Verëffentlecht den 9. August 2024, um 15:30 EE Times Japan
Eng Fuerschungsgrupp vun der Japan Hokkaido Universitéit huet zesumme mat der Kochi University of Technology en "Oxid-Dënnfilm-Transistor" mat enger Elektronemobilitéit vu 78cm2 / Vs an exzellenter Stabilitéit entwéckelt. Et wäert méiglech sinn d'Bildschirmer vun der nächster Generatioun 8K OLED Fernseher ze fueren.
D'Uewerfläch vun der aktiver Schicht dënnem Film ass mat engem Schutzfilm bedeckt, wat d'Stabilitéit staark verbessert
Am August 2024 huet eng Fuerschungsgrupp mat Assistent Professer Yusaku Kyo a Professer Hiromichi Ota vum Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, an Zesummenaarbecht mam Professer Mamoru Furuta vun der School of Science and Technology, Kochi University of Technology ugekënnegt datt si hunn entwéckelt en "Oxid-Dënnfilm-Transistor" mat enger Elektronemobilitéit vu 78cm2 / Vs an exzellenter Stabilitéit. Et wäert méiglech sinn d'Bildschirmer vun der nächster Generatioun 8K OLED Fernseher ze fueren.
Aktuell 4K OLED Fernseher benotzen Oxid-IGZO Dënnfilm Transistoren (a-IGZO TFTs) fir d'Bildschirmer ze féieren. D'Elektronemobilitéit vun dësem Transistor ass ongeféier 5 bis 10 cm2/Vs. Wéi och ëmmer, fir den Écran vun enger nächster Generatioun 8K OLED TV ze fueren, ass en Oxid-Dënnfilm Transistor mat enger Elektronemobilitéit vu 70 cm2 / Vs oder méi erfuerderlech.
Assistent Prof Mago a seng Equipe hunn en TFT mat enger Elektronemobilitéit vun 140 cm2/Vs 2022 entwéckelt, mat engem dënnen Film vunIndiumoxid (In2O3)fir déi aktiv Layer. Et gouf awer net praktesch genotzt, well seng Stabilitéit (Zouverlässegkeet) extrem schlecht war wéinst der Adsorptioun an Desorptioun vu Gasmolekülen an der Loft.
Dës Kéier huet d'Fuerschungsgrupp decidéiert d'Uewerfläch vun der dënnter aktiver Schicht mat engem Schutzfilm ze decken fir ze verhënneren datt Gas an der Loft adsorbéiert gëtt. Déi experimentell Resultater weisen datt TFTs mat Schutzfilmer vunyttriumoxidanErbiumoxidextrem héich Stabilitéit gewisen. Ausserdeem war d'Elektronmobilitéit 78 cm2 / Vs, an d'Charakteristiken hunn net geännert och wann eng Spannung vun ± 20V fir 1,5 Stonnen applizéiert gouf, bleift stabil.
Op der anerer Säit huet d'Stabilitéit net verbessert an TFTs déi Hafniumoxid benotzt hunn oderAluminiumoxidals Schutzfilm. Wann d'Atomarrangement mat engem Elektronenmikroskop observéiert gouf, gouf festgestallt dattIndiumoxid anyttriumoxid waren op atomarer Niveau enk gebonnen (hetereepitaxial Wuesstem). Am Géigesaz, gouf bestätegt datt an TFTs, deenen hir Stabilitéit net verbessert gouf, d'Interface tëscht dem Indiumoxid an dem Schutzfilm amorph war.