 849.5GW သို့ တိုးလာပြီး တရုတ်နိုင်ငံတွင် photovoltaic များ၏ စုစည်းတပ်ဆင်နိုင်စွမ်းမှာ 6.7GW မှ 307GW သို့ 44 ဆကျော် တိုးလာမည်ဖြစ်ပါသည်။ ထို့အပြင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic စွမ်းရည်သည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် တပ်ဆင်နိုင်မှု စုစုပေါင်း၏ 20% ကျော်ရှိသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic ပမာဏသည် 53GW ဖြစ်ပြီး ကမ္ဘာ့အသစ်တပ်ဆင်နိုင်မှု၏ 40% ခန့်ရှိသည်။ ယင်းမှာ အဓိကအားဖြင့် တရုတ်နိုင်ငံတွင် အပေါ့စားစွမ်းအင်အရင်းအမြစ်များ ပေါများပြီး တစ်ပြေးညီ ဖြန့်ဖြူးမှု၊ ကောင်းမွန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်နေသော အထက်ပိုင်းနှင့် မြစ်အောက်ပိုင်းနှင့် အမျိုးသားရေးမူဝါဒများကို ခိုင်မာစွာ ပံ့ပိုးပေးခြင်းကြောင့် ဖြစ်သည်။ ဤကာလအတွင်း တရုတ်နိုင်ငံသည် photovoltaic ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ရာတွင် ကြီးမားသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ခဲ့ပြီး စုစည်းတပ်ဆင်နိုင်စွမ်းမှာ 6.5% အောက်သာရှိခဲ့သည်။ 36.14% သို့ ခုန်တက်သွားသည်။

အထက်ဖော်ပြပါ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအပေါ် အခြေခံ၍ CPIA သည် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ 2022 မှ 2030 ခုနှစ်အတွင်း အသစ်တိုးလာသော photovoltaic တပ်ဆင်မှုများအတွက် ခန့်မှန်းချက်ကို ပေးထားပါသည်။ အကောင်းမြင်မှုနှင့် ရှေးရိုးဆန်သော အခြေအနေများအောက်တွင်၊ ၂၀၃၀ ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ အသစ်တပ်ဆင်နိုင်မှုမှာ 366 နှင့် 315GW အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်ပြီး တရုတ်နိုင်ငံ၏ အသစ်တပ်ဆင်နိုင်စွမ်းမှာ 128, 105GW ရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းရသည်။ အောက်တွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် နှစ်စဉ် အသစ်တပ်ဆင်ထားသော စွမ်းရည်ပမာဏအပေါ်အခြေခံ၍ polysilicon လိုအပ်ချက်ကို ခန့်မှန်းပေးပါမည်။

1.၆။ photovoltaic အပလီကေးရှင်းများအတွက် polysilicon ၏လိုအပ်ချက်ခန့်မှန်းချက်

အကောင်းမြင်မှုနှင့် ရှေးရိုးဆန်သောအခြေအနေများအောက်တွင် CPIA ၏ခန့်မှန်းချက်အပေါ်အခြေခံ၍ 2022 မှ 2030 ခုနှစ်အတွင်း PV အပလီကေးရှင်းများအတွက် ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားကို ခန့်မှန်းနိုင်ပါသည်။ ဆဲလ်များသည် photoelectric အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းကို နားလည်သဘောပေါက်ရန် အဓိကခြေလှမ်းဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ဝေဖာများသည် ဆဲလ်များ၏အခြေခံကုန်ကြမ်းများနှင့် ပိုလီဆီလီကွန်၏တိုက်ရိုက်အောက်ပိုင်းဖြစ်သောကြောင့် ၎င်းသည် ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားခန့်မှန်းချက်၏အရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် ပေါက်များ တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် အလေးချိန် အပိုင်းအစ အရေအတွက်ကို တစ်ကီလိုဂရမ်လျှင် အပိုင်းပိုင်း အရေအတွက်နှင့် ဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် သတ္တုစပ်များ၏ စျေးကွက်ဝေစုမှ တွက်ချက်နိုင်သည်။ ထို့နောက် အရွယ်အစားအမျိုးမျိုးရှိ ဆီလီကွန် wafer များ၏ ပါဝါနှင့် စျေးကွက်ဝေစုအရ၊ ဆီလီကွန် wafers များ၏ အလေးချိန် ပါဝါကို ရရှိနိုင်ပြီး၊ ထို့နောက် အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic ပမာဏအရ လိုအပ်သော ဆီလီကွန် wafer အရေအတွက်ကို ခန့်မှန်းနိုင်ပါသည်။ ထို့နောက် လိုအပ်သော ဆီလီကွန်ချောင်းများနှင့် သတ္တုစပ်များ၏ အလေးချိန်ကို ဆီလီကွန် wafers အရေအတွက်နှင့် ဆီလီကွန်ချောင်းများ၏ အလေးချိန်နှင့် ကီလိုဂရမ်တွင် ဆီလီကွန်ထည့်သည့် အရေအတွက်ကြား အရေအတွက် ဆက်စပ်မှုအရ ရရှိနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ချောင်းများ/ဆီလီကွန်ထည့်ထားသော အလေးချိန်ရှိသော ဆီလီကွန်သုံးစွဲမှုနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောကြောင့် အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic စွမ်းရည်အတွက် ပိုလီဆီလီကွန် လိုအပ်ချက်ကို နောက်ဆုံးတွင် ရရှိနိုင်သည်။ ခန့်မှန်းချက်ရလဒ်များအရ လွန်ခဲ့သည့်ငါးနှစ်အတွင်း photovoltaic တပ်ဆင်မှုအသစ်များအတွက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်သည် 2027 ခုနှစ်တွင် အထွတ်အထိပ်သို့ ဆက်လက်မြင့်တက်မည်ဖြစ်ပြီး နောက်သုံးနှစ်အတွင်း အနည်းငယ်ကျဆင်းလာမည်ဖြစ်သည်။ 2025 ခုနှစ်တွင် အကောင်းမြင်ပြီး ရှေးရိုးဆန်သော အခြေအနေများအောက်တွင်၊ photovoltaic တပ်ဆင်မှုအတွက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ နှစ်အလိုက် polysilicon လိုအပ်ချက်သည် တန်ချိန် 1,108,900 နှင့် 907,800 တန် အသီးသီးရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းရပြီး 2030 ခုနှစ်တွင် photovoltaic applications များအတွက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်မှာ 1,042,100 တန်များအောက်တွင် ရှိနေမည်ဖြစ်ပါသည်။ . ၈၉၆,၉၀၀ တန်။ တရုတ်နိုင်ငံ၏ အဆိုအရ သိရသည်။ကမ္ဘာ့ photovoltaic တပ်ဆင်နိုင်မှု အချိုးအစား၊2025 ခုနှစ်တွင် photovoltaic အသုံးပြုရန်အတွက် တရုတ်၏ ပိုလီဆီလီကွန် လိုအပ်ချက်အကောင်းမြင် နှင့် ရှေးရိုးဆန်သော အခြေအနေများအောက်တွင် တန်ချိန် ၃၆၉,၆၀၀ နှင့် တန်ချိန် ၃၀၂,၆၀၀ အသီးသီး မျှော်မှန်းထားပြီး ပြည်ပသို့ တန်ချိန် ၇၃၉,၃၀၀ နှင့် တန်ချိန် ၆၀၅,၂၀၀ အသီးသီးရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။

2၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ အဆုံးဝယ်လိုအား- photovoltaic နယ်ပယ်ရှိ ဝယ်လိုအားထက် များစွာသေးငယ်ပြီး အနာဂတ်တိုးတက်မှုကို မျှော်လင့်နိုင်သည်

photovoltaic ဆဲလ်များပြုလုပ်ခြင်းအပြင်၊ ပိုလီစီလီကွန်ကို ချစ်ပ်များပြုလုပ်ရန် ကုန်ကြမ်းအဖြစ်လည်းအသုံးပြုနိုင်ပြီး မော်တော်ကားထုတ်လုပ်ခြင်း၊ စက်မှုအီလက်ထရွန်းနစ်၊ အီလက်ထရွန်နစ်ဆက်သွယ်ရေး၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ပိုင်းခြားနိုင်သော semiconductor နယ်ပယ်တွင် အသုံးပြုပါသည်။ ပိုလီဆီလီကွန်မှ ချစ်ပ်သို့ လုပ်ငန်းစဉ်ကို အဓိကအားဖြင့် အဆင့်သုံးဆင့် ခွဲထားသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ပိုလီဆီလီကွန်ကို monocrystalline silicon ingots များအဖြစ်သို့ ဆွဲထုတ်ပြီးနောက် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန် wafers များအဖြစ်သို့ ဖြတ်လိုက်ပါ။ ဆီလီကွန် wafer များကို ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ချမ်ဖာခြင်းနှင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းများ ဆက်တိုက်ထုတ်လုပ်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်ရုံ၏ အခြေခံကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ ဆီလီကွန် wafer ကို ဖြတ်တောက်ပြီး ချပ်စ်ထုတ်ကုန်များ ပြုလုပ်ရန် အမျိုးမျိုးသော ဝိသေသလက္ခဏာများ ဖန်တီးရန် လေဆာဖြင့် ထွင်းထုထားသည်။ အသုံးများသော ဆီလီကွန် wafers များတွင် အဓိကအားဖြင့် polished wafers၊ epitaxial wafers နှင့် SOI wafers တို့ ပါဝင်သည်။ Polished wafer သည် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပျက်စီးနေသော အလွှာများကို ဖယ်ရှားရန် ဆီလီကွန် wafer ကို ပွတ်ခြင်းဖြင့် ရရှိသော ပြားချပ်ချပ်ထုတ်လုပ်သည့် ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ချစ်ပ်များ၊ epitaxial wafers နှင့် SOI silicon wafers များပြုလုပ်ရန် တိုက်ရိုက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ Epitaxial wafers များကို polished wafers များ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုမှရရှိပြီး SOI silicon wafers များကို polished wafer substrate များပေါ်တွင် bonding သို့မဟုတ် ion implantation ဖြင့်ဖန်တီးထားပြီး ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်မှာ အတော်လေးခက်ခဲပါသည်။

2021 ခုနှစ်တွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာဘက်ခြမ်းရှိ ပိုလီဆီကွန်ဝယ်လိုအားသည် အေဂျင်စီ၏ခန့်မှန်းချက်နှင့်အတူ လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်း၏တိုးတက်မှုနှုန်းနှင့်ပေါင်းစပ်ကာ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်ရှိ ပိုလီဆီကွန်ဝယ်လိုအားသည် 2022 မှ 2025 အထိ အကြမ်းဖျင်းခန့်မှန်းနိုင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ပိုလီဆီလီကွန် ထုတ်လုပ်မှုသည် စုစုပေါင်း ပိုလီဆီလီကွန် ထုတ်လုပ်မှု၏ 6% ခန့်ရှိပြီး နေရောင်ခြည်တန်း ပိုလီဆီလီကွန်နှင့် အမှုန့်ကြိတ်ဆီလီကွန် 94% ခန့် ပါဝင်မည်ဖြစ်သည်။ အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ပိုလီဆီလီကွန်အများစုကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်တွင် အသုံးပြုကြပြီး အခြားပိုလီဆီလီကွန်ကို ဓာတ်ပုံဗိုတယ်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အခြေခံအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။ . ထို့ကြောင့်၊ 2021 ခုနှစ်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုခဲ့သော ပိုလီဆီလီကွန်ပမာဏသည် တန်ချိန် ၃၇,၀၀၀ ခန့်ရှိသည်ဟု ယူဆနိုင်သည်။ ထို့အပြင် FortuneBusiness Insights မှ ခန့်မှန်းထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်း၏ အနာဂတ် ဒြပ်ပေါင်းတိုးတက်မှုနှုန်းအရ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအသုံးပြုမှုအတွက် ပိုလီစီလီကွန်ဝယ်လိုအားသည် 2022 မှ 2025 ခုနှစ်အထိ နှစ်စဉ် 8.6% နှုန်းဖြင့် တိုးလာမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ ၎င်းသည် 2025 ခုနှစ်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်ရှိ ပိုလီစီကွန်သည် တန်ချိန် 51,500 ဝန်းကျင်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ (သတင်းအရင်းမြစ် - Future Think Tank)

3ပိုလီစီလီကွန် တင်သွင်းခြင်းနှင့် တင်ပို့ခြင်း- သွင်းကုန်များသည် ပို့ကုန်ထက် အဆမတန် ပိုများပြီး ဂျာမနီနှင့် မလေးရှားတို့က အချိုးအစား ပိုမိုများပြားသည်။

2021 ခုနှစ်တွင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအား၏ 18.63% ခန့်သည် သွင်းကုန်များမှလာမည်ဖြစ်ပြီး သွင်းကုန်ပမာဏသည် ပို့ကုန်ပမာဏထက် များစွာကျော်လွန်နေပါသည်။ 2017 ခုနှစ်မှ 2021 ခုနှစ်အထိ၊ polysilicon ၏ သွင်းကုန်နှင့် တင်ပို့မှုပုံစံသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း လျင်မြန်စွာတိုးတက်ခဲ့သော photovoltaic လုပ်ငန်းအတွက် ပြင်းထန်သောအောက်ပိုင်းဝယ်လိုအားကြောင့် ဖြစ်နိုင်ပြီး polysilicon လိုအပ်ချက်၏ 94% ကျော်သည် သွင်းကုန်များမှလွှမ်းမိုးထားသည်။ စုစုပေါင်းဝယ်လိုအား; ထို့အပြင်၊ ကုမ္ပဏီသည် သန့်စင်မြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အဆင့် ပိုလီဆီလီကွန်၏ ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာကို မကျွမ်းကျင်သေးသောကြောင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းစက်မှုလုပ်ငန်းအတွက် လိုအပ်သော ပိုလီစီကွန်အချို့သည် တင်သွင်းမှုအပေါ် မှီခိုနေရဆဲဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်စက်မှုလုပ်ငန်းဌာနခွဲ၏ အချက်အလက်များအရ၊ တင်သွင်းမှုပမာဏသည် 2019 နှင့် 2020 ခုနှစ်များတွင် ဆက်လက်ကျဆင်းခဲ့သည်။ 2019 ခုနှစ်တွင် polysilicon တင်သွင်းမှု ကျဆင်းရခြင်း၏ အခြေခံအကြောင်းရင်းမှာ 2018 ခုနှစ်တွင် တန်ချိန် 388,000 မှ 452,000 တန်အထိ တိုးမြှင့်ထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့သည်။ 2019။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ OCI၊ REC၊ HANWHA သည် ပြည်ပကုမ္ပဏီများဖြစ်သည့် အချို့သောပြည်ပကုမ္ပဏီများသည် ဆုံးရှုံးမှုကြောင့် ပိုလီဆီလီကွန်လုပ်ငန်းမှ နုတ်ထွက်သွားသောကြောင့် ပိုလီဆီလီကွန်၏ တင်သွင်းမှုအပေါ်မှီခိုမှုမှာ အလွန်နည်းပါးပါသည်။ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် 2020 တွင်မတိုးတက်သေးသော်လည်း၊ ကပ်ရောဂါ၏သက်ရောက်မှုကြောင့် photovoltaic ပရောဂျက်များတည်ဆောက်ရာတွင်နှောင့်နှေးမှုများဖြစ်ပေါ်စေပြီး polysilicon မှာယူမှုအရေအတွက်သည် အလားတူကာလတွင်ကျဆင်းသွားခဲ့သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် တရုတ်နိုင်ငံ၏ photovoltaic စျေးကွက်သည် လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးလာမည်ဖြစ်ပြီး ပိုလီဆီလီကွန် သုံးစွဲမှုမှာ တန်ချိန် 613,000 သို့ ရောက်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး သွင်းကုန်ပမာဏ ပြန်လည်ကောင်းမွန်လာစေရန် တွန်းအားပေးမည်ဖြစ်သည်။ လွန်ခဲ့သည့်ငါးနှစ်အတွင်း တရုတ်နိုင်ငံ၏ အသားတင်ပိုလီဆီလီကွန်တင်သွင်းမှုပမာဏသည် တန်ချိန် ၉၀,၀၀၀ မှ ၁၄၀,၀၀၀ ကြားရှိခဲ့ပြီး ၂၀၂၁ ခုနှစ်တွင် တန်ချိန် ၁၀၃,၈၀၀ ခန့်ရှိခဲ့သည်။ တရုတ်နိုင်ငံ၏ အသားတင်ပိုလီဆီလီကွန်တင်သွင်းမှုပမာဏသည် 2022 မှ 2025 ခုနှစ်အထိ တစ်နှစ်လျှင် တန်ချိန် 100,000 ဝန်းကျင်ကျန်ရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။

တရုတ်နိုင်ငံ၏ ပိုလီဆီလီကွန်တင်သွင်းမှုသည် ဂျာမနီ၊ မလေးရှား၊ ဂျပန်နှင့် ထိုင်ဝမ်၊ တရုတ်တို့မှဖြစ်ပြီး အဆိုပါလေးနိုင်ငံမှ စုစုပေါင်းတင်သွင်းမှုသည် 2021 ခုနှစ်တွင် 90.51% ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ တရုတ်၏ ပိုလီဆီလီကွန်တင်သွင်းမှု၏ 45% ခန့်သည် ဂျာမနီမှဖြစ်ပြီး 26% မလေးရှား၊ ဂျပန်မှ 13.5% နှင့် ထိုင်ဝမ်မှ 6%။ ဂျာမနီသည် နိုင်ငံရပ်ခြား ပိုလီဆီလီကွန်၏ အကြီးဆုံးရင်းမြစ်ဖြစ်သည့် ကမ္ဘာ့ပိုလီစီလီကွန်ကုမ္ပဏီကြီး WACKER ကို ပိုင်ဆိုင်ထားပြီး 2021 ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာ့စုစုပေါင်းထုတ်လုပ်မှုပမာဏ၏ 12.7% ရှိသည်။ မလေးရှားတွင် OCI မှဝယ်ယူသော ဂျပန်ကုမ္ပဏီ TOKUYAMA ၏ မလေးရှားနိုင်ငံရှိ မူရင်းထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းမှ စတင်သည့် တောင်ကိုရီးယား OCI ကုမ္ပဏီမှ ပိုလီဆီလီကွန် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်း အများအပြားရှိသည်။ OCI သည် တောင်ကိုရီးယားမှ မလေးရှားသို့ ပြောင်းရွှေ့သည့် စက်ရုံများနှင့် အချို့သော စက်ရုံများ ရှိပါသည်။ ပြောင်းရွှေ့ရသည့် အကြောင်းရင်းမှာ မလေးရှားသည် စက်ရုံနေရာလွတ်များ ပေးဆောင်ပြီး လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ကုန်ကျစရိတ်သည် တောင်ကိုရီးယားထက် သုံးပုံတစ်ပုံ သက်သာသောကြောင့် ဖြစ်သည်။ ဂျပန်နှင့် ထိုင်ဝမ်၊ တရုတ်တွင် TOKUYAMA၊ GET နှင့် အခြားကုမ္ပဏီများတွင် polysilicon ထုတ်လုပ်မှု၏ ရှယ်ယာများစွာကို ရယူထားသည်။ နေရာတစ်ခု။ 2021 ခုနှစ်တွင် ပိုလီဆီလီကွန်အထွက်နှုန်းမှာ တန်ချိန် 492,000 ရှိမည်ဖြစ်ပြီး အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic စွမ်းရည်နှင့် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှု လိုအပ်ချက်မှာ တန်ချိန် 206,400 နှင့် 1,500 တန် အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်ပြီး ကျန် 284,100 တန်ကို ရေအောက်ပိုင်း ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ပြည်ပသို့ တင်ပို့ရန်အတွက် အဓိကအသုံးပြုမည်ဖြစ်သည်။ ပိုလီဆီလီကွန်၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာများ၊ ဆဲလ်များနှင့် မော်ဂျူးများ၏ အောက်ဘက်လင့်ခ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် တင်ပို့လျက်ရှိပြီး မော်ဂျူးများ၏ တင်ပို့မှုသည် အထူးထင်ရှားသည်။ 2021 ခုနှစ်တွင် ဆီလီကွန် wafers 4.64 ဘီလီယံနှင့် photovoltaic ဆဲလ် 3.2 ဘီလီယံ ရှိခဲ့သည်။တင်ပို့ခဲ့သည်။တရုတ်နိုင်ငံမှ စုစုပေါင်းတင်ပို့မှုမှာ 22.6GW နှင့် 10.3GW အသီးသီးရှိပြီး photovoltaic modules တင်ပို့မှုမှာ 98.5GW ဖြစ်ပြီး တင်သွင်းမှု အလွန်နည်းပါးပါသည်။ ပို့ကုန်တန်ဖိုးဖွဲ့စည်းမှုအရ၊ 2021 ခုနှစ်တွင် module တင်ပို့မှုသည် US$ 24.61 ဘီလီယံအထိရောက်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး 86% ၏နောက်တွင် ဆီလီကွန် wafer နှင့် ဘက်ထရီများပါဝင်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ ဆီလီကွန် wafers၊ photovoltaic cells နှင့် photovoltaic modules များ၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာထွက်ရှိမှုသည် 97.3%, 85.1%, နှင့် 82.3% အသီးသီးရောက်ရှိမည်ဖြစ်ပါသည်။ လာမည့် သုံးနှစ်အတွင်း တရုတ်နိုင်ငံတွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်စက်မှုလုပ်ငန်းသည် ဆက်လက်အာရုံစိုက်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရပြီး ချိတ်ဆက်တစ်ခုစီ၏ အထွက်နှင့် တင်ပို့မှုပမာဏမှာ သိသိသာသာ ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ 2022 မှ 2025 ခုနှစ်အထိ၊ ရေအောက်ပိုင်းထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရန်နှင့် ပြည်ပသို့တင်ပို့ရာတွင် အသုံးပြုသည့် ပိုလီစီလီကွန်ပမာဏသည် တဖြည်းဖြည်းတိုးလာမည်ဟု ခန့်မှန်းရပါသည်။ နိုင်ငံရပ်ခြား ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားမှ ပြည်ပထုတ်လုပ်မှုကို နုတ်ခြင်းဖြင့် ခန့်မှန်းတွက်ချက်သည်။ 2025 ခုနှစ်တွင် မြစ်အောက်ပိုင်းထုတ်ကုန်များအဖြစ် စီမံထုတ်လုပ်ထားသော ပိုလီစီလီကွန်သည် တရုတ်နိုင်ငံမှ ပြည်ပနိုင်ငံများသို့ တန်ချိန် 583,000 တင်ပို့နိုင်မည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။

4, အကျဉ်းချုပ်နှင့် Outlook

ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားသည် photovoltaic field တွင် အဓိကအားဖြင့် စုစည်းနေပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနယ်ပယ်ရှိ ဝယ်လိုအားသည် ပြင်းအားအစီအစဥ်မဟုတ်ပါ။ ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားသည် photovoltaic တပ်ဆင်မှုများကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ photovoltaic modules-cell-wafer ၏ချိတ်ဆက်မှုမှတဆင့် polysilicon သို့တဖြည်းဖြည်းကူးစက်ပြီး၎င်းကိုတောင်းဆိုမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အနာဂတ်တွင်၊ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ photovoltaic တပ်ဆင်နိုင်စွမ်းကို ချဲ့ထွင်ခြင်းဖြင့်၊ polysilicon လိုအပ်ချက်သည် ယေဘုယျအားဖြင့် အကောင်းမြင်ပါသည်။ အကောင်းမြင်အားဖြင့်၊ တရုတ်နှင့်ပြည်ပတွင် အသစ်တိုးမြှင့်ထားသော PV တပ်ဆင်မှုများသည် 2025 ခုနှစ်တွင် ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအား 36.96GW နှင့် 73.93GW အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်ပြီး ရှေးရိုးစွဲအခြေအနေအောက်တွင် ဝယ်လိုအားမှာလည်း 30.24GW နှင့် 60.49GW အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်သည်။ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပိုလီဆီလီကွန် ထောက်ပံ့မှုနှင့် ဝယ်လိုအား တင်းကျပ်လာကာ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပိုလီဆီလီကွန်စျေးနှုန်းများ မြင့်မားလာမည်ဖြစ်သည်။ ဤအခြေအနေသည် 2022 ခုနှစ်အထိ ဆက်လက်တည်ရှိနိုင်ပြီး 2023 ခုနှစ်နောက်ပိုင်းတွင် လျော့ရဲသောထောက်ပံ့ရေးအဆင့်သို့ တဖြည်းဖြည်းပြောင်းသွားနိုင်ပါသည်။ 2020 ခုနှစ်၏ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင်၊ ကပ်ရောဂါ၏သက်ရောက်မှုသည် အားပျော့လာပြီး ရေအောက်ပိုင်းထုတ်လုပ်မှုချဲ့ထွင်မှုသည် ပိုလီဆီလီကွန်ဝယ်လိုအားကို တွန်းအားပေးကာ ထိပ်တန်းကုမ္ပဏီများမှစီစဉ်ထားသည်။ ထုတ်လုပ်မှုတိုးချဲ့ရန်။ သို့သော်လည်း တစ်နှစ်ခွဲကျော်ကြာ ချဲ့ထွင်သည့်စက်ဝန်းသည် 2021 နှင့် 2022 နှစ်ကုန်တွင် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို ထုတ်ပေးခဲ့ပြီး 2021 ခုနှစ်တွင် 4.24% တိုးလာခဲ့သည်။ ရောင်းလိုအားကွာဟချက်မှာ တန်ချိန် 10,000 ရှိသောကြောင့် ဈေးနှုန်းများ မြင့်တက်လာခဲ့သည်။ ချရန်။ 2022 ခုနှစ်တွင်၊ photovoltaic တပ်ဆင်စွမ်းရည်၏ အကောင်းမြင်ပြီး ရှေးရိုးဆန်သော အခြေအနေများအောက်တွင် ထောက်ပံ့ရေးနှင့် ဝယ်လိုအား ကွာဟချက်မှာ -156,500 တန်နှင့် တန်ချိန် 2,400 အသီးသီးရှိမည်ဖြစ်ပြီး အလုံးစုံရောင်းလိုအားမှာ အတော်လေး ပြတ်လပ်နေသည့် အခြေအနေတွင် ရှိနေမည်ဟု ခန့်မှန်းရပါသည်။ 2023 နှင့် ကျော်လွန်၍ 2021 နှစ်ကုန်ပိုင်းနှင့် 2022 ခုနှစ်အစောပိုင်းတွင် စတင်တည်ဆောက်ခဲ့သော ပရောဂျက်အသစ်များသည် ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်မည်ဖြစ်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်မည်ဖြစ်သည်။ ၀ယ်လိုအားနှင့် ၀ယ်လိုအား တဖြည်းဖြည်း လျော့ပါးလာကာ ဈေးနှုန်းများ ကျဆင်းလာနိုင်သည့် ဖိအားအောက်တွင် ရှိနေနိုင်သည်။ နောက်ဆက်တွဲတွင်၊ ရုရှား-ယူကရိန်းစစ်ပွဲ၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ စွမ်းအင်ပုံစံအပေါ် အကျိုးသက်ရောက်မှုကို အာရုံစိုက်သင့်သည်၊ ၎င်းသည် အသစ်တပ်ဆင်ထားသော photovoltaic စွမ်းရည်အတွက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအစီအစဥ်ကို ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး ပိုလီစီလီကွန်ဝယ်လိုအားကို ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်သည်။

(ဤဆောင်းပါးသည် UrbanMines ၏ဖောက်သည်များအတွက်သာဖြစ်ပြီး ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုအကြံဉာဏ်ကို ကိုယ်စားမပြုပါ။)