Paskelbta 2024 m. rugpjūčio 9 d., 15:30 EE Times Japan
Japonijos Hokaido universiteto tyrimų grupė kartu su Kochi technologijos universitetu sukūrė „oksido plonasluoksnį tranzistorių“, kurio elektronų mobilumas yra 78 cm2/Vs ir puikus stabilumas. Bus galima vairuoti naujos kartos 8K OLED televizorių ekranus.
Aktyvaus sluoksnio plonos plėvelės paviršius padengtas apsaugine plėvele, labai pagerinančia stabilumą
2024 m. rugpjūčio mėn. mokslinių tyrimų grupė, kurią sudaro asistentas Yusaku Kyo ir profesorius Hiromichi Ota iš Hokaido universiteto Elektronikos mokslų tyrimų instituto, bendradarbiaudama su profesoriumi Mamoru Furuta iš Kočio technologijos universiteto Mokslo ir technologijų mokyklos, paskelbė, kad jie sukūrė "oksido plonasluoksnį tranzistorių", kurio elektronų mobilumas yra 78 cm2 / Vs ir puikus stabilumas. Bus galima vairuoti naujos kartos 8K OLED televizorių ekranus.
Dabartiniuose 4K OLED televizoriuose ekranams valdyti naudojami oksidiniai IGZO plonasluoksniai tranzistoriai (a-IGZO TFT). Šio tranzistoriaus elektronų judrumas yra apie 5–10 cm2/Vs. Tačiau norint valdyti naujos kartos 8K OLED televizoriaus ekraną, reikalingas oksidinis plonasluoksnis tranzistorius, kurio elektronų mobilumas yra 70 cm2/Vs ar didesnis.
Asistentas profesorius Mago ir jo komanda sukūrė TFT, kurio elektronų mobilumas yra 140 cm2/Vs 2022, naudodami plonąindžio oksidas (In2O3)aktyviam sluoksniui. Tačiau jis nebuvo pritaikytas praktiškai, nes jo stabilumas (patikimumas) buvo itin prastas dėl dujų molekulių adsorbcijos ir desorbcijos ore.
Šį kartą tyrėjų grupė nusprendė plono aktyvaus sluoksnio paviršių padengti apsaugine plėvele, kad ore nebūtų adsorbuojamos dujos. Eksperimentiniai rezultatai parodė, kad TFT su apsauginėmis plėvelėmis išitrio oksidasirerbio oksidaspasižymėjo itin dideliu stabilumu. Be to, elektronų judrumas buvo 78 cm2/Vs, o charakteristikos nepasikeitė net 1,5 valandos veikiant ±20 V įtampai, išlikdamos stabilios.
Kita vertus, stabilumas nepagerėjo TFT, kuriuose buvo naudojamas hafnio oksidas arbaaliuminio oksidaskaip apsauginės plėvelės. Kai atominis išsidėstymas buvo stebimas naudojant elektroninį mikroskopą, buvo nustatyta, kadindžio oksidas iritrio oksidas buvo glaudžiai sujungti atominiu lygiu (heteroepitaksinis augimas). Priešingai, buvo patvirtinta, kad TFT, kurių stabilumas nepagerėjo, sąsaja tarp indžio oksido ir apsauginės plėvelės buvo amorfinė.