Birt 9. ágúst 2024, klukkan 15:30 EE Times Japan
Rannsóknarhópur frá Japan Hokkaido háskólanum hefur í sameiningu þróað „oxíð þunnfilmu smára“ með rafeindahreyfanleika 78cm2/Vs og framúrskarandi stöðugleika með Kochi tækniháskólanum. Það verður hægt að keyra skjái næstu kynslóðar 8K OLED sjónvörp.
Yfirborð virka lagsins þunnt filmu er þakið hlífðarfilmu, sem bætir stöðugleika
Í ágúst 2024 tilkynnti rannsóknarhópur, þar á meðal aðstoðarprófessor Yusaku Kyo og prófessor Hiromichi Ota frá Rannsóknastofnun fyrir rafeindavísindi, Hokkaido háskóla, í samvinnu við prófessor Mamoru Furuta við vísinda- og tæknideild Kochi tækniháskólans að þeir hefðu þróað „oxíð þunnfilmu smári“ með rafeindahreyfanleika upp á 78cm2/Vs og framúrskarandi stöðugleika. Það verður hægt að keyra skjái næstu kynslóðar 8K OLED sjónvörp.
Núverandi 4K OLED sjónvörp nota oxíð-IGZO þunnfilmu smára (a-IGZO TFT) til að keyra skjáina. Rafeindahreyfanleiki þessa smára er um 5 til 10 cm2/Vs. Hins vegar, til að keyra skjá næstu kynslóðar 8K OLED sjónvarps, þarf oxíð þunnfilmu smári með rafeindahreyfanleika 70 cm2/Vs eða meira.
Lektor Mago og teymi hans þróuðu TFT með rafeindahreyfanleika upp á 140 cm2/Vs 2022, með þunnri filmu afindíumoxíð (In2O3)fyrir virka lagið. Hins vegar kom það ekki í gagnið þar sem stöðugleiki (áreiðanleiki) var afar lélegur vegna frásogs og frásogs gassameinda í loftinu.
Að þessu sinni ákvað rannsóknarhópurinn að hylja yfirborð þunnt virka lagsins með hlífðarfilmu til að koma í veg fyrir að gas aðsogast í loftinu. Tilraunaniðurstöðurnar sýndu að TFT-tæki með hlífðarfilmum afyttríumoxíðogerbíumoxíðsýndi mjög mikinn stöðugleika. Þar að auki var rafeindahreyfanleiki 78 cm2/Vs og eiginleikarnir breyttust ekki, jafnvel þó að spenna upp á ±20V var sett á í 1,5 klst, hélst stöðug.
Á hinn bóginn batnaði stöðugleiki ekki í TFT sem notuðu hafníumoxíð eðaáloxíðsem hlífðarfilmur. Þegar atómskipulagið var skoðað með rafeindasmásjá kom í ljós aðindíum oxíð ogyttríumoxíð voru þétt tengd á atómstigi (heteroepitaxial vöxtur). Aftur á móti var staðfest að í TFT-tækjum þar sem stöðugleiki þeirra batnaði ekki, var viðmótið milli indíumoxíðsins og hlífðarfilmunnar formlaust.