
| インジウム金属 |
| 要素シンボル=In |
| 原子番号=49 |
| ●沸点=2080℃●融点=156.6℃ |
インジウム金属について
地殻中に存在する量は0.05ppmで、硫化亜鉛から生成されます。亜鉛精錬の際に灰から分離し、インジウムイオン(+3価)の液体を得て、電気分解によって高純度の単体にします。銀白色の結晶として産出します。軟らかく、正方晶系に属します。空気中で安定しており、加熱するとIn2O3を生成します。室温ではフッ素や塩化物と反応します。酸性溶液には溶解しますが、水やアルカリ性溶液には溶解しません。
高品位インジウムインゴットの仕様
| 商品番号、 | 化学成分 | |||||||||||||||
| ≥(%) | 異物濃度≤ppm | |||||||||||||||
| Cu | Pb | Zn | Cd | Fe | Tl | Sn | As | Al | Mg | Si | S | Ag | Ni | 合計 | ||
| UMIG6N | 99.9999 | 1 | 1 | - | 0.5 | 1 | - | 3 | - | - | 1 | 1 | 1 | - | - | - |
| UMIG5N | 99.999 | 4 | 10 | 5 | 5 | 5 | 10 | 15 | 5 | 5 | 5 | 10 | 10 | 5 | 5 | - |
| UMIG4N | 99.993 | 5 | 10 | 15 | 15 | 7 | 10 | 15 | 5 | 5 | - | - | - | - | - | 70 |
| UMIG3N | 99.97 | 10 | 50 | 30 | 40 | 10 | 10 | 20 | 10 | 10 | - | - | - | - | - | 300 |
パッケージ:500±50g/インゴット、ポリエチレンファイルバッグでカプセル化、木箱入り、
インジウムインゴットは何に使われるのですか?
インジウムインゴット(In)- 用途と使用例
インジウムインゴットは、汎用性が高く、柔らかく、展延性に優れた遷移後金属であり、優れた電気伝導性、様々な基材への強力な密着性、低融点といった卓越した特性を備えています。これらの特性により、インジウムは日常的な家電製品から高度なエネルギー・研究システムに至るまで、現代技術において不可欠な材料となっています。当社の高純度インジウムインゴットは、幅広い最先端用途の基盤となる原材料として活用されています。
主な用途と産業分野:
1. 電子機器およびディスプレイ(主な用途)
インジウムの最大の用途は、透明導電性酸化物である酸化インジウムスズ(ITO)の形である。
* 透明導電膜:ITOターゲットからスパッタリングされたインジウムは、以下の透明導電層の形成に不可欠です。
* フラットパネルディスプレイ:スマートフォン、タブレット、テレビ、モニター向けのLCD、OLED、タッチスクリーン。
* 太陽光発電:薄膜太陽電池(CIGSなど)では、光が活性層に到達することを可能にする透明電極として機能します。
* 省エネ窓:熱と光の透過を動的に制御できるスマートウィンドウに使用されます。
2. はんだ付けと合金化
インジウムは融点が低く、多くの表面を濡らす性質を持つため、接合やコーティング用途において非常に貴重な材料である。
* 特殊はんだ:インジウム系はんだは、熱に弱い部品において信頼性の高い低温接合を実現します。これは、以下のような用途に不可欠です。
* 電子機器の組み立て:特にステップはんだ付け工程や、繊細なデバイスのパッケージングにおいて。
* 熱管理:高性能コンピューティングにおける繊細なチップへのヒートシンクの取り付け。
* 保護コーティング:ベアリングやその他の可動面に薄膜コーティングとして使用され、優れた潤滑性、摩擦の低減、耐腐食性の向上を実現します。
* 歯科用合金:他の金属と合金化して、強度、耐久性、生体適合性に優れた歯科用アマルガムや修復物を作る。
3. 半導体および先端研究
インジウムの超高純度特性は、最先端技術分野で活用されている。
* 化合物半導体:第III族元素の主要元素として、有機金属気相エピタキシー(MOVPE)法において、リン化インジウム(InP)やヒ化インジウムガリウム(InGaAs)などの高性能半導体の成長に用いられます。これらは以下の用途に不可欠です。
高周波トランジスタ
* 光エレクトロニクス:光ファイバー通信用のレーザーおよび光検出器。
* 研究開発:学術研究室や産業研究室において、新しい半導体デバイスやナノ材料の開発のための前駆体材料として利用される。
4. 原子力技術
* 制御棒:銀とカドミウムの合金(Ag-In-Cd合金)であるインジウムは、原子炉の制御棒の重要な構成要素であり、その高い中性子捕獲断面積は核分裂反応を精密に制御するのに役立ちます。
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主な特徴と利点:
* 高純度:半導体製造やITOスパッタリングなどの重要な用途において最適な性能を保証します。
* 優れた延性:容易に圧延、押出成形、およびワイヤーや箔を含むさまざまな形状への成形が可能です。
* 優れた濡れ性と密着性:ガラス、金属、セラミックと強力な結合を形成するため、はんだ付けやコーティングに最適です。
* 重要なイネーブラー:ディスプレイ、エネルギー、通信分野における複数の高成長技術にとって不可欠な材料。
免責事項:提供される情報は説明のみを目的としています。ユーザーは、インジウムインゴットが特定の用途に適しているかどうかを確認し、取り扱いおよび使用中にすべての関連する健康、安全、および環境規制を遵守する責任があります。