1, 태양 광 종료 수요 : 태양 광 설치 용량에 대한 수요는 강력하며, 설치된 용량 예측에 따라 폴리 실리콘에 대한 수요가 역전됩니다.
1.1. 폴리 실리콘 소비 : 글로벌소비량은 주로 태양 광 발전을 위해 꾸준히 증가하고 있습니다.
지난 10 년, 글로벌폴리 실리콘소비는 계속 증가했으며, 태양 광 산업이 이끄는 중국의 비율이 계속 확대되었습니다. 2012 년부터 2021 년까지 전 세계 폴리 실리콘 소비는 일반적으로 237,000 톤에서 약 653,000 톤으로 상승 추세를 보였습니다. 2018 년에 중국의 531 개의 태양 광 발전 정책이 도입되어 태양 광 발전에 대한 보조금 비율이 명확하게 줄었습니다. 새로 설치된 태양 광 용량은 전년 대비 18% 감소했으며 폴리 실리콘에 대한 수요가 영향을 받았습니다. 2019 년 이후, 주정부는 태양 광 발전의 그리드 패리티를 홍보하기위한 여러 정책을 도입했습니다. 태양 광 산업의 급속한 발전으로 Polysilicon에 대한 수요는 급속한 성장 기간에 빠졌습니다. 이 기간 동안, 총 전 세계 소비에서 중국의 폴리 실리콘 소비의 비율은 2012 년 61.5%에서 2021 년 93.9%로 주로 중국이 빠르게 발전하는 태양 광 산업으로 인해 계속 증가했습니다. 2021 년에 다양한 유형의 폴리 실리콘의 전 세계 소비 패턴의 관점에서, 태양 광 세포에 사용되는 실리콘 재료는 적어도 94%를 차지할 것이며, 그 중 태양열 폴리 실리콘 및 세분화 된 실리콘은 각각 91%와 3%를 차지하지만, 94%의 전자 등급 폴리 실리콘에 사용될 수있다. 비율은 6%이며, 이는 현재 폴리 실리콘에 대한 수요가 태양 광 발전에 의해 지배됨을 보여줍니다. 이중 탄소 정책의 온난화에 따라 태양 광 설치 용량에 대한 수요가 더욱 강해질 것이며, 태양열 폴리 실리콘의 소비와 비율이 계속 증가 할 것으로 예상됩니다.
1.2. 실리콘 웨이퍼 : 단일 결정 실리콘 웨이퍼는 주류를 차지하고 연속적인 Czochralski 기술이 빠르게 발전합니다.
폴리 실리콘의 직접 다운 스트림 링크는 실리콘 웨이퍼이며, 중국은 현재 글로벌 실리콘 웨이퍼 시장을 지배하고 있습니다. 2012 년부터 2021 년까지 글로벌 및 중국 실리콘 웨이퍼 생산 능력과 출력은 계속 증가했으며 태양 광 산업은 계속 붐을 일으켰습니다. 실리콘 웨이퍼는 실리콘 재료와 배터리를 연결하는 다리 역할을하며 생산 능력에 대한 부담이 없으므로 많은 회사가 업계에 진출하기 위해 계속 유치합니다. 2021 년에 중국 실리콘 웨이퍼 제조업체는 크게 확장되었습니다생산213.5GW 출력 용량으로 글로벌 실리콘 웨이퍼 생산을 중단하여 215.4GW로 증가했습니다. 중국의 기존 및 새로 증가 된 생산 능력에 따르면, 연간 성장률은 향후 몇 년 동안 15-25%를 유지할 것으로 예상되며, 중국의 웨이퍼 생산은 여전히 세계에서 절대적인 지배적 위치를 유지할 것입니다.
다결정 실리콘은 다결정 실리콘 잉곳 또는 단결정 실리콘 막대로 제조 될 수있다. 다결정 실리콘 잉곳의 생산 공정에는 주로 주조 방법 및 직접 용융 방법이 포함됩니다. 현재, 두 번째 유형은 주요 방법이며, 손실률은 기본적으로 약 5%로 유지됩니다. 주조 방법은 주로 도가니에서 실리콘 재료를 먼저 녹인 다음 냉각을 위해 예열 된 또 다른 도가니에 캐스팅하는 것입니다. 냉각 속도를 제어함으로써, 다결정 실리콘 잉곳은 방향성 응고 기술에 의해 주조된다. 직접 멜팅 방법의 핫 멜팅 프로세스는 캐스팅 방법의 핫 멜팅 과정과 동일하며, 여기서 폴리 실리콘이 도가니에서 먼저 녹는 과정이지만 냉각 단계는 주조 방법과 다릅니다. 두 가지 방법은 본질적으로 매우 유사하지만 직접 녹는 방법은 하나의 도가니 만 필요하며, 생산 된 폴리 실리콘 제품은 양질의 품질이며, 이는 더 나은 방향을 갖는 다결정 실리콘 잉곳의 성장에 도움이되며, 성장 공정은 자동화하기 쉽고, 이는 결정 오류 감소의 내부 위치를 만들 수 있습니다. 현재, 태양 에너지 산업의 주요 기업은 일반적으로 직접 용융 방법을 사용하여 다결정 실리콘 잉곳을 만들고, 탄소 및 산소 함량은 비교적 낮으며, 이는 10ppma 및 16ppma 이하로 제어됩니다. 앞으로, 다결정 실리콘 잉곳의 생산은 여전히 직접 용융 방법에 의해 지배 될 것이며, 손실률은 5 년 안에 약 5%로 유지 될 것이다.
단결정 실리콘 막대의 생산은 주로 수직 서스펜션 구역 용융 방법에 의해 보충 된 Czochralski 방법을 기반으로하며,이 두 제품은 다른 용도를 갖는다. Czochralski 방법은 직선 튜브 열 시스템의 고 화부 쿼츠 도가니에서 열 다결정 실리콘에 대한 흑연 저항을 사용하여 용융을 위해 종자 결정을 용융물 표면에 삽입 한 다음 씨앗 결정을 회전시키면서 도가니를 증가시킵니다. , 종자 결정은 천천히 위쪽으로 올라가고, 단일 결정 실리콘은 시드, 증폭, 어깨 회전, 동일한 직경 성장 및 마감 과정을 통해 얻어진다. 수직 부동산 구역 용융 방법은 퍼니스 챔버에서 원주 고온 다결정 물질을 고정하고, 금속 코일을 다결정 길이 방향을 따라 천천히 움직이고, 원주 다결정을 통과하고, 고출력 무선 주파수 전류를 금속 코일 내부에 통과시키기 위해 코일이 고조된 후, 코일이 전달 된 후, 코일이 전달된다. 단결정. 생산 공정이 다르기 때문에 생산 장비, 생산 비용 및 제품 품질에는 차이가 있습니다. 현재, 구역 용융 방법에 의해 얻어진 생성물은 고순도가 높고 반도체 장치의 제조에 사용될 수있는 반면, Czochralski 방법은 광 전 세포를위한 단결정 실리콘을 생산하는 조건을 충족 할 수 있으며 비용이 적으므로 주류 방법이다. 2021 년에 직선 풀 방법의 시장 점유율은 약 85%이며 향후 몇 년 안에 약간 증가 할 것으로 예상됩니다. 2025 년과 2030 년의 시장 점유율은 각각 87%와 90%로 예상됩니다. 지구 녹는 단일 크리스탈 실리콘 측면에서, 지구 녹는 단결정 실리콘의 산업 농도는 세계에서 상대적으로 높다. 획득), Topsil (덴마크). 앞으로, 용융 단결정 실리콘의 출력 스케일은 크게 증가하지 않을 것입니다. 그 이유는 중국의 관련 기술이 일본과 독일, 특히 고주파 난방 장비 및 결정화 공정 조건의 용량에 비해 상대적으로 역전되기 때문입니다. 대형 지름 영역에서 융합 실리콘 단결정의 기술은 중국 기업이 스스로 계속 탐구해야합니다.
Czochralski 방법은 CCZ (Continuous Crystal Pulling Technology) 및 RCZ (Retered Crystal Pulling Technology)로 나눌 수 있습니다. 현재 업계의 주류 방법은 RCZ이며 RCZ에서 CCZ 로의 전환 단계에 있습니다. RZC의 단결정 당기기 및 공급 단계는 서로 독립적입니다. 각각의 당기기 전에, 단결정 잉곳은 게이트 챔버에서 냉각되고 제거되어야하는 반면, CCZ는 당기는 동안 먹이와 용융을 실현할 수 있습니다. RCZ는 상대적으로 성숙하며 미래에 기술 개선의 여지가 거의 없습니다. CCZ는 비용 절감 및 효율성 개선의 장점을 가지고 있으며 빠른 개발 단계에 있습니다. 단일로드를 그려 내기까지 약 8 시간이 걸리는 RCZ와 비교하여 비용 측면에서 CCZ는이 단계를 제거하여 생산 효율성을 크게 향상시키고 도가니 비용을 줄이고 에너지 소비를 줄일 수 있습니다. 총 단일 용광로 출력은 RCZ보다 20% 이상 높습니다. 생산 비용은 RCZ보다 10% 이상 낮습니다. 효율의 관점에서, CCZ는 Crucible (250 시간) 내에서 8-10 개의 단결정 실리콘 막대의 도면을 완성 할 수있는 반면, RCZ는 약 4 만 완료 할 수 있으며 생산 효율은 100-150%증가 할 수 있습니다. 품질 측면에서 CCZ는 균일 한 저항성, 산소 함량이 낮으며 금속 불순물의 느린 축적을 가지므로, 빠른 발달 기간에도 N- 타입 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조에 더 적합합니다. 현재 일부 중국 기업들은 CCZ 기술을 가지고 있다고 발표했으며, 세분화 된 실리콘 CCZ-N- 유형 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 경로는 기본적으로 명확했으며 100% 과립 실리콘 재료를 사용하기 시작했습니다. . 앞으로 CCZ는 기본적으로 RCZ를 대체하지만 특정 프로세스가 필요합니다.
단결정 실리콘 웨이퍼의 생산 공정은 당기기, 슬라이스, 슬라이스, 청소 및 분류의 네 단계로 나뉩니다. 다이아몬드 와이어 슬라이싱 방법의 출현으로 슬라이싱 손실률이 크게 감소했습니다. 결정 당기 공정은 상기 설명되었다. 슬라이싱 프로세스에는 잘림, 제곱 및 모따기 작업이 포함됩니다. 슬라이스는 슬라이싱 머신을 사용하여 원주 실리콘을 실리콘 웨이퍼로 자릅니다. 청소 및 정렬은 실리콘 웨이퍼 생산의 마지막 단계입니다. 다이아몬드 와이어 슬라이싱 방법은 전통적인 모르타르 와이어 슬라이싱 방법에 대해 명백한 이점을 가지고 있으며, 이는 주로 짧은 시간 소비와 낮은 손실에 반영됩니다. 다이아몬드 와이어의 속도는 전통적인 절단의 5 배입니다. 예를 들어, 단일 웨이퍼 절단의 경우 전통적인 박격포 와이어 절단은 약 10 시간이 걸리고 다이아몬드 와이어 절단은 약 2 시간 밖에 걸리지 않습니다. 다이아몬드 와이어 절단의 손실도 비교적 작으며 다이아몬드 와이어 절단으로 인한 손상층은 박격포 와이어 절단의 손상 층보다 작으며, 이는 더 얇은 실리콘 웨이퍼를 절단하는 데 도움이됩니다. 최근 몇 년간 절감 손실 및 생산 비용을 줄이기 위해 회사는 다이아몬드 와이어 슬라이싱 방법으로 전환했으며 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경이 낮아지고 있습니다. 2021 년에 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경은 43-56 μm이며, 단일 조정 실리콘 웨이퍼에 사용되는 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경은 크게 감소하고 계속 감소 할 것입니다. 2025 년과 2030 년에 단일 조합 실리콘 웨이퍼를 절단하는 데 사용되는 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경은 각각 36 μm 및 33 μm이며, 다 크라이스탈 틴 실리콘 웨이퍼를 절단하는 데 사용되는 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경은 각각 51 μm 및 51 μm입니다. 이는 다결정 실리콘 웨이퍼에 많은 결함과 불순물이 있고 얇은 와이어가 파손되기 쉽기 때문입니다. 따라서, 다결정 실리콘 웨이퍼 절단에 사용되는 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경은 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 직경보다 크며, 다결정 실리콘 웨이퍼의 시장 점유율이 점차 감소함에 따라, 폴리 크라이스탈린 실리콘에 사용된다.
현재, 실리콘 웨이퍼는 주로 다결정 실리콘 웨이퍼와 단일 조정 실리콘 웨이퍼의 두 가지 유형으로 나뉩니다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 긴 서비스 수명과 높은 광전 변환 효율의 장점을 가지고 있습니다. 다결정 실리콘 웨이퍼는 상이한 결정 평면 방향을 갖는 결정 입자로 구성되는 반면, 단결정 실리콘 웨이퍼는 원료와 동일한 결정 평면 방향을 갖는 다결정 실리콘으로 만들어진다. 외관에서, 다결정 실리콘 웨이퍼와 단일 크리스탈 실리콘 웨이퍼는 블루 블랙과 블랙 브라운이다. 이 둘은 다결정 실리콘 잉곳 및 단일 결정 실리콘 막대에서 각각 절단되기 때문에, 모양은 정사각형 및 준 제곱이다. 다결정 실리콘 웨이퍼 및 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 서비스 수명은 약 20 년입니다. 포장 방법과 사용 환경이 적합한 경우 서비스 수명이 25 년 이상에 도달 할 수 있습니다. 일반적으로, 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 수명은 다결정 실리콘 웨이퍼의 수명보다 약간 길다. 또한, 단결정 실리콘 웨이퍼는 또한 광전 전환 효율이 약간 우수하며, 탈구 밀도 및 금속 불순물은 다결정 실리콘 웨이퍼의 것보다 훨씬 작다. 다양한 요인의 결합 된 효과는 단결정의 소수 캐리어 수명이 다결정 실리콘 웨이퍼보다 수십 번 더 높아집니다. 따라서 전환 효율의 이점을 보여줍니다. 2021 년에는 다결정 실리콘 웨이퍼의 가장 높은 전환 효율이 약 21%가 될 것이며, 단결정 실리콘 웨이퍼의 최대 24.2%에 도달 할 것입니다.
긴 수명과 높은 전환 효율 외에도, 단결정 실리콘 웨이퍼는 또한 얇아지는 이점이 있으며, 이는 실리콘 소비 및 실리콘 웨이퍼 비용을 줄이는 데 도움이되지만 단편화 속도의 증가에주의를 기울입니다. 실리콘 웨이퍼가 얇아지면 제조 비용을 줄이는 데 도움이되며 현재 슬라이싱 공정은 얇아지는 요구를 완전히 충족시킬 수 있지만 실리콘 웨이퍼의 두께는 다운 스트림 셀 및 부품 제조의 요구를 충족해야합니다. 일반적으로, 실리콘 웨이퍼의 두께는 최근 몇 년 동안 감소하고 있으며, 다결정 실리콘 웨이퍼의 두께는 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 두께보다 상당히 크다. 단결정 실리콘 웨이퍼는 N- 타입 실리콘 웨이퍼 및 P 형 실리콘 웨이퍼로 더 나뉘어지고, N- 타입 실리콘 웨이퍼에는 주로 Topcon 배터리 사용 및 HJT 배터리 사용이 포함됩니다. 2021 년에 다결정 실리콘 웨이퍼의 평균 두께는 178μm이며, 미래의 수요 부족으로 인해 계속 얇아 질 것입니다. 따라서 두께는 2022 년에서 2024 년으로 약간 감소 할 것으로 예측되고, 두께는 2025 년 이후 약 170μm로 유지 될 것으로 예상된다; P- 타입 단일 결정질 실리콘 웨이퍼의 평균 두께는 약 170μm이며, 2025 년과 2030 년에는 155μm 및 140μm로 떨어질 것으로 예상됩니다. N- 타입 단일 결정 실리콘 웨이퍼 중 HJT 세포에 사용되는 실리콘 웨이퍼의 두께는 약 150μm이며, N- 타기의 평균 두께는 Tope-type의 평균 두께는 약 150μm이며, N- 타기의 두께는 Tope-tope wafer입니다. 세포는 165μm입니다. 135μm.
또한, 다결정 실리콘 웨이퍼의 생산은 단결정 실리콘 웨이퍼보다 더 많은 실리콘을 소비하지만, 생산 단계는 비교적 간단하므로 폴리 크라이 스트린 실리콘 웨이퍼에 비용 이점이 있습니다. 다결정 실리콘 웨이퍼 및 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 일반적인 원료로서 다결정 실리콘은이 둘의 순도 및 생산 단계의 차이로 인한이 둘의 생산에 다른 소비를 갖는다. 2021 년에 다결정 잉곳의 실리콘 소비는 1.10 kg/kg입니다. 연구 개발에 대한 제한된 투자는 미래의 작은 변화로 이어질 것으로 예상됩니다. 풀로드의 실리콘 소비는 1.066 kg/kg이며 최적화를위한 특정 공간이 있습니다. 2025 년과 2030 년에는 각각 1.05 kg/kg 및 1.043 kg/kg 일 것으로 예상됩니다. 단결정 풀링 공정에서, 청소 및 분쇄 손실을 줄이고, 생산 환경을 엄격하게 제어하고, 프라이머의 비율을 줄이고, 정밀 제어를 개선하며, 분해 된 실리콘 재료의 분류 및 가공 기술을 최적화함으로써 풀링로드의 실리콘 소비의 감소를 달성 할 수있다. 다결정 실리콘 웨이퍼의 실리콘 소비는 높지만, 다결정 실리콘 잉곳의 다결정 실리콘 잉기의 생산 비용은 상대적으로 높기 때문에 열광적 인 잉록 캐스팅에 의해 생성되기 때문에, 단일 크라이 슈탈린 실리콘 잉곳은 일반적으로 고압 가구에서 느린 성장에 의해 생성되며, 상대적으로 높은 동력을 소비합니다. 낮은. 2021 년에, 단일 조정질 실리콘 웨이퍼의 평균 생산 비용은 약 0.673 위안/W이며, 다결정 실리콘 웨이퍼의 비용은 0.66 위안/w가 될 것이다.
실리콘 웨이퍼의 두께가 감소하고 다이아몬드 와이어 버스 바의 직경이 감소함에 따라, 킬로그램 당 직경의 실리콘 막대/잉곳의 출력이 증가하고, 동일한 무게의 단결정 실리콘 막대의 수는 다 크라이 슈타린 실리콘 잉티보다 높을 것이다. 전력 측면에서, 각 실리콘 웨이퍼가 사용하는 전력은 유형과 크기에 따라 다릅니다. 2021 년에 P- 타입 166mm 크기의 단일 결정 사각형 막대의 출력은 킬로그램 당 약 64 조각이며, 다결정 사각형 잉곳의 출력은 약 59 개입니다. P- 타입의 단결정 실리콘 웨이퍼 중 158.75mm 크기의 단일 연속 정사각형로드의 출력은 킬로그램 당 약 70 조각, P- 타입 182mm 크기의 단결정 제곱 막대의 출력은 킬로그램 당 약 53 조각이며, 킬로그램 당 P- 타입 210mm 크기의 단일 결정 막대의 출력은 53 개 조각입니다. 사각형 막대의 출력은 약 40 조각입니다. 2022 년에서 2030 년까지 실리콘 웨이퍼의 지속적인 얇아짐은 의심 할 여지없이 동일한 부피의 실리콘 막대/잉곳의 수를 증가시킬 것입니다. 다이아몬드 와이어 버스 바 및 중간 입자 크기의 더 작은 직경은 또한 절단 손실을 줄여 생성 된 웨이퍼의 수를 증가시키는 데 도움이됩니다. 수량. 2025 년과 2030 년에 P- 타입 166mm 크기의 단일 결정 사각형 막대의 출력은 킬로그램 당 약 71 및 78 조각이며, 다결정 사각형 잉곳의 출력은 약 62 및 62 조각이며, 이는 다색의 실리콘 상자의 시장 점유율이 낮기 때문에 기술적 인 진도를 유발하기가 어렵습니다. 실리콘 웨이퍼의 다양한 유형과 크기의 힘에는 차이가 있습니다. 158.75mm 실리콘 웨이퍼의 평균 전력에 대한 발표 데이터에 따르면 약 5.8W/조각, 평균 전력 166mm 크기의 실리콘 웨이퍼는 약 6.25W/조각이며 평균 전력은 182mm 실리콘 웨이퍼입니다. 크기 실리콘 웨이퍼의 평균 전력은 약 7.49W/조각이며 210mm 크기의 실리콘 웨이퍼의 평균 전력은 약 10W/조각입니다.
최근 몇 년 동안, 실리콘 웨이퍼는 대형 방향으로 점차 개발되었으며, 대형 크기는 단일 칩의 전력을 증가시키는 데 도움이되므로 세포의 비 실리콘 비용을 희석시킨다. 그러나 실리콘 웨이퍼의 크기 조정은 상류 및 다운 스트림 매칭 및 표준화 문제, 특히 부하 및 고전류 문제를 고려해야합니다. 현재, 실리콘 웨이퍼 크기의 미래 개발 방향, 즉 182mm 크기와 210mm 크기와 관련하여 시장에 두 개의 캠프가 있습니다. 182mm의 제안은 주로 태양 광 세포의 설치 및 운송, 모듈의 전력 및 효율성, 상류와 하류 간의 시너지를 고려한 수직 산업 통합의 관점에서 비롯된 것입니다. 210mm는 주로 생산 비용 및 시스템 비용의 관점에서 비롯됩니다. 단일 비행로드 드로잉 프로세스에서 210mm 실리콘 웨이퍼의 출력은 15% 이상 증가했으며, 다운 스트림 배터리 생산 비용은 약 0.02 위안/W만큼 감소했으며 발전소 건설의 총 비용은 약 0.1 위안/W만큼 감소했습니다. 향후 몇 년 동안 크기가 166mm 미만인 실리콘 웨이퍼가 점차적으로 제거 될 것으로 예상됩니다. 210mm 실리콘 웨이퍼의 업스트림 및 다운 스트림 매칭 문제는 점차 효과적으로 해결 될 것이며 비용은 기업의 투자 및 생산에 영향을 미치는 더 중요한 요소가 될 것입니다. 따라서 210mm 실리콘 웨이퍼의 시장 점유율이 증가합니다. 꾸준한 상승; 182mm 실리콘 웨이퍼는 수직으로 통합 된 생산의 장점 덕분에 시장의 주류 크기가 될 것이지만 210mm 실리콘 웨이퍼 응용 기술의 획기적인 개발로 182mm는이를 제공 할 것입니다. 또한, 대형 실리콘 웨이퍼가 대규모 규모의 실리콘 웨이퍼의 노동 비용과 설치 위험이 크게 증가하기 때문에, 생산 비용 및 시스템 비용의 절약으로 인해 상쇄되기가 어렵 기 때문에 향후 몇 년 동안 대형 실리콘 웨이퍼가 시장에서 널리 사용하기가 어렵습니다. . 2021 년에 시장의 실리콘 웨이퍼 크기에는 156.75mm, 157mm, 158.75mm, 166mm, 182mm, 210mm 등이 포함됩니다. 그 중 158.75mm 및 166mm 크기는 전체의 50%를 차지했으며 156.75mm 크기는 5%로 감소하여 미래에 점차 대체됩니다. 166mm는 기존 배터리 생산 라인을 위해 업그레이드 할 수있는 가장 큰 크기의 솔루션으로 지난 2 년 동안 가장 큰 크기입니다. 전환 규모 측면에서, 2030 년에 시장 점유율이 2% 미만이 될 것으로 예상된다. 182mm 및 210mm의 결합 된 크기는 2021 년에 45%를 차지하며, 시장 점유율은 향후 빠르게 증가 할 것입니다. 2030 년 총 시장 점유율은 98%를 초과 할 것으로 예상됩니다.
최근 몇 년 동안, 단일 계정 실리콘의 시장 점유율은 계속 증가했으며 시장에서 주류 지위를 차지했습니다. 2012 년부터 2021 년까지 단일 결정 실리콘의 비율은 20% 미만에서 93.3%로 상승하여 상당한 증가입니다. 2018 년에 시장에 나와있는 실리콘 웨이퍼는 주로 다결정 실리콘 웨이퍼로 50%이상을 차지합니다. 주된 이유는 단결정 실리콘 웨이퍼의 기술적 이점이 비용 단점을 다룰 수 없기 때문입니다. 2019 년 이래로 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 광전 전환 효율이 다결정 실리콘 웨이퍼의 크게 초과되었으며, 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 생산 비용은 기술 진보와 함께 계속 감소하고 있으며, 단일 계경의 실리콘 웨이퍼의 시장 점유율은 계속 증가하여 계속 증가하여 시장에서 주된 주류가되었습니다. 제품. 2025 년에 단일 조정질 실리콘 웨이퍼의 비율이 약 96%에 도달 할 것으로 예상되며, 단일 결정 실리콘 웨이퍼의 시장 점유율은 2030 년에 97.7%에 도달 할 것으로 예상됩니다. (보고서 출처 : 미래 싱크 탱크)
1.3. 배터리 : PERC 배터리가 시장을 지배하고 N 형 배터리의 개발로 인해 제품 품질이 높아집니다.
태양 광 산업 체인의 미드 스트림 링크에는 태양 광 세포와 태양 광 세포 모듈이 포함됩니다. 실리콘 웨이퍼의 세포로의 처리는 광전 전환을 실현하는 데 가장 중요한 단계입니다. 실리콘 웨이퍼에서 기존 셀을 처리하는 데 약 7 단계가 걸립니다. 먼저, 실리콘 웨이퍼를 하이드로 플루오르 산에 넣어 표면에 피라미드와 같은 스웨이드 구조를 생성하여 햇빛의 반사율을 감소시키고 빛 흡수를 증가시킨다; 두 번째는 인이 실리콘 웨이퍼의 한쪽 표면에서 확산되어 PN 접합을 형성하고, 그 품질은 세포의 효율에 직접적인 영향을 미칩니다. 세 번째는 확산 단계 동안 실리콘 웨이퍼의 측면에 형성된 PN 접합부를 제거하여 셀의 단락을 방지하는 것입니다. 실리콘 질화물 필름의 층은 PN 접합부가 조명 반사를 감소시키고 동시에 효율을 증가시키는 측면에서 코팅된다; 다섯 번째는 실리콘 웨이퍼의 전면과 뒷면에 금속 전극을 인쇄하여 태양 광 발전에 의해 생성 된 소수 캐리어를 수집하는 것입니다. 인쇄 단계에 인쇄 된 회로는 소결 및 형성되며, 실리콘 웨이퍼, 즉 셀과 통합된다; 마지막으로, 효율이 다른 세포가 분류됩니다.
결정질 실리콘 세포는 일반적으로 기질로서 실리콘 웨이퍼로 만들어지며, 실리콘 웨이퍼의 유형에 따라 P- 타입 세포 및 N- 타입 세포로 나눌 수있다. 그 중에서도 N- 타입 세포는 전환 효율이 높고 최근 몇 년 동안 P- 타입 세포를 점차적으로 대체하고있다. P 형 실리콘 웨이퍼는 붕소를 갖는 실리콘을 도핑하여 만들어지며, N- 타입 실리콘 웨이퍼는 인으로 만들어집니다. 따라서, N- 타입 실리콘 웨이퍼에서 붕소 요소의 농도는 낮아서 붕소-산소 복합체의 결합을 억제하여 실리콘 재료의 소수 캐리어 수명을 개선시키고, 동시에 배터리에서의 광-유도 감쇠가 없다. 또한, N- 타입 소수 캐리어는 구멍이고, P 형 소수 캐리어는 전자이며, 구멍에 대한 대부분의 불순물 원자의 트래핑 단면은 전자의 것보다 작다. 따라서, N 형 셀의 소수 캐리어 수명은 더 높고 광전 변환율이 더 높다. 실험실 데이터에 따르면, P- 타입 세포의 전환 효율의 상한은 24.5%이고, N- 타입 세포의 전환 효율은 최대 28.7%이므로 N- 타입 세포는 미래 기술의 발달 방향을 나타낸다. 2021 년에, N- 타입 세포 (주로 이종 접합 세포 및 Topcon 세포 포함)는 상대적으로 높은 비용을 가지며 질량 생산 규모는 여전히 작다. 현재 시장 점유율은 약 3%이며 기본적으로 2020 년과 동일합니다.
2021 년에는 N- 타입 세포의 전환 효율이 상당히 개선 될 것이며 향후 5 년간 기술적 진보의 여지가있을 것으로 예상됩니다. 2021 년에, P- 유형 단일 결정질 세포의 대규모 생산은 PERC 기술을 사용하고, 평균 변환 효율은 23.1%에 도달하여 2020 년에 비해 0.3%포인트의 증가; PERC 기술을 사용한 다결정 검은 실리콘 세포의 전환 효율은 2020 년에 비해 21.0%에 도달 할 것이다. 연간 0.2%포인트 증가; 기존의 다결정 검은 실리콘 세포 효율 개선은 강력하지 않으며, 2021 년의 전환 효율은 약 19.5%, 0.1%포인트가 높으며 향후 효율성 개선 공간은 제한적입니다. Ingot monocrystalline perc 세포의 평균 전환 효율은 22.4%이며, 이는 단일 결정질 PERC 세포의 것보다 0.7% 포인트가 낮다; N- 타입 Topcon 세포의 평균 전환 효율은 24%에 도달하고, 이종 접합 세포의 평균 전환 효율은 24.2%에 도달하며, 둘 다 2020에 비해 크게 개선되었으며 IBC 세포의 평균 전환 효율은 24.2%에 도달한다. 미래의 기술 개발로 인해 TBC 및 HBC와 같은 배터리 기술도 계속 발전 할 수 있습니다. 앞으로 생산 비용이 줄어들고 수율 개선으로 N- 타입 배터리는 배터리 기술의 주요 개발 방향 중 하나가 될 것입니다.
배터리 기술 경로의 관점에서 볼 때, 배터리 기술의 반복 업데이트는 주로 PERC 개선을 기반으로 BSF, PERC, TOPCON을 통해 PERC를 전복하는 새로운 기술입니다. Topcon은 IBC와 더 결합하여 TBC를 형성 할 수 있으며 HJT는 IBC와 결합하여 HBC가 될 수 있습니다. P- 타입 단결정 세포는 주로 PERC 기술을 사용하고, P- 타입 다결정 세포는 다결정 검은 실리콘 세포 및 잉 구트 단일 결정질 세포를 포함하며, 후자는 전통적인 폴리 크라이 슈탈린 잉록 공정에 기초하여 단일 결정질 잉록 공정의 기초에 기초한 단일 크라이 슈탈린 종자 결정의 첨가를 지칭한다. 결정 및 다결정은 일련의 처리 프로세스를 통해 만들어집니다. 기본적으로 다결정 제제 경로를 사용하기 때문에 P- 타입 다결정 세포의 범주에 포함됩니다. N- 타입 세포는 주로 Topcon monocrystalline 세포, HJT 단결정 세포 및 IBC 단일 조정 세포를 포함한다. 2021 년에는 새로운 대량 생산 라인이 여전히 PERC 세포 생산 라인에 의해 지배 될 것이며, PERC 세포의 시장 점유율은 91.2%로 증가 할 것입니다. 야외 및 가정 프로젝트에 대한 제품 수요가 고효율 제품에 집중함에 따라 BSF 배터리의 시장 점유율은 2021 년 8.8%에서 5%로 떨어질 것입니다.
1.4. 모듈 : 셀의 비용은 주요 부분을 설명하고 모듈의 힘은 셀에 따라 다릅니다.
태양 광 모듈의 생산 단계에는 주로 세포 상호 연결 및 라미네이션이 포함되며, 세포는 모듈의 총 비용의 주요 부분을 차지합니다. 단일 셀의 전류 및 전압은 매우 작기 때문에 셀은 버스 바를 통해 상호 연결되어야합니다. 여기에서는 전압을 증가시키기 위해 직렬로 연결된 다음 고전류를 얻기 위해 병렬로 연결 한 다음, 광전지 유리, EVA 또는 POE, 배터리 시트, EVA 또는 POE, 뒷좌석을 일정 순서로 밀봉하고 열을 압축하고 마지막으로 알루미늄 프레임 및 실리콘 밀봉 가장자리로 보호됩니다. 구성 요소 생산 비용 구성의 관점에서, 재료 비용은 75%를 차지하고 주요 위치를 차지한 후 제조 비용, 성능 비용 및 노동 비용을 차지합니다. 재료 비용은 세포 비용에 의해 주도됩니다. 많은 회사의 발표에 따르면, 세포는 태양 광 모듈의 총 비용의 약 2/3을 차지합니다.
태양 광 모듈은 일반적으로 세포 유형, 크기 및 수량에 따라 나뉩니다. 다른 모듈의 힘에는 차이가 있지만 모두 상승 단계에 있습니다. 전력은 태양 에너지를 전기로 변환하는 모듈의 능력을 나타내는 태양 광 모듈의 주요 지표입니다. 모듈의 세포의 크기와 수가 동일 할 때, 모듈의 전력은 N- 타입 단결정> P- 타입 단일 결정> 다 크리 스트탈 린임을 알 수있다. 크기와 수량이 클수록 모듈의 전력이 커집니다. 동일한 사양의 Topcon 단일 결정 모듈 및 이종 접합 모듈의 경우 후자의 힘은 전자의 힘보다 큽니다. CPIA 예측에 따르면 모듈 전력은 향후 몇 년 동안 매년 5-10W 증가 할 것입니다. 또한 모듈 포장은 주로 광학 손실 및 전기 손실을 포함하여 특정 전력 손실을 가져올 것입니다. 전자는 태양 광 유리 및 EVA와 같은 포장 재료의 투과 및 광학 불일치로 인해 발생하며, 후자는 주로 일리피로 태양 전지의 사용을 나타냅니다. 용접 리본 및 버스 바 자체의 저항으로 인한 회로 손실 및 셀의 병렬 연결에 의해 야기 된 현재 불일치 손실, 두 개의 총 전력 손실은 약 8%를 차지합니다.
1.5. 광전지 설치 용량 : 여러 국가의 정책은 분명히 주도되어 있으며 향후 새로운 설치 용량을위한 큰 공간이 있습니다.
세계는 기본적으로 환경 보호 목표에 따른 순 제로 배출에 대한 합의에 도달했으며, 중첩 된 태양 광 프로젝트의 경제가 점차 등장했습니다. 국가들은 재생 에너지 발전의 발전을 적극적으로 탐구하고 있습니다. 최근 몇 년 동안 전 세계 국가들이 탄소 배출량을 줄이겠다 고 약속했습니다. 대부분의 주요 온실 가스 이미지는 해당 재생 가능 에너지 목표를 공식화했으며 재생 가능 에너지의 설치 용량은 엄청납니다. Irena는 1.5 ℃ 온도 제어 목표를 바탕으로 전 세계적으로 설치된 재생 가능 에너지 용량이 2030 년에 10.8TW에 도달 할 것이라고 예측하고있다. 또한 WoodMAC 데이터에 따르면, 중국, 인도, 미국 및 기타 국가의 태양 전력 생성 수준의 전기 비용 (LCOE)은 이미 가장 저렴한 화석 에너지보다 낮고 미래에 더욱 감소 할 것이라고 예측했다. 여러 국가의 정책 홍보와 태양 광 발전의 경제로 인해 최근 몇 년 동안 세계와 중국의 누적 설치 용량이 꾸준히 증가했습니다. 2012 년부터 2021 년까지 세계에서 태양 광 발전의 누적 설치 용량은 104.3GW에서 849.5GW로 증가 할 것이며, 중국의 누적 설치 용량은 6.7GW에서 307GW로 증가하여 44 배 이상 증가 할 것입니다. 또한, 중국의 새로 설치된 태양 광 용량은 전 세계 총 설치 용량의 20% 이상을 차지합니다. 2021 년에 중국의 새로 설치된 태양 광 용량은 53GW이며, 세계의 새로 설치된 용량의 약 40%를 차지합니다. 이는 주로 중국의 광 에너지 자원의 풍부하고 균일 한 분포, 잘 발달 된 상류 및 하류 및 국가 정책의 강력한 지원 때문입니다. 이 기간 동안 중국은 태양 광 발전에서 큰 역할을했으며 누적 설치 용량은 6.5%미만을 차지했습니다. 36.14%로 뛰었습니다.
위의 분석을 바탕으로 CPIA는 전 세계 2022 년에서 2030 년까지 새로 증가 된 태양 광 설치에 대한 예측을 제공했습니다. 낙관적이고 보수적 인 조건 모두에서 2030 년에 새로 설치된 글로벌 용량은 각각 366과 315GW가 될 것으로 추정되며, 새로 설치된 중국의 용량은 128., 105GW입니다. 아래에서는 매년 새로 설치된 용량 규모에 따라 폴리 실리콘에 대한 수요를 예측할 것입니다.
1.6. 태양 광 응용에 대한 폴리 실리콘의 수요 예측
2022 년에서 2030 년까지 낙관적이고 보수적 인 시나리오에서 세계적으로 증가 된 PV 설치에 대한 CPIA의 예측을 바탕으로 PV 응용 분야에 대한 폴리 실리콘에 대한 수요가 예측 될 수 있습니다. 세포는 광전 전환을 실현하는 핵심 단계이며, 실리콘 웨이퍼는 세포의 기본 원료이며 폴리 실리콘의 직접적인 다운 스트림이므로 폴리 실리콘 수요 예측의 중요한 부분입니다. 실로 그램 및 잉곳의 킬로그램 당 가중 수는 킬로그램 당 조각의 수와 실리콘 막대 및 잉곳의 시장 점유율에서 계산할 수 있습니다. 그런 다음 크기가 다른 실리콘 웨이퍼의 전력 및 시장 점유율에 따라 실리콘 웨이퍼의 가중 전력을 얻을 수 있으며, 필요한 수의 실리콘 웨이퍼는 새로 설치된 광전지 용량에 따라 추정 될 수 있습니다. 다음으로, 필요한 실리콘 막대 및 잉곳의 중량은 실리콘 웨이퍼의 수와 킬로그램 당 실리콘 막대의 가중 수와 실리콘 잉곳 사이의 정량적 관계에 따라 얻어 질 수있다. 실리콘 막대/실리콘 잉곳의 가중 실리콘 소비와 함께, 새로 설치된 태양 광 용량에 대한 폴리 실리콘에 대한 수요가 마침내 얻을 수있다. 예측 결과에 따르면, 지난 5 년간 새로운 태양 광 설치에 대한 폴리 실리콘에 대한 전 세계 수요는 2027 년에 최고치를 기록한 후 향후 3 년 동안 약간 감소 할 것입니다. 2025 년 낙관적이고 보수적 인 조건 하에서, 태양 광 설치에 대한 폴리 실리콘에 대한 전 세계 연간 수요는 각각 1,108,900 톤과 907,800 톤이 될 것이며, 2030 년의 광전지 적용에 대한 폴리 실리콘에 대한 전 세계 수요는 낙관적이고 보수적 인 조건 하에서 1,042,00 톤이 될 것으로 추정됩니다. , 896,900 톤. 중국에 따르면글로벌 태양 광 설치 용량의 비율,2025 년 태양 광 사용을위한 중국의 폴리 실리콘에 대한 수요낙관적이고 보수적 인 조건에서 각각 369,600 톤과 302,600 톤, 해외에서 각각 739,300 톤과 605,200 톤이 될 것으로 예상됩니다.
2, 반도체 최종 수요 : 스케일은 태양 광 분야의 수요보다 훨씬 작으며 미래 성장이 예상 될 수 있습니다.
태양 광 세포를 만드는 것 외에도, 폴리 실리콘은 칩을 만드는 원료로 사용될 수 있으며 반도체 필드에서 사용되며 자동차 제조, 산업용 전자 제품, 전자 통신, 홈 어플라이언스 및 기타 분야로 세분 될 수 있습니다. 폴리 실리콘에서 칩까지의 프로세스는 주로 세 단계로 나뉩니다. 먼저, 폴리 실리콘은 단결정 실리콘 잉곳으로 끌어 당긴 다음 얇은 실리콘 웨이퍼로 자릅니다. 실리콘 웨이퍼는 일련의 연삭, 모따기 및 연마 작업을 통해 생성됩니다. , 이것은 반도체 공장의 기본 원료입니다. 마지막으로, 실리콘 웨이퍼가 절단되고 레이저가 다양한 회로 구조로 새겨 져서 특정 특성을 갖는 칩 제품을 만듭니다. 일반적인 실리콘 웨이퍼에는 주로 광택 웨이퍼, 에피 택셜 웨이퍼 및 SOI 웨이퍼가 포함됩니다. 광택 웨이퍼는 표면의 손상된 층을 제거하기 위해 실리콘 웨이퍼를 연마함으로써 평탄도가 높은 칩 생산 물질로, 칩, 에피 택셜 웨이퍼 및 SOI 실리콘 웨이퍼를 만드는 데 직접 사용될 수 있습니다. 에피 택셜 웨이퍼는 연마 된 웨이퍼의 에피 택셜 성장에 의해 얻어지며, SOI 실리콘 웨이퍼는 연마 된 웨이퍼 기판의 결합 또는 이온 주입에 의해 제조되며, 제조 과정은 비교적 어렵다.
2021 년 반도체 측에 대한 폴리 실리콘에 대한 수요를 통해 향후 몇 년 동안 기관의 반도체 산업의 성장률에 대한 기관의 예측과 결합하면 2022 년에서 2025 년 사이의 반도체 필드의 폴리 실리콘에 대한 수요가 거의 추정 될 수있다. 2021 년에 글로벌 전자 등급의 폴리 실리콘 생산은 총 폴리 실리콘 생산의 약 6%를 차지할 것이며, 태양열 폴리 실리콘과 과립 실리콘은 약 94%를 차지할 것입니다. 대부분의 전자 등급 폴리 실리콘은 반도체 필드에서 사용되며 다른 폴리 실리콘은 기본적으로 태양 광 산업에서 사용됩니다. . 따라서 2021 년 반도체 산업에서 사용되는 폴리 실리콘의 양은 약 37,000 톤이라고 가정 할 수 있습니다. 또한 Fortunebusiness Insights에 의해 예측 된 반도체 산업의 미래 복합 성장률에 따르면, 반도체 사용에 대한 폴리 실리콘에 대한 수요는 2022 년에서 2025 년 사이에 연간 8.6%의 비율로 증가 할 것입니다. (보고서 출처 : 미래의 싱크 탱크)
3, Polysilicon 수입 및 수출 : 수입은 독일과 말레이시아가 더 높은 비율을 차지하는 수출을 훨씬 초과합니다.
2021 년에는 중국의 폴리 실리콘 수요의 약 18.63%가 수입에서 비롯 될 것이며 수입 규모는 수출 규모를 훨씬 능가합니다. 2017 년부터 2021 년까지, 폴리 실리콘의 수입 및 수출 패턴은 수입에 의해 지배되며, 이는 최근 몇 년 동안 빠르게 발전한 태양 광 산업에 대한 강력한 다운 스트림 수요와 Polysilicon에 대한 수요가 전체 수요의 94% 이상을 차지하기 때문일 수 있습니다. 또한이 회사는 아직 고급 전자 등급 폴리 실리콘의 생산 기술을 마스터하지 않았으므로 통합 회로 산업에서 요구하는 일부 폴리 실리콘은 여전히 수입에 의존해야합니다. 실리콘 산업 지점의 데이터에 따르면, 수입량은 2019 년과 2020 년에 계속 감소했습니다. 2019 년 폴리 실리콘 수입 감소의 근본적인 이유는 생산 능력의 상당한 증가로 인해 2018 년 388,000 톤에서 2019 년 452,000 톤으로 상승했습니다. 손실에 대해서는 폴리 실리콘의 수입 의존성이 훨씬 낮다. 2020 년에 생산 능력이 증가하지는 않았지만, 전염병의 영향으로 인해 태양 광 프로젝트 건설이 지연되었으며, 같은 기간에 폴리 실리콘 주문의 수가 감소했습니다. 2021 년에 중국의 태양 광 시장은 빠르게 발전 할 것이며, 폴리 실리콘의 명백한 소비는 613,000 톤에 이르렀으며 수입량이 반등하게됩니다. 지난 5 년간 중국의 순 폴리 실리콘 수입량은 90,000 ~ 140,000 톤이며, 그 중 2021 년에는 약 103,800 톤이었다. 중국의 순 폴리 실리콘 수입량은 2022 년에서 2025 년까지 연간 약 10 만 톤으로 남아있을 것으로 예상된다.
중국의 폴리 실리콘 수입은 주로 독일, 말레이시아, 일본, 대만, 중국에서 왔으며,이 4 개국의 총 수입은 2021 년에 90.51%를 차지할 것입니다. 중국의 폴리 실리콘 수입의 약 45%가 말레이시아에서 26%, 일본에서 13.5%, 대만에서 6%입니다. 독일은 2021 년 총 글로벌 생산 능력의 12.7%를 차지하는 해외 폴리 실리콘의 가장 큰 원천 인 세계의 폴리 실리콘 거인 Wacker를 소유하고 있습니다. 말레이시아는 OCI가 인수 한 일본 회사 인 Tokuyama의 말레이시아의 최초 생산 라인에서 유래 한 한국 OCI 회사의 많은 Polysilicon 생산 라인을 보유하고 있습니다. OCI가 한국에서 말레이시아로 이사 한 공장과 일부 공장이 있습니다. 이주의 이유는 말레이시아가 무료 공장 공간을 제공하고 전기 비용이 한국보다 1/3이 낮기 때문입니다. 일본과 대만, 중국에는 도쿠야마, GET 및 기타 회사가 있으며,이 회사는 많은 폴리 실리콘 생산을 차지하고 있습니다. 장소. 2021 년에 폴리 실리콘 출력은 492,000 톤이 될 것이며, 새로 설치된 태양 광 용량 및 칩 생산 수요는 각각 206,400 톤과 1,500 톤이며 나머지 284,100 톤은 주로 하류 처리 및 해외로 수출됩니다. 폴리 실리콘의 다운 스트림 링크에서, 실리콘 웨이퍼, 셀 및 모듈은 주로 수출되며, 그중에는 모듈의 수출이 특히 두드러진다. 2021 년에 464 억 실리콘 웨이퍼와 32 억 개의 태양 광 셀이수출중국에서 총 수출은 각각 22.6GW와 10.3GW이며 태양 광 모듈의 수출은 98.5GW이며 수입은 거의 없습니다. 수출 가치 구성 측면에서 2021 년 모듈 수출은 246 억 6 천만 달러에 이르며 86%를 차지한 후 실리콘 웨이퍼 및 배터리가 이어질 것입니다. 2021 년에는 실리콘 웨이퍼, 태양 광 세포 및 태양 광 모듈의 글로벌 출력이 각각 97.3%, 85.1%및 82.3%에 도달 할 것입니다. 전 세계 태양 광 산업은 향후 3 년 안에 중국에 계속 집중할 것으로 예상되며 각 링크의 생산 및 수출량은 상당 할 것으로 예상됩니다. 따라서 2022 년에서 2025 년까지 다운 스트림 제품을 처리하고 생산하는 데 사용되는 폴리 실리콘의 양이 점차 증가 할 것으로 추정됩니다. 해외 폴리 실리콘 수요에서 해외 생산을 빼서 추정됩니다. 2025 년에 다운 스트림 제품으로 가공하여 생산 된 폴리 실리콘은 중국에서 583,000 톤을 수출하는 것으로 추정됩니다.
4, 요약 및 전망
글로벌 폴리 실리콘 수요는 주로 태양 광 분야에 집중되어 있으며 반도체 필드의 수요는 크기가 아닙니다. 폴리 실리콘에 대한 수요는 태양 광 설치에 의해 주도되며, 태양 광 모듈-셀-웨이퍼의 링크를 통해 점차 폴리 실리콘으로 전송되어 수요가 발생합니다. 미래에 글로벌 태양 광 설치 용량의 확장으로 폴리 실리콘에 대한 수요는 일반적으로 낙관적입니다. 낙관적으로, 2025 년에 폴리 실리콘에 대한 수요가 각각 36.96GW와 73.93GW의 중국과 해외 증가 된 PV 설치가 증가하고 보수적 인 조건 하에서의 수요는 각각 30.24GW 및 60.49GW에 도달 할 것입니다. 2021 년에 글로벌 폴리 실리콘 공급과 수요는 엄격 해져서 전 세계 폴리 실리콘 가격이 높아질 것입니다. 이 상황은 2022 년까지 계속 될 수 있으며 2023 년 이후 점차 느슨한 공급 단계로 변할 수 있습니다. 2020 년 하반기에 전염병의 영향이 약화되기 시작했고 다운 스트림 생산 확장은 다국어에 대한 수요를 유도했으며 일부 주요 회사는 생산 확장을 계획했습니다. 그러나 2021 년과 2022 년 말에 생산 능력이 방출되어 2021 년에 4.24% 증가한 결과 10,000 톤의 공급 격차가 증가하여 가격이 급격히 상승했습니다. 2022 년, 태양 광 설치 용량의 낙관적이고 보수적 인 조건 하에서 공급 및 수요 격차는 각각 -156,500 톤과 2,400 톤이 될 것으로 예상되며, 전체 공급은 여전히 비교적 부족한 상태에있을 것으로 예상됩니다. 2023 년 이후, 2021 년 말과 2022 년 초에 건설을 시작한 새로운 프로젝트는 생산을 시작하고 생산 능력이 급격히 증가 할 것입니다. 공급과 수요는 점차 완화되며 가격은 하락할 수 있습니다. 후속 조치에서, 러시아-우크라이나 전쟁이 글로벌 에너지 패턴에 미치는 영향에 대한주의를 기울여야하며, 이는 새로 설치된 태양 광 용량에 대한 세계 계획을 바꿀 수 있으며, 이는 폴리 실리콘에 대한 수요에 영향을 줄 것이다.
(이 기사는 Urbanmines의 고객을 참조하기위한 것이며 투자 조언을 나타내지 않습니다.)