1, Photovoltaesch Ennfuerderung: D'Demande fir Photovoltaik installéiert Kapazitéit ass staark, an d'Demande fir Polysilisium gëtt ëmgedréit baséiert op der installéierter Kapazitéitsprognose
1.1. Polysilicon Konsum: Déi globalVerbrauchsvolumen klëmmt stänneg, haaptsächlech fir d'Photovoltaikenergieproduktioun
Déi lescht zéng Joer, déi globalpolysiliciumDe Konsum ass weider eropgaang, an den Undeel vu China ass weider ausgebaut, gefouert vun der Photovoltaikindustrie. Vun 2012 bis 2021 huet de globale Polysilisiumverbrauch allgemeng en Upward Trend gewisen, vun 237.000 Tonnen op ongeféier 653.000 Tonnen erop. Am Joer 2018 gouf China's 531 Photovoltaik nei Politik agefouert, wat d'Subventiounsquote fir d'Photovoltaesch Kraaftproduktioun kloer reduzéiert huet. Déi nei installéiert Photovoltaikkapazitéit ass ëm 18% Joer-op-Joer gefall, an d'Nofro fir Polysilisium war beaflosst. Zënter 2019 huet de Staat eng Rei Politiken agefouert fir d'Netzparitéit vu Photovoltaik ze förderen. Mat der rapider Entwécklung vun der Photovoltaikindustrie ass d'Nofro fir Polysilisium och eng Period vu schnelle Wuesstum agaangen. Wärend dëser Period ass den Undeel vum China Polysilisiumverbrauch am Gesamtweltkonsum weider eropgaang, vu 61,5% am Joer 2012 op 93,9% am Joer 2021, haaptsächlech wéinst der séier entwéckelender Photovoltaikindustrie vu China. Aus der Perspektiv vum globalen Konsummuster vu verschiddenen Typen vu Polysilisium am Joer 2021 wäerten Siliziummaterialien, déi fir Photovoltaikzellen benotzt ginn, op d'mannst 94% ausmaachen, vun deenen Solargrad Polysilisium a granulär Silizium 91% respektiv 3% ausmaachen, wärend elektronesch-Schouljoer polysilicon datt fir Chips benotzt kënne Konte fir 94%. De Verhältnis ass 6%, wat weist datt déi aktuell Nofro fir Polysilicium vu Photovoltaik dominéiert gëtt. Et gëtt erwaart datt mat der Erwiermung vun der Dual-Kuelestoff-Politik d'Demande fir Photovoltaik installéiert Kapazitéit méi staark gëtt, an de Konsum an den Undeel vu Solar-grade Polysilisium wäert weider eropgoen.
1.2. Silicon wafer: monocrystalline Silicon wafer besetzt den Mainstream, a kontinuéierlech Czochralski Technologie entwéckelt sech séier
Den direkten Downstream Link vu Polysilicon ass Siliziumwafers, a China dominéiert de Moment de weltwäite Siliziumwafermaart. Vun 2012 bis 2021 ass d'global a chinesesch Siliziumwafer Produktiounskapazitéit an d'Ausgab weider eropgaang, an d'Photovoltaikindustrie huet weider boomt. Silicon Wafers déngen als Bréck, déi Siliziummaterialien a Batterien verbënnt, an et gëtt keng Belaaschtung op d'Produktiounskapazitéit, sou datt et weider eng grouss Zuel vu Firmen unzezéien fir an d'Industrie ze kommen. Am Joer 2021 hu chinesesch Siliziumwafer Hiersteller wesentlech ausgebautProduktiounKapazitéit op 213.5GW Output, déi d'global Siliziumwafer Produktioun op 215.4GW erhéicht huet. Laut der existéierender an nei erhéichter Produktiounskapazitéit a China gëtt erwaart datt de jährleche Wuesstumsquote an den nächste Joren 15-25% behalen, an d'Chinesesch Waferproduktioun wäert nach ëmmer eng absolut dominant Positioun an der Welt behalen.
Polykristallin Silizium kann a polykristallin Silizium Ingots oder monokristallin Siliziumstäben gemaach ginn. De Produktiounsprozess vu polykristalline Silizium Ingots enthält haaptsächlech Gossmethod an direkt Schmelzmethod. Am Moment ass déi zweet Zort d'Haaptmethod, an de Verloschtquote gëtt am Fong op ongeféier 5% gehal. D'Gossmethod ass haaptsächlech fir d'Silisiummaterial am Schmelz fir d'éischt ze schmëlzen, an et dann an eng aner virgehëtzt Kéis fir ze killen. Duerch d'Kontroll vun der Ofkillungsquote gëtt de polykristalline Siliziumgott duerch d'directional Solidifikatiounstechnologie gegoss. De waarme Schmelzprozess vun der direkter Schmelzmethod ass d'selwecht wéi dee vun der Gossmethod, an där d'Polysilicium direkt an der Krëpp geschmolt gëtt, awer de Killschrëtt ass anescht wéi d'Gossmethod. Och wann déi zwou Methoden ganz ähnlech an der Natur sinn, brauch d'direkt Schmelzmethod nëmmen eng Krees, an de produzéierte Polysilisiumprodukt ass vu gudder Qualitéit, wat fir de Wuesstum vu polykristalline Silizium Ingots mat enger besserer Orientéierung fördert, an de Wuesstumsprozess ass einfach ze maachen. automatiséieren, wat kann d'intern Positioun vun der Kristallsglas produzéiert Feeler Reduktioun. Am Moment benotzen déi féierend Entreprisen an der Solarenergiematerialindustrie allgemeng d'direkt Schmelzmethod fir polykristallin Silizium Ingots ze maachen, an de Kuelestoff a Sauerstoffgehalt si relativ niddereg, déi ënner 10ppma a 16ppma kontrolléiert ginn. An Zukunft wäert d'Produktioun vu polykristallinem Siliziumblieder nach ëmmer vun der direkter Schmelzmethod dominéiert ginn, an d'Verloschtquote bleift bannent fënnef Joer ongeféier 5%.
D'Produktioun vu monokristallinem Siliziumstäbchen baséiert haaptsächlech op der Czochralski Method, ergänzt duerch d'Vertikal Suspension Zone Schmelzmethod, an d'Produkter, déi vun deenen zwee produzéiert ginn, hu verschidde Gebrauch. D'Czochralski-Methode benotzt d'Graphitresistenz fir polykristallin Silizium an enger héijer Rengheets-Quarz-Kraaft an engem riichter Réier-Thermalsystem ze schmëlzen, da setzt de Somkristall an d'Uewerfläch vun der Schmelz fir d'Fusioun ze setzen, a rotéiert de Keimkristall wärend de Invertéiert de Saumkristall. Krëpp. , gëtt de Som Kristall lues erop erop, a monocrystalline Silizium gëtt duerch d'Prozesser vun Somen, Verstäerkung, Schëller dréien, gläichen Duerchmiesser Wuesstem, an Ofschloss kritt. D'Vertikal Floating Zone Schmelzmethod bezitt sech op d'Befestigung vum columnar héich-Rengheet polycrystalline Material an der Schmelzkammer, d'Metallspiral lues laanscht d'polykristallin Längt Richtung beweegen an duerch d'kolonare polykristallin, a passéiert e High-Power Radiofrequenzstroum am Metall. coil ze maachen Deel vun der bannenzeg vun der polycrystalline Pilier coil Schmelze, an no der coil geplënnert ass, der Schmelze recrystallizes engem eenzege Kristallsglas produzéiert. Wéinst de verschiddene Produktiounsprozesser ginn et Differenzen an Produktiounsausrüstung, Produktiounskäschten a Produktqualitéit. Am Moment hunn d'Produkter, déi duerch d'Zone Schmelzmethod kritt ginn, héich Rengheet a kënne fir d'Fabrikatioun vun Hallefleitgeräter benotzt ginn, während d'Czochralski-Methode d'Konditioune fir d'Produktioun vun Eenkristallsilicium fir Photovoltaikzellen erfëllen kann an e méi niddrege Käschten huet, also ass et der Mainstream Method. Am Joer 2021 ass de Maartundeel vun der riichter Pullmethod ongeféier 85%, an et gëtt erwaart liicht an den nächste Joeren eropzegoen. D'Maartaktien an 2025 an 2030 gi virausgesot fir 87% respektiv 90% ze sinn. Wat d'Bezierker Schmelze Single Kristall Silizium ugeet, ass d'Industrie Konzentratioun vum Bezierksschmelz Single Kristall Silizium relativ héich an der Welt. Acquisitioun), TOPSIL (Dänemark) . An Zukunft wäert d'Ausgabskala vu geschmollte Eenkristallsilizium net wesentlech eropgoen. De Grond ass datt China d'Zesummenhang Technologien relativ zréck sinn am Verglach mat Japan an Däitschland, virun allem d'Kapazitéit vun héich-Frequenz Heizung Equipement an crystallization Prozess Konditiounen. D'Technologie vum verschmolzene Silicium Eenkristall am groussen Duerchmiessergebitt erfuerdert chinesesch Entreprisen fir weider selwer ze entdecken.
Czochralski Method kann a kontinuéierlech Kristallzuchtechnologie (CCZ) a widderholl Kristallzuchtechnologie (RCZ) opgedeelt ginn. Am Moment ass d'Mainstream Method an der Industrie RCZ, déi an der Iwwergangsstadium vu RCZ op CCZ ass. Déi eenzeg Kristallzuch- a Fudderschrëtt vu RZC sinn onofhängeg vuneneen. Virun all zéien, muss den Eenkristallingott ofkillt an an der Gatekammer geläscht ginn, während CCZ d'Füttern a Schmelzen beim Zuch realiséieren. RCZ ass relativ al, an et gëtt wéineg Plaz fir technologesch Verbesserung an Zukunft; iwwerdeems CCZ huet d'Virdeeler vun Käschte Reduktioun an Effizienz Verbesserung, an ass an enger Etapp vun rapid Entwécklung. Wat d'Käschte ugeet, am Verglach mam RCZ, wat ongeféier 8 Stonnen dauert ier eng eenzeg Staang gezeechent gëtt, kann CCZ d'Produktiounseffizienz staark verbesseren, d'Kräizkäschte an d'Energieverbrauch reduzéieren andeems dëse Schrëtt eliminéiert gëtt. D'total Single Uewen Output ass méi wéi 20% méi héich wéi déi vun RCZ. Produktiounskäschte si méi wéi 10% manner wéi RCZ. Wat d'Effizienz ugeet, kann CCZ d'Zeechnung vun 8-10 Single-Kristall-Silicon-Stäben am Liewenszyklus vun der Krees fäerdeg maachen (250 Stonnen), während RCZ nëmmen ongeféier 4 fäerdeg kann, an d'Produktiounseffizienz kann ëm 100-150% erhéicht ginn. . Wat d'Qualitéit ugeet, huet CCZ méi eenheetlech Resistivitéit, manner Sauerstoffgehalt a méi lues Akkumulation vu Metallverschmotzungen, sou datt et méi gëeegent ass fir d'Virbereedung vun n-Typ Eenkristall Siliziumwaferen, déi och an enger Period vu rapider Entwécklung sinn. Am Moment hunn e puer chinesesch Firmen ugekënnegt datt se CCZ Technologie hunn, an de Wee vu granuläre Silizium-CCZ-n-Typ monokristalline Siliziumwafere war grondsätzlech kloer, an huet souguer ugefaang 100% granulär Siliziummaterialien ze benotzen. . An Zukunft wäert CCZ am Fong RCZ ersetzen, awer et wäert e gewësse Prozess huelen.
De Produktiounsprozess vu monokristallinem Siliziumwafer ass a véier Schrëtt opgedeelt: zéien, schneiden, schneiden, botzen a sortéieren. D'Entstoe vun der Diamantdrahtschneidmethod huet de Schnëttverloschtrate staark reduzéiert. De Kristallzuchprozess gouf hei uewen beschriwwen. De Schnëttprozess enthält Ofkierzungs-, Quadrat- a Schachtoperatioune. Slicing ass eng Schneimaschinn ze benotzen fir de Kolumnär Silizium a Siliziumwaferen ze schneiden. Botzen a Sortéierung sinn déi lescht Schrëtt bei der Produktioun vu Siliziumwaferen. D'Diamant Drot Schneidmethod huet offensichtlech Virdeeler iwwer déi traditionell Mörser Drot Schneemethod, déi haaptsächlech am kuerzen Zäitverbrauch a gerénge Verloscht reflektéiert gëtt. D'Geschwindegkeet vum Diamantdrot ass fënnef Mol déi vum traditionelle Schneiden. Zum Beispill, fir Single-Wafer opzedeelen, traditionell Zement Drot opzedeelen dauert ongeféier 10 Stonnen, an Diamanten Drot opzedeelen nëmmen dauert ongeféier 2 Stonnen. De Verloscht vun Diamant Drot opzedeelen ass och relativ kleng, an der Schued Layer verursaacht duerch Diamanten Drot opzedeelen ass méi kleng wéi dee vun Zement Drot opzedeelen, déi zu opzedeelen méi dënn Silicon wafers ass. An de leschte Joeren, fir d'Schnëttverloschter a Produktiounskäschte ze reduzéieren, hunn d'Firmen sech op d'Diamantdrot-Schnëttmethoden ëmgewandelt, an den Duerchmiesser vun den Diamantdraadbusbaren gëtt ëmmer méi niddereg. Am Joer 2021 wäert den Duerchmiesser vun der Diamantdratbusbar 43-56 μm sinn, an den Duerchmiesser vun der Diamantdratbusbar, déi fir monokristallin Siliziumwafer benotzt gëtt, wäert staark erofgoen a weider erofgoen. Et gëtt geschat datt am Joer 2025 an 2030 d'Duerchmiesser vun den Diamantdratbusbars, déi benotzt gi fir monokristallin Siliziumwafer ze schneiden, 36 μm respektiv 33 μm sinn, an d'Duerchmiesser vun den Diamantdratbusbars, déi benotzt gi fir polykristallin Siliziumwafer ze schneiden, wäerten 51 μm sinn. an 51 μm, respektiv. Dëst ass well et vill Mängel a Gëftstoffer a polykristalline Siliziumwafere sinn, an dënn Drot sinn ufälleg fir ze briechen. Dofir ass den Duerchmiesser vun der Diamantdratbusbar, déi fir polykristallin Siliziumwafer benotzt gëtt, méi grouss wéi dee vu monokristalline Siliziumwafers, a wéi de Maartundeel vu polykristalline Siliziumwafers graduell erofgeet, gëtt et fir polykristallin Silizium benotzt. D'Reduktioun vum Duerchmiesser vum Diamant Drotbusbars, déi duerch Scheiwen geschnidde sinn, verlangsamt ginn.
Am Moment sinn Siliziumwafere haaptsächlech an zwou Zorte opgedeelt: polykristallin Siliziumwafer a monokristallin Siliziumwafer. Monokristallin Siliziumwafer hunn d'Virdeeler vu laanger Liewensdauer an héijer photoelektrescher Konversiounseffizienz. Polycrystalline Silicon wafers besteet aus Kristallkorn mat verschiddene Kristallplane Orientatiounen, während Single Kristall Silizium Wafere aus polykristallinem Silizium als Rohmaterial gemaach ginn an déiselwecht Kristallplanorientéierung hunn. Am Erscheinungsbild si polykristallin Siliziumwaferen an Eenkristall Siliziumwafer blo-schwaarz a schwaarz-brong. Zënter datt déi zwee aus polykristallinem Silizium Ingots respektiv monokristallin Siliziumstäben geschnidden sinn, sinn d'Forme véiereckeg a quasi-quasi. D'Liewensdauer vu polykristallinem Siliziumwafer a monokristallin Siliziumwafer ass ongeféier 20 Joer. Wann d'Verpakungsmethod an d'Benotzungsëmfeld gëeegent sinn, kann de Service Liewen méi wéi 25 Joer erreechen. Allgemeng ass d'Liewensdauer vu monokristallinem Siliziumwafer liicht méi laang wéi déi vu polykristallinem Siliziumwafer. Zousätzlech sinn monokristallin Siliziumwafer och liicht besser an der photoelektrescher Konversiounseffizienz, an hir Dislokatiounsdichte a Metallverunreinigungen si vill méi kleng wéi déi vu polykristalline Siliziumwafers. De kombinéierten Effekt vu verschiddene Faktoren mécht d'Minoritéitsträger Liewensdauer vun eenzel Kristalle Dosende vu Mol méi héich wéi déi vu polykristallinem Siliziumwafer. Doduerch de Virdeel vun der Konversiounseffizienz ze weisen. Am Joer 2021 wäert déi héchst Konversiounseffizienz vu polykristalline Siliziumwaferen ongeféier 21% sinn, an déi vun monokristalline Siliziumwafere wäert bis zu 24,2% erreechen.
Nieft laang Liewensdauer an héich Konversioun Effizienz, monocrystalline Silicon wafers hunn och de Virdeel vun thinning, déi dozou bäidroen d'Reduktioun vun Silicon Konsum a Silicon wafer Käschten, mee oppassen op d'Erhéijung vun Fragmentatioun Taux. D'Ausdünnung vu Siliziumwafers hëlleft d'Fabrikatiounskäschte ze reduzéieren, an den aktuelle Schnëttprozess kann d'Bedierfnesser vun der Ausdünnung voll erfëllen, awer d'Dicke vun de Siliziumwafers muss och d'Bedierfnesser vun der Downstream Zell- a Komponentfabrikatioun erfëllen. Am Allgemengen ass d'Dicke vun de Siliziumwaferen an de leschte Joeren erofgaang, an d'Dicke vu polykristalline Siliziumwafere ass wesentlech méi grouss wéi déi vu monokristalline Siliziumwafers. Monokristallin Siliziumwafere ginn weider opgedeelt an n-Typ Siliziumwafers a p-Typ Siliziumwafers, während n-Typ Siliziumwafers haaptsächlech TOPCon Batterieverbrauch an HJT Batterieverbrauch enthalen. Am Joer 2021 ass d'Duerchschnëttsdicke vu polykristalline Siliziumwaferen 178μm, an de Mangel u Nofro an der Zukunft wäert se féieren fir weider ze dënnen. Dofir gëtt virausgesot datt d'Dicke vun 2022 op 2024 liicht erofgeet, an d'Dicke bleift no 2025 bei ongeféier 170μm; d'Duerchschnëttsdicke vu monokristalline Siliziumwafere vum p-Typ ass ongeféier 170μm, an et gëtt erwaart op 155μm an 140μm an 2025 an 2030 ze falen. 150μm, an déi duerchschnëttlech Dicke vun n-Typ Siliziumwafere fir TOPCon Zellen benotzt ass 165μm. 135 μm.
Zousätzlech verbraucht d'Produktioun vu polykristallinem Siliziumwafer méi Silizium wéi monokristallin Siliziumwafer, awer d'Produktiounsschrëtt si relativ einfach, wat Käschtevirdeeler fir polykristallin Siliziumwafer bréngt. Polykristallin Silizium, als e gemeinsame Rohmaterial fir polykristallin Siliziumwafers a monokristallin Siliziumwafers, huet verschidde Verbrauch an der Produktioun vun deenen zwee, wat wéinst den Ënnerscheeder an der Rengheet an der Produktiounsschrëtt vun deenen zwee ass. Am Joer 2021 ass de Siliziumverbrauch vu polykristallinem Ingot 1,10 kg / kg. Et gëtt erwaart datt déi limitéiert Investitiounen an d'Fuerschung an d'Entwécklung an Zukunft zu klengen Ännerungen féieren. De Siliziumverbrauch vun der Pullstang ass 1.066 kg / kg, an et gëtt e gewësse Raum fir Optimisatioun. Et gëtt erwaart 1,05 kg / kg an 1,043 kg / kg an 2025 an 2030, respektiv. Am Single-Kristall-Zuchprozess kann d'Reduktioun vum Siliziumverbrauch vun der Zuchstab erreecht ginn duerch d'Reduktioun vum Verloscht vun der Reinigung an der Zerstéierung, d'Produktiounsëmfeld strikt kontrolléiert, den Undeel vu Primer ze reduzéieren, d'Präzisiounskontroll ze verbesseren an d'Klassifikatioun ze optimiséieren. a Veraarbechtungstechnologie vun degradéierte Siliziummaterialien. Och wann de Siliziumverbrauch vu polykristalline Siliziumwafers héich ass, sinn d'Produktiounskäschte vu polykristalline Siliziumwafers relativ héich well polykristallin Silizium Ingots produzéiert gi vu waarme Schmelzen ingot Casting, während monokristallin Silizium Ingots normalerweis duerch luesen Wuesstum an Czochralski Eenkristalluewen produzéiert ginn, déi relativ héich Muecht verbraucht. Niddereg. Am Joer 2021 wäerten d'Duerchschnëttsproduktiounskäschte vu monokristalline Siliziumwafers ongeféier 0,673 Yuan / W sinn, an déi vu polykristalline Siliziumwafere wäerten 0,66 Yuan / W sinn.
Wéi d'Dicke vun der Siliziumwafer erofgeet an den Duerchmiesser vun der Diamantdratbusbar erofgeet, wäert d'Ausgab vu Siliziumstäben / Ingots mat gläichem Duerchmiesser pro Kilogramm eropgoen, an d'Zuel vun eenzel Kristallsilisiumstäbe vum selwechte Gewiicht wäert méi héich sinn wéi dat aus polykristalline Silicium Ingots. Wat d'Kraaft ugeet, variéiert d'Kraaft vun all Siliziumwafer jee no der Aart a Gréisst. Am Joer 2021 ass d'Ausgab vu p-Typ 166mm Gréisst monokristalline Quadratbarren ongeféier 64 Stécker pro Kilogramm, an d'Ausgab vu polykristallinesche Quadrat Ingots ass ongeféier 59 Stéck. Ënnert de p-Typ Eenkristall Siliziumwaferen ass d'Ausgab vun 158,75 mm Gréisst monokristalline Quadratstäben ongeféier 70 Stéck pro Kilogramm, d'Ausgab vu p-Typ 182 mm Gréisst Eenkristall Quadratstäben ass ongeféier 53 Stécker pro Kilogramm, an d'Ausgab vu p -Typ 210mm Gréisst Single Kristallstab pro Kilogramm ass ongeféier 53 Stécker. D'Ausgab vun der Quadratbar ass ongeféier 40 Stéck. Vun 2022 bis 2030 wäert déi kontinuéierlech Ausdünnung vu Siliziumwaferen ouni Zweifel zu enger Erhéijung vun der Unzuel vun Siliziumstäben/Ingots vum selwechte Volumen féieren. De méi klengen Duerchmiesser vun der Diamantdrahtbusbar a mëttel Partikelgréisst hëlleft och d'Schneidverloschter ze reduzéieren, an doduerch d'Zuel vun de produzéierte Wafere erhéijen. Quantitéit. Et gëtt geschat datt am Joer 2025 an 2030 d'Ausgab vu p-Typ 166mm Gréisst monokristalline Quadratstäben ongeféier 71 an 78 Stéck pro Kilogramm ass, an d'Ausgab vu polykristallinesche Quadrat Ingots ass ongeféier 62 an 62 Stécker, wat wéinst dem nidderegen Maart ass. Undeel vun polycrystalline Silicon wafers Et ass schwéier bedeitend technologesch Fortschrëtter ze féieren. Et ginn Differenzen an der Kraaft vu verschiddenen Typen a Gréissten vu Siliziumwafers. Geméiss den Ukënnegungsdaten fir d'Duerchschnëttskraaft vun 158.75mm Siliciumwafers ass ongeféier 5.8W / Stéck, d'Duerchschnëttskraaft vun 166mm Gréisst Siliziumwafers ass ongeféier 6.25W / Stéck, an d'Duerchschnëttskraaft vun 182mm Siliciumwafers ass ongeféier 6.25W / Stéck . D'Duerchschnëttskraaft vun der Gréisst Siliziumwafer ass ongeféier 7.49W / Stéck, an d'Duerchschnëttskraaft vun der 210mm Gréisst Siliziumwafer ass ongeféier 10W / Stéck.
An de leschte Joeren hunn Siliziumwafers graduell a Richtung grousser Gréisst entwéckelt, a grouss Gréisst ass förderlech fir d'Kraaft vun engem eenzegen Chip z'erhéijen, doduerch d'Net-Siliciumkäschte vun Zellen ze verdënnen. Wéi och ëmmer, d'Gréisst Upassung vu Siliziumwafere muss och upstream an downstream Matching a Standardiséierungsprobleemer berücksichtegen, besonnesch d'Laascht an d'Héichstroum Themen. Am Moment sinn et zwee Lageren um Maart iwwer d'Zukunft Entwécklungsrichtung vun der Siliziumwafergréisst, nämlech 182mm Gréisst an 210mm Gréisst. D'Propositioun vum 182mm ass haaptsächlech aus der Perspektiv vun der vertikaler Industrieintegratioun, baséiert op der Berücksichtegung vun der Installatioun an den Transport vu Photovoltaikzellen, d'Kraaft an d'Effizienz vun de Moduler, an d'Synergie tëscht Upstream a Downstream; iwwerdeems 210mm ass haaptsächlech aus der Perspektiv vun Produktioun Käschten a System Käschten. D'Output vun 210mm Siliziumwafere erhéicht ëm méi wéi 15% am Eenzeluewen Staang Zeechnungsprozess, d'Batterieproduktiounskäschte goufen ëm ongeféier 0,02 Yuan / W reduzéiert, an d'Gesamtkäschte vum Kraaftstatiounskonstruktioun goufen ëm ongeféier 0,1 Yuan / reduzéiert. W. An den nächste Joren gëtt erwaart datt Siliziumwafere mat enger Gréisst ënner 166mm no an no eliminéiert ginn; d'upstream an downstream passende Problemer vun 210mm Silicon wafers ginn graduell effektiv geléist ginn, a Käschten wäert e méi wichtege Faktor ginn, datt d'Investitioun an d'Produktioun vun Entreprisen Afloss. Dofir wäert de Maartundeel vun 210mm Siliziumwafer eropgoen. stänneg Erhéijung; 182mm Silicon Wafer wäert d'Mainstream Gréisst um Maart ginn duerch seng Virdeeler an der vertikaler integréierter Produktioun, awer mat der Duerchbroch Entwécklung vun der 210mm Silicon Wafer Applikatiounstechnologie, wäert 182mm Plaz ginn. Zousätzlech ass et schwéier fir méi grouss Siliziumwaferen an den nächste Jore wäit um Maart ze benotzen, well d'Aarbechtskäschte an d'Installatiounsrisiko vu grousse Siliziumwafere staark eropgoen, wat schwiereg ass ze kompenséieren vun der spueren an Produktioun Käschten a System Käschten. . Am Joer 2021, Silicon wafer Gréissten um Maart enthalen 156,75 mm, 157 mm, 158,75 mm, 166 mm, 182 mm, 210 mm, etc. op 5% erofgaang, déi an Zukunft lues a lues ersat ginn; 166mm ass déi gréisste Gréisst Léisung déi fir déi existent Batterieproduktiounslinn upgradéiert ka ginn, déi déi gréisste Gréisst an de leschten zwee Joer wäert sinn. Wat d'Transitiounsgréisst ugeet, gëtt erwaart datt de Maartundeel am Joer 2030 manner wéi 2% wäert sinn; der kombinéiert Gréisst vun 182mm an 210mm wäert Kont fir 45% an 2021, an de Maart Undeel wäert séier an Zukunft Erhéijung. Et gëtt erwaart datt den Total Maartundeel am Joer 2030 méi wéi 98% wäert sinn.
An de leschte Joeren ass de Maartundeel vum monokristalline Silizium weider eropgaang, an et huet d'Mainstream Positioun um Maart besat. Vun 2012 bis 2021 ass den Undeel vu monokristallinem Silizium vu manner wéi 20% op 93,3% eropgaang, eng bedeitend Erhéijung. Am Joer 2018 sinn d'Silisiumwaferen um Maart haaptsächlech polykristallin Siliziumwafers, déi méi wéi 50% ausmaachen. Den Haaptgrond ass datt d'technesch Virdeeler vu monokristallinem Siliziumwafer d'Käschte Nodeeler net kënnen ofdecken. Zënter 2019, well d'fotoelektresch Konversiounseffizienz vu monokristalline Siliziumwafere wesentlech iwwerschratt ass wéi déi vu polykristalline Siliziumwafers, an d'Produktiounskäschte vun monokristallinem Siliziumwafere weider erofgaange sinn mam technologesche Fortschrëtt, ass de Maartundeel vu monokristalline Siliziumwafere weider eropgaang, ginn de Mainstream um Maart. Produit. Et gëtt erwaart datt den Undeel vu monokristallinem Siliziumwafer ongeféier 96% am Joer 2025 erreechen, an de Maartundeel vun monokristalline Siliziumwafers wäert 97,7% am Joer 2030 erreechen. (Rapport Quell: Future Think Tank)
1.3. Batterien: PERC Batterien dominéieren de Maart, an d'Entwécklung vun n-Typ Batterien dréckt d'Produktqualitéit erop
De Midstream Link vun der Photovoltaikindustriekette enthält Photovoltaikzellen a Photovoltaikzellemoduler. D'Veraarbechtung vu Siliziumwaferen an Zellen ass de wichtegste Schrëtt fir d'fotoelektresch Konversioun ze realiséieren. Et dauert ongeféier siwe Schrëtt fir eng konventionell Zell aus engem Siliziumwafer ze veraarbecht. Als éischt setzt d'Silisiumwafer an d'Floorsäure fir eng pyramidähnlech Suedenstruktur op senger Uewerfläch ze produzéieren, doduerch d'Reflexivitéit vum Sonneliicht ze reduzéieren an d'Liichtabsorptioun ze erhéijen; Déi zweet ass Phosphor gëtt op der Uewerfläch vun enger Säit vum Siliziumwafer diffuséiert fir e PN-Kräizung ze bilden, a seng Qualitéit beaflosst direkt d'Effizienz vun der Zell; déi drëtt ass d'PN-Kräizung ze entfernen, déi op der Säit vum Siliziumwafer wärend der Diffusiounsstadium geformt ass, fir Kuerzschluss vun der Zell ze vermeiden; Eng Schicht vu Siliziumnitridfilm gëtt op der Säit beschichtet, wou d'PN-Kräizung geformt gëtt fir d'Liichtreflexioun ze reduzéieren an d'Effizienz ze erhéijen; de fënneften ass Metallelektroden op der viischter an hënneschter Säit vun der Siliziumwafer ze drécken fir Minoritéitsträger ze sammelen, déi duerch Photovoltaik generéiert ginn; De Circuit gedréckt an der Dréckerei ass gesintert a geformt, an et ass integréiert mat der Siliziumwafer, dat heescht, der Zell; endlech, sinn d'Zellen mat verschiddenen Effizienz klasséiert.
Kristallin Siliziumzelle ginn normalerweis mat Siliziumwafers als Substrate gemaach, a kënnen an p-Typ Zellen an n-Typ Zellen opgedeelt ginn no der Aart vu Siliziumwafers. Ënner hinnen hunn n-Typ Zellen méi héich Konversiounseffizienz a ersetzen graduell p-Typ Zellen an de leschte Joeren. P-Typ Siliziumwafere ginn duerch Doping Silizium mat Bor gemaach, an n-Typ Siliziumwafere ginn aus Phosphor gemaach. Dofir ass d'Konzentratioun vum Borelement am n-Typ Siliziumwafer méi niddereg, doduerch d'Bindung vu Bor-Sauerstoff-Komplexe hemmt, d'Minoritéitscarrier Liewensdauer vum Siliziummaterial verbessert, a gläichzäiteg gëtt et keng Foto-induzéiert Attenuatioun an der Batterie. Zousätzlech sinn d'n-Typ Minoritéitsträger Lächer, d'P-Typ Minoritéitsträger sinn Elektronen, an den Trapp Querschnitt vun de meeschte Gëftstoffatome fir Lächer ass méi kleng wéi dee vun Elektronen. Dofir ass d'Minoritéit Carrier Liewensdauer vun der n-Typ Zell méi héich an de photoelektresche Konversiounsquote ass méi héich. Laut Laboratoire Daten ass déi iewescht Grenz vun der Konversiounseffizienz vun p-Typ Zellen 24,5%, an d'Konversiounseffizienz vun n-Typ Zellen ass bis zu 28,7%, sou datt n-Typ Zellen d'Entwécklungsrichtung vun der zukünfteg Technologie representéieren. Am Joer 2021 hunn n-Typ Zellen (haaptsächlech Heterojunction Zellen an TOPCon Zellen abegraff) relativ héich Käschten, an d'Skala vun der Masseproduktioun ass nach ëmmer kleng. Den aktuelle Maartundeel ass ongeféier 3%, wat am Fong d'selwecht ass wéi deen am Joer 2020.
Am Joer 2021 gëtt d'Konvertéierungseffizienz vun n-Typ Zellen wesentlech verbessert, an et gëtt erwaart datt et an den nächste fënnef Joer méi Plaz fir technologesch Fortschrëtter gëtt. Am 2021 wäert d'grouss-Skala Produktioun vun p-Typ monocrystalline Zellen PERC Technologie benotzen, an der Moyenne Konversioun Effizienz wäert 23,1% erreechen, eng Erhéijung vun 0,3 Prozentsaz Punkten am Verglach mat 2020; der Konversioun Effizienz vun polycrystalline schwaarz Silicon Zellen benotzt PERC Technologie wäert 21,0% erreechen, am Verglach mat 2020. Jährlech Erhéijung vun 0,2 Prozentsaz Punkten; konventionell polycrystalline schwaarz Silicon Zell Effizienz Verbesserung ass net staark, der Konversioun Effizienz an 2021 wäert ongeféier 19,5% ginn, nëmmen 0,1 Prozentsaz Punkt méi héich, an d'Zukunft Effizienz Verbesserung Plaz ass limitéiert; déi duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun ingot monocrystalline PERC Zellen ass 22,4%, wat 0,7 Prozentpunkte méi niddereg ass wéi déi vun monocrystalline PERC Zellen; déi duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun n-Typ TOPCon Zellen erreecht 24%, an déi duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun Heterojunction Zellen erreecht 24,2%, déi allebéid staark verbessert goufen am Verglach mat 2020, an déi duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun IBC Zellen erreecht 24,2%. Mat der Entwécklung vun der Technologie an der Zukunft kënnen d'Batterietechnologien wéi TBC an HBC och weider Fortschrëtter maachen. An der Zukunft, mat der Reduktioun vun de Produktiounskäschte an der Verbesserung vun der Ausbezuelung, wäerten n-Typ Batterien eng vun den Haaptentwécklungsrichtungen vun der Batterietechnologie sinn.
Vun der Perspektiv vun Batterie Technologie Wee, der iterative Aktualiséierung opgetrueden Batterie Technologie huet haaptsächlech duerch BSF, PERC, TOPCon baséiert op PERC Verbesserung, an HJT, eng nei Technologie déi PERC subverts; TOPCon ka weider mat IBC kombinéiert ginn fir TBC ze bilden, an HJT kann och mat IBC kombinéiert ginn fir HBC ze ginn. P-Typ monocrystalline Zellen benotzen haaptsächlech PERC Technologie, p-Typ polycrystalline Zellen enthalen polycrystalline schwaarz Silizium Zellen an ingot monocrystalline Zellen, déi lescht bezitt sech op d'Zousätzlech vun monocrystalline Some Kristaller op der Basis vun konventionell polycrystalline ingot Prozess, Direktional Solidifikatioun. Quadrat Silizium Ingot gëtt geformt, an e Siliziumwafer gemëscht mat Eenkristall a polykristallin gëtt duerch eng Serie vu Veraarbechtungsprozesser gemaach. Well et am Wesentlechen eng polykristallin Virbereedungsroute benotzt, ass et an der Kategorie vu p-Typ polykristallin Zellen abegraff. D'n-Typ Zellen enthalen haaptsächlech TOPCon monokristallin Zellen, HJT monokristallin Zellen an IBC monokristallin Zellen. Am Joer 2021 wäerten déi nei Masseproduktiounslinnen nach ëmmer vu PERC Zellproduktiounslinnen dominéiert ginn, an de Maartundeel vun PERC Zellen wäert weider op 91,2% eropgoen. Wéi d'Produktfuerderung fir Outdoor- an Haushaltsprojeten sech op héicheffizient Produkter konzentréiert huet, wäert de Maartundeel vu BSF Batterien vun 8.8% op 5% am Joer 2021 erofgoen.
1.4. Moduler: D'Käschte vun den Zellen sinn den Haaptdeel, an d'Kraaft vun de Moduler hänkt vun den Zellen of
D'Produktiounsschrëtt vu Photovoltaikmoduler enthalen haaptsächlech Zellverbindung a Laminéierung, an Zellen ausmaachen e groussen Deel vun de Gesamtkäschte vum Modul. Well de Stroum an d'Spannung vun enger eenzeger Zell ganz kleng sinn, mussen d'Zellen duerch Busbarren matenee verbonne sinn. Hei si se a Serie verbonne fir d'Spannung ze erhéijen, an dann parallel verbonne fir en héije Stroum ze kréien, an dann d'Fotovoltaikglas, EVA oder POE, Batterie Blat, EVA oder POE, Réckblech sinn versiegelt an Hëtzt an enger gewësser Uerdnung gedréckt. , a schlussendlech geschützt duerch Aluminiumrahmen a Silikon Dichtungsrand. Aus der Perspektiv vun der Komponenteproduktiounskäschtekompositioun sinn d'Materialkäschte fir 75%, déi d'Haaptpositioun besetzen, gefollegt vu Fabrikatiounskäschte, Leeschtungskäschte an Aarbechtskäschte. D'Käschte vu Materialien ginn duerch d'Käschte vun Zellen gefouert. Laut Ukënnegunge vu ville Firmen, stellen d'Zellen ongeféier 2/3 vun de Gesamtkäschte vun de Photovoltaikmoduler aus.
Photovoltaesch Moduler ginn normalerweis no Zelltyp, Gréisst a Quantitéit opgedeelt. Et ginn Differenzen an der Kraaft vu verschiddene Moduler, awer si sinn all an der Steigerung. Kraaft ass e Schlësselindikator vu photovoltaesche Moduler, representéiert d'Fäegkeet vum Modul fir Solarenergie an Elektrizitéit ëmzewandelen. Et kann aus der Muecht Statistiken vun verschidden Zorte vu photovoltaic Moduler gesi ginn, datt wann d'Gréisst an Zuel vun Zellen am Modul sinn déi selwecht, d'Kraaft vum Modul n-Typ Single Kristallsglas produzéiert> p-Typ Single Kristallsglas produzéiert> polycrystalline; Wat d'Gréisst an d'Quantitéit méi grouss ass, wat d'Muecht vum Modul méi grouss ass; fir TOPCon Eenkristallmoduler an Heterojunction Moduler vun der selwechter Spezifizéierung, ass d'Kraaft vun der leschter méi grouss wéi déi vun der fréierer. Laut CPIA Prognose wäert d'Modulkraaft an den nächste Joren ëm 5-10W pro Joer eropgoen. Zousätzlech wäert d'Modulverpackung e gewësse Kraaftverloscht bréngen, haaptsächlech optesch Verloscht an elektresch Verloscht. Déi fréier gëtt duerch d'Transmissioun an den opteschen Mëssmatch vu Verpackungsmaterialien wéi Photovoltaikglas an EVA verursaacht, an déi lescht bezitt sech haaptsächlech op d'Benotzung vu Solarzellen a Serien. De Circuitverloscht, deen duerch d'Resistenz vum Schweißband an der Busbar selwer verursaacht gëtt, an den aktuellen Mismatchverloscht, deen duerch d'Parallelverbindung vun den Zellen verursaacht gëtt, ass de Gesamtkraaftverloscht vun deenen zwee ongeféier 8%.
1.5. Photovoltaik installéiert Kapazitéit: D'Politik vu verschiddene Länner ass offensichtlech gedriwwen, an et gëtt enorm Plaz fir nei installéiert Kapazitéit an Zukunft
D'Welt huet am Fong e Konsens iwwer d'Netto-Null-Emissiounen ënner dem Ëmweltschutzziel erreecht, an d'Wirtschaft vun iwwerlagerte Photovoltaikprojeten sinn no an no entstanen. D'Länner exploréieren aktiv d'Entwécklung vun erneierbaren Energiekraaftproduktioun. An de leschte Joeren hunn Länner ronderëm d'Welt Engagementer gemaach fir Kuelestoffemissiounen ze reduzéieren. Déi meescht vun de grousse Treibhausgasemitter hunn entspriechend erneierbar Energieziler formuléiert, an d'installéiert Kapazitéit vun erneierbaren Energie ass enorm. Baséiert op der 1.5 ℃ Temperatur Kontroll Zil, IRENA virausgesot, datt déi global installéiert erneierbar Energie Kapazitéit 10.8TW erreechen 2030. Zousätzlech, laut WOODMac Donnéeën, den Niveau Käschten vun Elektrizitéit (LCOE) vun Solarenergie Generatioun an China, Indien, d'USA an aner Länner ass scho méi niddereg wéi déi bëllegst fossil Energie, a wäert an Zukunft weider erofgoen. Déi aktiv Promotioun vu Politik a verschiddene Länner an d'Wirtschaft vun der Photovoltaikenergieproduktioun hunn an de leschte Joren zu enger stänneger Erhéijung vun der kumulativer installéierter Kapazitéit vun der Photovoltaik an der Welt a China gefouert. Vun 2012 bis 2021 wäert d'kumulativ installéiert Kapazitéit vun der Photovoltaik an der Welt vun 104.3GW op 849.5GW eropgoen, an déi kumulativ installéiert Kapazitéit vu Photovoltaik a China wäert vun 6.7GW op 307GW eropgoen, eng Erhéijung vun iwwer 44 Mol. Zousätzlech ass China seng nei installéiert Photovoltaik Kapazitéit méi wéi 20% vun der Weltgesamt installéierter Kapazitéit. Am Joer 2021 ass déi nei installéiert Photovoltaik Kapazitéit vu China 53GW, wat ongeféier 40% vun der nei installéierter Kapazitéit vun der Welt ausmécht. Dëst ass haaptsächlech wéinst der reichend an eenheetlecher Verdeelung vu Liichtenergie Ressourcen a China, déi gutt entwéckelt Upstream a Downstream, an der staarker Ënnerstëtzung vun der nationaler Politik. Wärend dëser Period huet China eng rieseg Roll an der Photovoltaikenergieproduktioun gespillt, an déi kumulativ installéiert Kapazitéit huet manner wéi 6,5% ausgemaach. ass geännert ginn +36.14%.
Baséierend op der uewe genannter Analyse huet CPIA d'Prognose fir nei erhéicht Photovoltaikinstallatiounen vun 2022 bis 2030 op der ganzer Welt ginn. Et gëtt geschat datt ënner optimisteschen a konservativen Bedéngungen déi global nei installéiert Kapazitéit am Joer 2030 366 an 315GW respektiv sinn, an nei installéiert Kapazitéit vu China wäert 128. , 105GW sinn. Drënner wäerte mir d'Nofro fir Polysilisium prognostizéiere baséiert op der Skala vun nei installéierter Kapazitéit all Joer.
1.6. Demandeprevisioun vu Polysilicium fir Photovoltaikapplikatiounen
Vun 2022 bis 2030, baséiert op der CPIA Prognose fir déi global nei erhéicht PV Installatiounen ënner optimisteschen a konservativen Szenarien, kann d'Demande fir Polysilisium fir PV Uwendungen virausgesot ginn. Zellen sinn e Schlësselschrëtt fir fotoelektresch Konversioun ze realiséieren, a Siliziumwafere sinn d'Basis Rohmaterialien vun Zellen an den direkten Downstream vum Polysilisium, also ass et e wichtege Bestanddeel vun der Polysilisiumfuerderungsprognose. Déi gewiicht Zuel vu Stécker pro Kilogramm Siliziumstäben an Ingots kann aus der Unzuel vun de Stécker pro Kilogramm an dem Maartundeel vu Siliciumstäben an Ingots berechent ginn. Dann, no der Kraaft an dem Maartundeel vu Siliciumwafers vu verschiddene Gréissten, kann d'gewiicht Kraaft vun de Siliziumwafere kritt ginn, an dann kann déi erfuerderlech Unzuel vu Siliziumwafere geschätzt ginn no der nei installéierter Photovoltaik Kapazitéit. Als nächst kann d'Gewiicht vun den erfuerderleche Siliciumstäben an Ingots kritt ginn no der quantitativer Bezéiung tëscht der Unzuel vun de Siliziumwaferen an der gewiichter Zuel vu Siliziumstäben a Silizium Ingots pro Kilogramm. Weider kombinéiert mat dem gewiichtte Siliziumverbrauch vu Siliziumstäbchen / Silicium Ingots, kann d'Nofro fir Polysilisium fir nei installéiert Photovoltaik Kapazitéit endlech kritt ginn. Laut de prognostizéierte Resultater wäert d'global Nofro fir Polysilisium fir nei Photovoltaikinstallatiounen an de leschte fënnef Joer weider eropgoen, an 2027 als Héichpunkt an dann an den nächsten dräi Joer liicht erofgoen. Et gëtt geschat datt ënner optimisteschen a konservativen Bedéngungen am Joer 2025 d'global alljährlech Nofro fir Polysilisium fir Photovoltaikinstallatiounen 1,108,900 Tonnen respektiv 907,800 Tonnen wäert sinn, an déi global Nofro fir Polysilisium fir Photovoltaik Uwendungen am Joer 2030 wäert 1,0042 ënner optimistesche Bedéngungen sinn, . , 896.900 Tonnen. Geméiss dem ChinaUndeel vun der globaler Photovoltaik installéierter Kapazitéit,China d'Demande fir Polysilicium fir Photovoltaik benotzt am Joer 2025gëtt erwaart op 369.600 Tonnen respektiv 302.600 Tonnen ënner optimisteschen a konservativen Konditiounen, respektiv 739.300 Tonnen an 605.200 Tonnen am Ausland.
2, Semiconductor Enn Nofro: D'Skala ass vill méi kleng wéi d'Demande am photovoltaesche Feld, an zukünfteg Wuesstum kann erwaart ginn
Zousätzlech fir Photovoltaikzellen ze maachen, kann Polysilisium och als Rohmaterial fir Chips benotzt ginn a gëtt am Halbleiterfeld benotzt, wat an Autosfabrikatioun, Industrieelektronik, elektronesch Kommunikatioun, Hausgeräter an aner Felder ënnerdeelt ka ginn. De Prozess vu Polysilicium bis Chip ass haaptsächlech an dräi Schrëtt opgedeelt. Als éischt gëtt de Polysilisium a monokristallin Silizium Ingots gezunn, an dann an dënn Siliziumwafer geschnidden. Silicon Wafere ginn duerch eng Serie vu Schleifen, Schleifen a Polieren produzéiert. , wat d'Basis Rohmaterial vun der Hallefleitfabrik ass. Schlussendlech gëtt de Siliziumwafer geschnidden a Laser gravéiert a verschidde Circuitstrukturen fir Chipprodukter mat bestëmmte Charakteristiken ze maachen. Gemeinsam Siliziumwafer enthalen haaptsächlech poléiert Wafers, Epitaxial Wafers a SOI Wafers. Poléiert Wafer ass e Chipproduktiounsmaterial mat héijer Flaachheet kritt andeems Dir de Siliziumwafer poléiert fir déi beschiedegt Schicht op der Uewerfläch ze läschen, déi direkt benotzt ka ginn fir Chips, Epitaxialwaferen a SOI Siliziumwafers ze maachen. Epitaxial Wafere ginn duerch epitaxial Wuesstum vu poléierte Wafere kritt, während SOI Siliziumwafere fabrizéiert ginn duerch Bindung oder Ionimplantatioun op poléierte Wafersubstrater, an de Virbereedungsprozess ass relativ schwéier.
Duerch d'Demande fir Polysilisium op der Halbleiter Säit am Joer 2021, kombinéiert mat der Prognose vun der Agence vum Wuesstumsquote vun der Halbleiterindustrie an den nächste Joren, kann d'Nofro fir Polysilisium am Halbleiterfeld vun 2022 bis 2025 ongeféier geschat ginn. Am Joer 2021 wäert d'global elektronesch-grade Polysilisiumproduktioun ongeféier 6% vun der Gesamt Polysilisiumproduktioun ausmaachen, a Solargrad Polysilisium a granulär Silizium wäerten ongeféier 94% ausmaachen. Déi meescht elektronesch-gradeg Polysilisium gëtt am Halbleiterfeld benotzt, an aner Polysilisium gëtt haaptsächlech an der Photovoltaikindustrie benotzt. . Dofir kann et ugeholl ginn datt d'Quantitéit u Polysilisium benotzt an der Hallefleitindustrie am Joer 2021 ongeféier 37.000 Tonnen ass. Zousätzlech, laut dem zukünftege Compound Wuesstumsquote vun der Hallefleitindustrie virausgesot vu FortuneBusiness Insights, wäert d'Demande fir Polysilisium fir d'Halbleiterverbrauch mat engem jährlechen Taux vun 8,6% vun 2022 op 2025 eropgoen. Et gëtt geschat datt am 2025 d'Nofro fir Polysilicium am Halbleiterfeld wäert ongeféier 51.500 Tonnen sinn. (Rapport Quell: Future Think Tank)
3, Polysilicon Import an Export: Importer iwwerschreiden d'Exporter wäit, mat Däitschland a Malaysia fir e méi héijen Undeel
Am Joer 2021 wäert ongeféier 18,63% vun der China Polysilicium Nofro aus Importer kommen, an d'Skala vun den Importer ass wäit iwwer d'Skala vum Export. Vun 2017 bis 2021 ass d'Import- an Exportmuster vu Polysilisium dominéiert vun Importer, wat wéinst der staarker Downstream Nofro fir Photovoltaikindustrie ka sinn, déi sech an de leschte Joeren séier entwéckelt huet, a seng Nofro fir Polysilisium mécht méi wéi 94% vun der total Nofro; Zousätzlech huet d'Firma nach net d'Produktiounstechnologie vun héichreiniger elektronescher Qualitéit Polysilicium beherrscht, sou datt e puer Polysilisium, déi vun der integréierter Circuitindustrie erfuerderlech ass, nach ëmmer op Importer vertrauen muss. Laut den Donnéeën vun der Silicon Industry Branch ass den Importvolumen weider erofgaang an 2019 an 2020. De fundamentale Grond fir de Réckgang vun der Polysilisiumimport am Joer 2019 war déi wesentlech Erhéijung vun der Produktiounskapazitéit, déi vun 388.000 Tonnen am Joer 2018 op 452.000 eropgaang ass. an 2019. Zur selwechter Zäit hunn OCI, REC, HANWHA E puer iwwerséiesch Firmen, wéi e puer auslännesch Firmen, aus der Polysilisiumindustrie wéinst Verloschter zréckgezunn, sou datt d'Importabhängegkeet vu Polysilisium vill méi niddereg ass; obwuel d'Produktiounskapazitéit net am 2020 eropgaang ass, huet d'Auswierkunge vun der Epidemie zu Verspéidungen am Bau vu Photovoltaikprojeten gefouert, an d'Zuel vun de Polysilisiumbestellungen ass an der selwechter Period erofgaang. Am Joer 2021 wäert de China's Photovoltaikmaart séier entwéckelen, an de scheinbar Konsum vu Polysilisium wäert 613.000 Tonnen erreechen, wat den Importvolumen zréckkënnt. An de leschte fënnef Joer ass de China's Netto Polysilisiumimportvolumen tëscht 90,000 an 140,000 Tonnen, vun deenen ongeféier 103,800 Tonnen am Joer 2021.
China's Polysiliciumimporter kommen haaptsächlech aus Däitschland, Malaysia, Japan an Taiwan, China, an den Total Importer aus dëse véier Länner wäerten 90,51% am Joer 2021 ausmaachen. 13,5% aus Japan, a 6% aus Taiwan. Däitschland gehéiert der Welt polysilicon Ris WACKER, déi gréisste Quell vun iwwerséiesch polysilicon ass, fir 12,7% vun der total global Produktioun Muecht an 2021; Malaysia huet eng grouss Zuel vu Polysilisiumproduktiounslinnen vun der Südkoreanescher OCI Company, déi aus der ursprénglecher Produktiounslinn a Malaysia vun TOKUYAMA staamt, eng japanesch Firma, déi vum OCI kaaft gouf. Et gi Fabriken an e puer Fabriken déi OCI aus Südkorea op Malaysia geplënnert ass. De Grond fir d'Verlagerung ass datt Malaysia gratis Fabrécksplaz ubitt an d'Käschte vum Stroum en Drëttel méi niddereg sinn wéi déi vu Südkorea; Japan an Taiwan, China hunn TOKUYAMA , GET an aner Firmen, déi e groussen Deel vun der Polysilisiumproduktioun besetzen. eng Plaz. Am Joer 2021 wäert de Polysilisiumoutput 492.000 Tonnen sinn, wat déi nei installéiert Photovoltaikkapazitéit an d'Chipproduktiounsfuerderung 206.400 Tonnen respektiv 1.500 Tonnen wäert sinn, an déi verbleiwen 284.100 Tonnen ginn haaptsächlech fir Downstream Veraarbechtung benotzt an am Ausland exportéiert. An de Downstream Links vu Polysilisium ginn Siliziumwafer, Zellen a Moduler haaptsächlech exportéiert, ënner deenen den Export vu Moduler besonnesch prominent ass. Am Joer 2021 ware 4,64 Milliarde Siliziumwaferen an 3,2 Milliarde Photovoltaikzellenexportéiertaus China, mat engem Gesamtexport vun 22.6GW respektiv 10.3GW, an den Export vu Photovoltaikmoduler ass 98.5GW, mat ganz wéinegen Importer. Wat d'Exportwäert Zesummesetzung ugeet, wäert d'Modulexport am Joer 2021 US $ 24.61 Milliarde erreechen, wat 86% ausmécht, gefollegt vu Siliziumwaferen a Batterien. Am Joer 2021 wäert d'global Output vu Siliziumwaferen, Photovoltaikzellen a Photovoltaikmoduler 97.3%, 85.1%, respektiv 82.3% erreechen. Et gëtt erwaart datt d'global Photovoltaikindustrie an den nächsten dräi Joer weider a China konzentréiere wäert, an d'Ausgab an d'Exportvolumen vun all Link wäert bedeitend sinn. Dofir gëtt geschat datt vun 2022 bis 2025 d'Quantitéit u Polysilisium, déi fir d'Veraarbechtung an d'Produktioun vun Downstream Produkter benotzt gëtt an am Ausland exportéiert gëtt, graduell eropgeet. Et gëtt geschat andeems d'Auslandproduktioun vun der auslännescher Polysilicium Nofro subtrahéiert. Am Joer 2025 gëtt Polysilisium produzéiert duerch Veraarbechtung an Downstream Produkter geschat fir 583,000 Tonnen an auslännesch Länner aus China ze exportéieren
4, Resumé an Ausbléck
Déi global Nofro fir Polysilisium ass haaptsächlech am Photovoltaikfeld konzentréiert, an d'Demande am Hallefleitfeld ass net eng Uerdnung vun der Gréisst. D'Demande fir Polysilisium gëtt duerch Photovoltaikinstallatiounen gedriwwen, a gëtt graduell op Polysilisium iwwer de Link vu photovoltaesche Moduler-Zellwafer iwwerdroen, wat d'Nofro dofir generéiert. An Zukunft, mat der Expansioun vun der globaler Photovoltaik installéierter Kapazitéit, ass d'Nofro fir Polysilisium allgemeng optimistesch. Optimistesch, China an iwwerséiesch nei erhéicht PV Installatiounen, déi d'Demande fir Polysilisium am Joer 2025 verursaachen, wäerten 36.96GW an 73.93GW respektiv sinn, an d'Demande ënner konservativen Bedéngungen wäert och 30.24GW an 60.49GW respektiv erreechen. Am Joer 2021 wäert d'global Polysilisiumversuergung an Nofro enk sinn, wat zu héije weltwäite Polysilisiumpräisser resultéiert. Dës Situatioun kann bis 2022 weidergoen, a lues a lues op d'Bühn vun der fräier Versuergung no 2023. An der zweeter Halschent vum 2020 huet den Impakt vun der Epidemie ugefaang ze schwächen, an d'Downstream Produktiounsexpansioun huet d'Nofro fir Polysilisium gefuer, an e puer führend Firmen geplangt Produktioun auszebauen. Wéi och ëmmer, den Expansiounszyklus vu méi wéi annerhallwem Joer huet zu der Verëffentlechung vun der Produktiounskapazitéit Enn 2021 an 2022 gefouert, wat zu enger Erhéijung vun 4,24% am Joer 2021 resultéiert. schaarf. Et gëtt virausgesot datt am Joer 2022, ënner den optimisteschen a konservativen Bedéngungen vun der photovoltaescher installéierter Kapazitéit, d'Versuergung an d'Demande Spalt -156.500 Tonnen respektiv 2.400 Tonnen wäert sinn, an d'Gesamtversuergung wäert nach ëmmer an engem Zoustand vu relativ kuerzer Versuergung sinn. Am Joer 2023 an doriwwer eraus, wäerten déi nei Projeten, déi Enn 2021 an Ufank 2022 mam Bau ugefaang hunn, d'Produktioun starten an e Ramp-up vun der Produktiounskapazitéit erreechen. D'Offer an d'Demande wäerte sech no an no loosen, an d'Präisser kënnen ënner Drock no ënnen sinn. Am Suivi sollt d'Opmierksamkeet op d'Auswierkunge vum russesch-ukrainesche Krich op d'global Energiemuster bezuelt ginn, wat de globale Plang fir nei installéiert Photovoltaikkapazitéit änneren kann, wat d'Demande fir Polysilisium beaflosst.
(Dësen Artikel ass nëmme fir d'Referenz vun UrbanMines Clienten a representéiert keng Investitiounsberodung)