9 ऑगस्ट 2024 रोजी 15:30 EE Times Japan वर प्रकाशित
जपान होक्काइडो युनिव्हर्सिटीच्या एका संशोधन गटाने कोची युनिव्हर्सिटी ऑफ टेक्नॉलॉजीसह 78cm2/Vs ची इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी आणि उत्कृष्ट स्थिरता असलेला "ऑक्साइड थिन-फिल्म ट्रान्झिस्टर" संयुक्तपणे विकसित केला आहे. पुढील पिढीतील 8K OLED टीव्हीच्या स्क्रीन चालवणे शक्य होईल.
सक्रिय थर पातळ फिल्मची पृष्ठभाग संरक्षक फिल्मने झाकलेली असते, ज्यामुळे स्थिरता मोठ्या प्रमाणात सुधारते
ऑगस्ट 2024 मध्ये, कोची युनिव्हर्सिटी ऑफ सायन्स अँड टेक्नॉलॉजीचे प्रोफेसर मामोरू फुरुता यांच्या सहकार्याने सहाय्यक प्राध्यापक युसाकू क्यो आणि रिसर्च इन्स्टिट्यूट फॉर इलेक्ट्रॉनिक सायन्स, होक्काइडो युनिव्हर्सिटीचे प्रोफेसर हिरोमिची ओटा यांच्यासह संशोधन गटाने घोषणा केली की त्यांनी 78cm2/Vs च्या इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि उत्कृष्ट स्थिरतेसह "ऑक्साइड थिन-फिल्म ट्रान्झिस्टर" विकसित केले. पुढील पिढीतील 8K OLED टीव्हीच्या स्क्रीन चालवणे शक्य होईल.
सध्याचे 4K OLED टीव्ही स्क्रीन चालविण्यासाठी ऑक्साइड-IGZO पातळ-फिल्म ट्रान्झिस्टर (a-IGZO TFTs) वापरतात. या ट्रान्झिस्टरची इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सुमारे 5 ते 10 cm2/Vs आहे. तथापि, पुढील पिढीच्या 8K OLED टीव्हीची स्क्रीन चालविण्यासाठी, 70 सेमी 2/Vs किंवा त्याहून अधिक इलेक्ट्रॉन मोबिलिटीसह ऑक्साईड पातळ-फिल्म ट्रान्झिस्टर आवश्यक आहे.
सहाय्यक प्राध्यापक मॅगो आणि त्यांच्या टीमने 140 cm2/Vs 2022 च्या इलेक्ट्रॉन मोबिलिटीसह एक TFT विकसित केला, ज्याची पातळ फिल्म वापरूनइंडियम ऑक्साईड (In2O3)सक्रिय स्तरासाठी. तथापि, त्याचा व्यावहारिक उपयोग केला गेला नाही कारण त्याची स्थिरता (विश्वसनीयता) हवेतील वायूच्या रेणूंचे शोषण आणि शोषणामुळे अत्यंत खराब होती.
यावेळी, संशोधन गटाने वायूला हवेत शोषले जाण्यापासून रोखण्यासाठी पातळ सक्रिय थराच्या पृष्ठभागाला संरक्षक फिल्मने झाकण्याचा निर्णय घेतला. प्रायोगिक परिणामांनी दर्शविले की संरक्षणात्मक चित्रपटांसह टीएफटीयट्रियम ऑक्साईडआणिएर्बियम ऑक्साईडअत्यंत उच्च स्थिरता प्रदर्शित केली. शिवाय, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता 78 cm2/Vs होती, आणि स्थिर राहून 1.5 तासांसाठी ±20V चा व्होल्टेज लागू केला तरीही वैशिष्ट्ये बदलली नाहीत.
दुसरीकडे, टीएफटीमध्ये स्थिरता सुधारली नाही ज्याने हाफनियम ऑक्साईड वापरला किंवाॲल्युमिनियम ऑक्साईडसंरक्षणात्मक चित्रपट म्हणून. इलेक्ट्रॉन मायक्रोस्कोप वापरून अणु व्यवस्थेचे निरीक्षण केले असता असे आढळून आलेइंडियम ऑक्साईड आणियट्रियम ऑक्साईड अणू स्तरावर घट्ट बांधलेले होते (हेटरोएपिटॅक्सियल वाढ). याउलट, याची पुष्टी झाली की TFTs मध्ये ज्यांची स्थिरता सुधारली नाही, इंडियम ऑक्साईड आणि संरक्षणात्मक फिल्ममधील इंटरफेस अनाकार आहे.