ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်၏ဓာတုနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအပေါ်သုတေသန

နိဒါန်း

ရူဘီယစ်ယမ်အောက်ဆိုဒ်သည်အရေးကြီးသောဓာတုဗေဒနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများရှိသောအော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းဥစ်စာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုနှင့်သုတေသနသည်ခေတ်သစ်ဓာတုဗေဒဓာတုဗေဒနှင့်ပစ္စည်းများသိပ္ပံပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုမြှင့်တင်ရာတွင်အရေးကြီးသောအခန်းကဏ် played မှပါဝင်ခဲ့သည်။ လွန်ခဲ့သောဆယ်စုနှစ်အနည်းငယ်အတွင်းရူဘီဒီယိုက်အောက်ဆိုဒ်ကိုသုတေသနရလဒ်များစွာသည်ဤနယ်ပယ်တွင်တိုးတက်မှုများသာမကအခြားဆက်စပ်သောလယ်ကွင်းများတွင်ကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးပြု. Semiconductor ပစ္စည်းများ, မှန်ဘီလူးများ,မြို့ပြသတ္တုတွင်းနည်းပညာ။Co. , Ltd.ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့်သုတေသန, ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်ထုတ်လုပ်ခြင်းကိုအာရုံစိုက်သောတရုတ်နိုင်ငံတွင် ဦး ဆောင်စီးပွားရေးလုပ်ငန်းတစ်ခုအနေဖြင့်ဓာတုဖွဲ့စည်းပုံ,

ဓာတုအိမ်ခြံမြေလက္ခဏာများ:

ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ် (rb2o)အောက်ဆီဂျင်အောက်စီဂျင်ပြည်နယ် -2 နှင့်အောက်ဆီဂျင်ယိုယွင်းနေသောအောက်ဆီဂျင်ရှိသည့်အောက်ဆီဂျင်ရှိသည့်အောက်ဆီဂျင်ရှိသည့်ဓာတုပုံသေနည်း RB2O နှင့်အတူရူဘီယမ်၏အောက်ခြေသည်အောက်ဆိုဒ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤဒြပ်ပေါင်းသည်အယ်ကာလီဆိုဒ်တစ်ခုဖြစ်ပြီးဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတက်ကြွမှု, ထို့အပြင်ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်သည်အလွန်အမင်းဓာတ်ပြုပြီးအက်ဆစ်ပစ္စည်းများကိုဖြည့်ဆည်းပေးပြီးကြားနေသို့မဟုတ် alkaline အစားအချို့ကိုထုတ်လုပ်သည့်အခါလျင်မြန်စွာတုံ့ပြန်နိုင်သည်။ ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်များ၏ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများများကိုနယ်ပယ်များစွာတွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ဥပမာ, ပေါင်းစပ်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၎င်းသည်ရူဘီယမ်သတ္တုများမြင့်မားသောအပူချိန်ပြင်ဆင်မှု (သို့မဟုတ်လျှော့ချရေး) အတွက်အရေးကြီးသော flux အဖြစ်အသုံးပြုသည်။ ၎င်းကိုအမျိုးမျိုးသောအယ်ယယ်လီလီလီလီလီလီယံ, ထို့အပြင်၎င်းကိုပိုတက်စီယမ်ဓာတ်မြေသွဇာထုတ်လုပ်မှုတွင်လည်းအသုံးပြုသည်။ အသုံးပြုမှုအမျိုးမျိုးသောအကွာအဝေး။

ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများစရိုက်လက်ခဏာ:

ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အာရုံစိုက်မှုကိုရရှိခဲ့သည်။ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအရရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်သည်အရေးကြီးသောလျှပ်စစ်, သံလိုက်နှင့် optical ဂုဏ်သတ္တိများရှိသောအော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အနက်လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည်အရေးအကြီးဆုံးရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်ပြီး၎င်းတို့သည် Sememonductor ထုတ်ကုန်များ, လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ၏သွင်ပြင်လက္ခဏာများရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်သည်အလွန်နိမ့်သော semiconductor ဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အပူချိန်တွင်၎င်း၏စီးပစ်မှုနှင့်ဖိအားပေးမှုသည်အလွန်နည်းပါးသည်။ 10 ^ -10 (S / M) အကြောင်းကိုအလွန်နိမ့်သည်။ ထို့ကြောင့်လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုလေ့လာခြင်းသည်သင့်လျော်သောအပူချိန်နှင့်ဖိအားကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်သည်။ အပူချိန်ရာဂဏန်းအနည်းငယ်သာအထိမြင့်တက်လာသောအခါ၎င်း၏လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကိုသိသိသာသာတိုးတက်လာနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်, အပူချိန် 500 ရောက်ရှိသည့်အခါ°ဂ, 4 င်း၏လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် 10 ^ -7 (S / M) ကိုထ။ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများပြုလုပ်ရန်ပိုမိုလွယ်ကူစေသည်။ သုတေသန။ ရူဘီဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်၏သံလိုက်ဂုဏ်သတ္တိများရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်၏သံလိုက်စက်ကွင်း၏သံလိုက်စက်ကွင်း၏သွဇာလွှမ်းမိုးမှုအောက်တွင်အချိန်ကြာမြင့်စွာပြောင်းလဲသွားလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့်ရေရှည်သံလိုက်စက်ကွင်း၏သွဇာလွှမ်းမိုးမှုအောက်တွင်ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်၏သံမဏိကိုသံလိုက်သည်လမ်းကြောင်းတစ်ခုတွင်ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ ဤဖြစ်စဉ်ကိုသံလိုက်ကွေး၏သံလိုက်စက်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုဟုခေါ်သည်။ အချို့သောအပူချိန်တွင်ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုသည်ပစ္စည်းများ၏သံလိုက်ဂုဏ်သတ္တိများကိုလေ့လာရန်အသုံးပြုနိုင်သည်။

လျှောက်လွှာအလားအလာများ -

ရူဘီယမ်အောက် Oxide သည် Imonganic ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုအနေဖြင့်လျှောက်လွှာအလားအလာရှိသည်။ ဥပမာ, အောက်စီဂျင်အာရုံခံကိရိယာများအရဗရူယိယမ်အောက်ဆိုဒ်နီနိုမီကအောက်စီဂျင်အာရုံခံတွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောတုန့်ပြန်မှုများရှိသည်ဟုတွေ့ရှိရသည်။ အဆိပ်ရှာဖွေတွေ့ရှိခြင်း, ဇီဝကန်တဲ့ဇီဝဗေဒနှင့်ဇလဗေဒနယ်ပယ်များတွင်၎င်းသည်အရေးပါသော Ligand နှင့် Proshe Endound ကိုအသုံးပြုထားသည်။ ထို့အပြင်ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်သည်အထူးသဖြင့်လေထုပတ် 0 န်းကျင်ကာကွယ်ရေးတွင်စွမ်းအင်ချွေတာရာပစ္စည်းများနှင့်လေထုညစ်ညမ်းမှုထိန်းချုပ်မှုနယ်ပယ်များတွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်ရန်မျှော်လင့်ရသည်။ ရူဘီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကိုအသုံးပြုခြင်းသည်လေထုညစ်ညမ်းမှုကိုတိုက်ဖျက်ရန်ထိရောက်သောနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်နိုင်သည်။

အထွေထွေနိဂုံးချုပ်:

RUbidium Oxide သည်မြင့်မားသောလှုပ်ရှားမှုနှင့်အရေးကြီးသောလျှောက်လွှာအလားအလာရှိသောအော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းဥစ်စာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပတ်သက်. သုတေသနပြုခြင်း, ထို့ကြောင့်အခြေခံသုတေသနကိုအားဖြည့်ပေးသော်လည်းရူဘီဒီယမ်အောက်ဆိုဒ်များကိုနယ်ပယ်အမျိုးမျိုးရှိအပလီကေးရှင်းများတိုးချဲ့ရန်နှင့်၎င်း၏ interdisciplary application များ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကိုပိုမိုမြှင့်တင်ရန်လိုအပ်သည်။