1, Demann fen fotovoltaik: demann pou kapasite enstale fotovoltaik fò, epi demann pou polysilicon ranvèse baze sou pwevwa kapasite enstale a.
1.1. Konsomasyon Polysilicon: mondyal lavolim konsomasyon ap ogmante piti piti, sitou pou jenerasyon pouvwa fotovoltaik
Dis ane ki sot pase yo, mondyal lapolysiliconkonsomasyon te kontinye ap monte, ak pwopòsyon Lachin nan kontinye elaji, ki te dirije pa endistri a fotovoltaik. Soti nan 2012 a 2021, konsomasyon mondyal la polysilicon jeneralman te montre yon tandans anlè, k ap monte soti nan 237,000 tòn apeprè 653,000 tòn. Nan 2018, 531 nouvo politik fotovoltaik Lachin nan te prezante, ki klèman redwi pousantaj sibvansyon pou jenerasyon pouvwa fotovoltaik. Kapasite fotovoltaik ki fèk enstale a te tonbe pa 18% ane sou ane, epi demann pou polysilicon te afekte. Depi 2019, eta a te prezante yon kantite politik pou ankouraje parite griy fotovoltaik. Avèk devlopman rapid nan endistri fotovoltaik, demann pou polysilicon tou te antre nan yon peryòd kwasans rapid. Pandan peryòd sa a, pwopòsyon de konsomasyon polysilicon Lachin nan nan total konsomasyon mondyal la kontinye ap monte, soti nan 61.5% nan 2012 a 93.9% nan 2021, sitou akòz endistri fotovoltaik Lachin nan rapidman devlope. Soti nan pèspektiv nan modèl konsomasyon mondyal la nan diferan kalite polysilicon nan 2021, materyèl Silisyòm yo itilize pou selil fotovoltaik yo pral konte pou omwen 94%, nan yo ki polisilikon solè-klas ak granulaire Silisyòm kont pou 91% ak 3%, respektivman, pandan y ap elektwonik-klas polysilicon ki ka itilize pou bato kont pou 94%. Rapò a se 6%, ki montre ke demann aktyèl la pou polysilicon domine pa fotovoltaik. Li espere ke ak planèt la nan politik la doub-kabòn, demann lan pou kapasite enstale fotovoltaik ap vin pi fò, ak konsomasyon an ak pwopòsyon nan polysilicon solè-klas yo ap kontinye ogmante.
1.2. Silisyòm wafer: monokristalin Silisyòm wafer okipe endikap la, ak teknoloji kontinyèl Czochralski devlope rapidman
Lyen an dirèk en polysilicon se gaufrèt Silisyòm, ak Lachin kounye a domine mache mondyal wafer Silisyòm lan. Soti nan 2012 a 2021, kapasite pwodiksyon wafer mondyal ak Chinwa Silisyòm ak pwodiksyon kontinye ogmante, ak endistri fotovoltaik la kontinye boom. Silisyòm wafers sèvi kòm yon pon konekte materyèl Silisyòm ak pil, epi pa gen okenn chay sou kapasite pwodiksyon an, kidonk li kontinye atire yon gwo kantite konpayi yo antre nan endistri a. Nan 2021, manifaktirè Chinwa wafer Silisyòm te siyifikativman elajipwodiksyonkapasite nan pwodiksyon 213.5GW, ki te kondwi pwodiksyon wafer mondyal Silisyòm lan ogmante a 215.4GW. Dapre kapasite pwodiksyon ki deja egziste ak fèk ogmante nan Lachin, li espere ke to kwasans anyèl la ap kenbe 15-25% nan kèk ane kap vini yo, ak pwodiksyon wafer Lachin nan ap toujou kenbe yon pozisyon dominan absoli nan mond lan.
Silisyòm polikristalin ka fèt nan lengote Silisyòm polikristalin oswa baton Silisyòm monokristalin. Pwosesis pwodiksyon an nan lengote Silisyòm polikristalin sitou gen ladan metòd Distribisyon ak metòd k ap fonn dirèk. Kounye a, dezyèm kalite a se metòd prensipal la, epi to pèt la fondamantalman konsève nan apeprè 5%. Metòd la Distribisyon se sitou fonn materyèl la Silisyòm nan crucible a an premye, ak Lè sa a, jete l 'nan yon lòt crucible prechofe pou refwadisman. Lè w kontwole pousantaj refwadisman an, lingote Silisyòm polikristalin lan jete pa teknoloji solidifikasyon direksyon an. Pwosesis la cho-fonn nan metòd la dirèk-fonn se menm ak sa yo ki nan metòd la Distribisyon, nan ki se polysilicon la dirèkteman fonn nan crucible a an premye, men etap la refwadisman diferan de metòd la Distribisyon. Malgre ke de metòd yo trè menm jan an nan lanati, metòd la k ap fonn dirèk sèlman bezwen yon sèl crucible, ak pwodwi a polysilicon pwodwi se nan bon jan kalite bon, ki se fezab nan kwasans lan nan lengote Silisyòm polikristalin ak pi bon oryantasyon, ak pwosesis kwasans lan fasil. otomatize, sa ki ka fè pozisyon entèn nan rediksyon an Erè kristal. Kounye a, antrepriz dirijan yo nan endistri materyèl enèji solè jeneralman itilize metòd k ap fonn dirèk pou fè lengote Silisyòm polikristalin, ak kontni kabòn ak oksijèn yo relativman ba, ki kontwole anba a 10ppma ak 16ppma. Nan tan kap vini an, pwodiksyon an nan lengote Silisyòm polikristalin ap toujou domine pa metòd la k ap fonn dirèk, ak pousantaj pèt la ap rete alantou 5% nan senk ane.
Pwodiksyon baton Silisyòm monokristalin se sitou ki baze sou metòd Czochralski, complétée pa metòd k ap fonn zòn sispansyon vètikal la, ak pwodwi yo pwodwi pa de yo gen diferan itilizasyon. Metòd Czochralski itilize rezistans grafit pou chofe Silisyòm polikristalin nan yon kreze kwatz pite segondè nan yon sistèm tèmik dwat-tib pou fonn li, Lè sa a, insert kristal grenn nan sifas fonn lan pou fizyon, epi Thorne kristal grenn nan pandan y ap envèse la. kreze. , kristal pitit pitit la tou dousman leve anwo, epi silisyòm monokristalin jwenn atravè pwosesis simen, anplifikasyon, vire zepòl, kwasans egal dyamèt, ak fini. Metòd k ap fonn zòn k ap flote vètikal la refere a fikse materyèl polikristalin kolòn-wo pite a nan chanm fou a, deplase bobin metal la tou dousman sou direksyon longè polikristalin ak pase nan polikristalin kolòn, epi pase yon kouran frekans radyo ki gen gwo pouvwa nan metal la. bobin pou fè Pati anndan bobin poto polikristalin an fonn, epi apre bobin an deplase, fonn rkristalize pou fòme yon sèl kristal. Akòz pwosesis pwodiksyon diferan, gen diferans nan ekipman pwodiksyon, pri pwodiksyon ak bon jan kalite pwodwi. Koulye a, pwodwi yo jwenn nan metòd la fonn zòn gen pite segondè epi yo ka itilize pou fabrike nan aparèy semi-conducteurs, pandan y ap metòd la Czochralski ka satisfè kondisyon yo pou pwodwi silisyòm kristal sèl pou selil fotovoltaik epi li gen yon pri pi ba, kidonk li se metòd prensipal la. Nan 2021, pati nan mache nan metòd la rale dwat se apeprè 85%, epi li espere ogmante yon ti kras nan kèk ane kap vini yo. Aksyon mache yo nan 2025 ak 2030 yo prevwa yo dwe 87% ak 90% respektivman. An tèm de distri k ap fonn silisyòm kristal sèl, konsantrasyon endistri a nan distri k ap fonn silisyòm kristal sèl se relativman wo nan mond lan. akizisyon), TOPSIL (Denmark). Nan lavni an, echèl pwodiksyon an nan Silisyòm sèl kristal fonn pa pral ogmante anpil. Rezon ki fè la se ke teknoloji ki gen rapò Lachin nan yo relativman bak konpare ak Japon ak Almay, espesyalman kapasite nan ekipman chofaj segondè-frekans ak kondisyon pwosesis kristalizasyon. Teknoloji a nan fusion Silisyòm kristal sèl nan zòn gwo dyamèt mande pou antrepwiz Chinwa yo kontinye eksplore poukont yo.
Metòd Czochralski ka divize an teknoloji rale kontinyèl kristal (CCZ) ak teknoloji rale kristal repete (RCZ). Koulye a, metòd endikap nan endistri a se RCZ, ki se nan etap tranzisyon an soti nan RCZ a CCZ. Selibatè kristal rale ak manje etap RZC yo endepandan youn ak lòt. Anvan chak rale, ingot kristal sèl la dwe refwadi epi retire nan chanm pòtay la, pandan y ap CCZ ka reyalize manje ak k ap fonn pandan y ap rale. RCZ se relativman matirite, e gen ti plas pou amelyorasyon teknolojik nan tan kap vini an; pandan y ap CCZ gen avantaj ki genyen nan rediksyon pri ak amelyorasyon efikasite, epi li se nan yon etap nan devlopman rapid. An tèm de pri, konpare ak RCZ, ki pran apeprè 8 èdtan anvan yo trase yon sèl baton, CCZ ka anpil amelyore efikasite pwodiksyon, diminye pri kreze ak konsomasyon enèji pa elimine etap sa a. Pwodiksyon an total yon sèl gwo founo se plis pase 20% pi wo pase sa yo ki nan RCZ. Pri pwodiksyon an plis pase 10% pi ba pase RCZ. An tèm de efikasite, CCZ ka ranpli desen an nan 8-10 baton Silisyòm kristal sèl nan sik lavi a nan kreze a (250 èdtan), pandan y ap RCZ ka sèlman ranpli apeprè 4, ak efikasite pwodiksyon an ka ogmante pa 100-150% . An tèm de bon jan kalite, CCZ gen plis rezistans inifòm, pi ba kontni oksijèn, ak pi dousman akimilasyon nan enpurte metal, kidonk li se pi apwopriye pou preparasyon an nan n-kalite yon sèl kristal Silisyòm gauf, ki se tou nan yon peryòd de devlopman rapid. Koulye a, kèk konpayi Chinwa yo te anonse ke yo gen CCZ teknoloji, ak wout la nan granulaire Silisyòm-CCZ-n-tip monokristalin Silisyòm wafers te fondamantalman klè, e li te menm kòmanse sèvi ak 100% materyèl Silisyòm granulaire. . Nan lavni an, CCZ pral fondamantalman ranplase RCZ, men li pral pran yon sèten pwosesis.
Pwosesis pwodiksyon wafers Silisyòm monokristalin divize an kat etap: rale, tranche, tranche, netwaye ak klasman. Aparisyon metòd la tranche fil dyaman te redwi anpil pousantaj pèt tranche. Pwosesis rale kristal la te dekri pi wo a. Pwosesis tranche a gen ladan operasyon tronke, kare, ak chanfrein. Tranch se sèvi ak yon machin tranche koupe Silisyòm nan kolòn nan gauf Silisyòm. Netwayaj ak klasman yo se etap final yo nan pwodiksyon an nan gaufre Silisyòm. Metòd la tranche fil dyaman gen avantaj evidan sou metòd la tradisyonèl fil mòtye tranche, ki se sitou reflete nan konsomasyon nan kout tan ak pèt ki ba. Vitès la nan fil dyaman se senk fwa sa yo ki nan koupe tradisyonèl yo. Pou egzanp, pou koupe yon sèl-wafer, koupe tradisyonèl fil mòtye pran apeprè 10 èdtan, ak koupe fil dyaman sèlman pran apeprè 2 èdtan. Pèt la koupe fil dyaman tou relativman ti, ak kouch domaj ki te koze pa koupe fil dyaman se pi piti pase sa yo ki nan koupe fil mòtye, ki se fezab nan koupe pi mens gauf Silisyòm. Nan dènye ane yo, yo nan lòd yo diminye pèt koupe ak depans pwodiksyon, konpayi yo te tounen vin jwenn metòd dyaman tranche fil, ak dyamèt ba otobis fil dyaman ap vin pi ba ak pi ba. An 2021, dyamèt ba a fil dyaman pral 43-56 μm, ak dyamèt ba a fil dyaman yo itilize pou wafers Silisyòm monokristalin ap diminye anpil e yo kontinye ap deperi. Yo estime ke nan 2025 ak 2030, dyamèt busbars fil dyaman yo itilize pou koupe silisyòm wafers monokristalin yo pral 36 μm ak 33 μm, respektivman, ak dyamèt busbars fil dyaman yo itilize pou koupe silisyòm wafers polikristalin yo pral 51 μm. ak 51 μm, respektivman. Sa a se paske gen anpil domaj ak enpurte nan silisyòm silisyòm polikristalin, ak fil mens yo gen tandans kraze. Se poutèt sa, dyamèt la nan busbar fil dyaman yo itilize pou koupe wafer polikristalin Silisyòm se pi gwo pase sa yo ki nan wafers Silisyòm monokristalin, ak kòm pati nan mache nan silisyòm wafers polikristalin piti piti diminye, li se itilize pou Silisyòm polikristalin Rediksyon an nan dyamèt la nan dyaman. ba fil koupe pa tranch te ralanti.
Kounye a, silisyòm wafers yo sitou divize an de kalite: gaufret Silisyòm polikristalin ak gaufre Silisyòm monokristalin. Wafers Silisyòm monokristalin gen avantaj ki genyen nan lavi sèvis long ak efikasite konvèsyon fotoelektrik segondè. Wafers Silisyòm polikristalin yo konpoze de grenn kristal ak diferan oryantasyon avyon kristal, pandan y ap silisyòm kristal sèl yo te fè nan Silisyòm polikristalin kòm matyè premyè epi yo gen menm oryantasyon avyon kristal. Nan aparans, silisyòm silisyòm polikristalin ak silisyòm sèl kristal yo se ble-nwa ak nwa-mawon. Depi de yo koupe nan lengote Silisyòm polikristalin ak baton Silisyòm monokristalin, respektivman, fòm yo kare ak kare kare. Lavi sèvis silisyòm polikristalin ak silisyòm monokristalin se apeprè 20 ane. Si metòd anbalaj ak anviwònman itilizasyon apwopriye, lavi sèvis la ka rive jwenn plis pase 25 ane. Anjeneral pale, lavi a nan gaufre Silisyòm monokristalin se yon ti kras pi long pase sa yo ki nan gaufre Silisyòm polikristalin. Anplis de sa, wafers Silisyòm monokristalin yo tou yon ti kras pi bon nan efikasite konvèsyon foto-elektrik, ak dansite debwatman yo ak enpurte metal yo pi piti anpil pase sa yo ki nan gauf Silisyòm polikristalin. Efè a konbine nan divès faktè fè lavi a konpayi asirans minorite nan kristal sèl plizyè douzèn fwa pi wo pase sa yo ki nan gaufret Silisyòm polikristalin. Kidonk montre avantaj ki genyen nan efikasite konvèsyon. Nan 2021, pi wo efikasite konvèsyon nan silisyòm polikristalin wafers yo pral alantou 21%, ak sa yo ki nan wafers Silisyòm monokristalin pral rive jiska 24.2%.
Anplis de sa nan lavi ki long ak efikasite konvèsyon segondè, monokristalin Silisyòm wafers tou gen avantaj nan eklèsi, ki se fezab nan diminye konsomasyon Silisyòm ak pri Silisyòm wafer, men peye atansyon sou ogmantasyon nan pousantaj fwagmantasyon. Eklèsi nan gaufrèt Silisyòm ede diminye depans fabrikasyon, ak pwosesis aktyèl la tranche ka konplètman satisfè bezwen yo nan eklèsi, men epesè nan gaufrèt Silisyòm dwe tou satisfè bezwen yo nan selil en ak manifakti eleman. An jeneral, epesè Silisyòm gaufrèt yo te diminye nan dènye ane yo, ak epesè Silisyòm gaufrèt polikristalin se siyifikativman pi gwo pase sa yo ki nan gaufre Silisyòm monokristalin. Wafers Silisyòm monokristalin yo plis divize an gauf Silisyòm n-tip ak gaufr Silisyòm p-tip, pandan y ap gaufr Silisyòm n-kalite sitou gen ladan TOPCon Battery l 'ak HJT l' batri. Nan 2021, epesè an mwayèn nan silisyòm gauf polikristalin se 178μm, ak mank de demann nan tan kap vini an ap kondwi yo kontinye mens. Se poutèt sa, li prevwa ke epesè a ap diminye yon ti kras soti nan 2022 a 2024, ak epesè a ap rete nan apeprè 170μm apre 2025; epesè an mwayèn nan p-tip monokristalin Silisyòm gaufrèt se sou 170μm, epi li espere tonbe a 155μm ak 140μm nan 2025 ak 2030. Pami gaufr yo Silisyòm monokristalin n-kalite, epesè a nan gaufre yo Silisyòm yo itilize pou selil HJT se sou. 150μm, ak epesè an mwayèn nan n-tip Silisyòm wafers yo itilize pou selil TOPCon se 165μm. 135μm.
Anplis de sa, pwodiksyon an nan gaufre Silisyòm polikristalin konsome plis Silisyòm pase gaufre Silisyòm monokristalin, men etap pwodiksyon yo se relativman senp, ki pote avantaj pri nan gaufre Silisyòm polikristalin. Silisyòm polikristalin, kòm yon matyè premyè komen pou silisyòm polikristalin ak silisyòm monokristalin, gen diferan konsomasyon nan pwodiksyon de la, ki se akòz diferans ki genyen nan pite ak pwodiksyon etap nan de la. Nan 2021, konsomasyon Silisyòm nan ingot polikristalin se 1.10 kg / kg. Li espere ke envestisman an limite nan rechèch ak devlopman pral mennen nan ti chanjman nan tan kap vini an. Konsomasyon Silisyòm nan baton an rale se 1.066 kg / kg, e gen yon sèten chanm pou optimize. Li espere yo dwe 1.05 kg / kg ak 1.043 kg / kg nan 2025 ak 2030, respektivman. Nan pwosesis la yon sèl kristal rale, rediksyon nan konsomasyon nan Silisyòm nan baton an rale ka reyalize pa diminye pèt la nan netwayaj ak kraze, estrikteman kontwole anviwònman an pwodiksyon, diminye pwopòsyon nan primè, amelyore kontwòl la presizyon, ak optimize klasifikasyon an. ak teknoloji pwosesis nan materyèl Silisyòm degrade. Malgre ke konsomasyon Silisyòm nan silisyòm polikristalin yo wo anpil, pri pwodiksyon an nan silisyòm polikristalin se relativman wo paske lingote Silisyòm polikristalin yo pwodui pa depoze cho ki fonn ingot, pandan y ap silisyòm monokristalin yo anjeneral pwodwi pa kwasans dousman nan Czochralski sèl kristal founo. ki konsome pouvwa relativman wo. Ba. Nan 2021, pri pwodiksyon mwayèn nan silisyòm monokristalin wafers yo pral apeprè 0.673 Yuan / W, ak sa yo ki nan wafers Silisyòm polikristalin yo pral 0.66 Yuan / W.
Kòm epesè nan wafer nan Silisyòm diminye ak dyamèt la nan busbar fil dyaman an diminye, pwodiksyon an nan baton Silisyòm / lengote ki gen dyamèt egal pou chak kilogram ap ogmante, ak kantite baton Silisyòm kristal sèl nan menm pwa a pral pi wo pase sa. nan lengote Silisyòm polikristalin. An tèm de pouvwa, pouvwa a itilize pa chak wafer Silisyòm varye selon kalite a ak gwosè. Nan 2021, pwodiksyon an nan p-type 166mm gwosè monokristalin ba kare se apeprè 64 moso pou chak kilogram, ak pwodiksyon an nan lengote kare polikristalin se apeprè 59 moso. Pami p-tip sèl kristal Silisyòm wafers yo, pwodiksyon an nan 158.75mm gwosè monokristalin kare baton se apeprè 70 moso pou chak kilogram, pwodiksyon an nan p-tip 182mm gwosè sèl kristal kare baton se sou 53 moso pou chak kilogram, ak pwodiksyon an nan p. -type 210mm gwosè sèl kristal baton pou chak kilogram se sou 53 moso. Pwodiksyon an nan ba kare a se apeprè 40 moso. Soti nan 2022 a 2030, eklèsi kontinyèl nan gauf Silisyòm pral san dout mennen nan yon ogmantasyon nan kantite baton Silisyòm / lengote nan menm volim. Dyamèt ki pi piti nan busbar fil dyaman an ak gwosè patikil mwayen pral ede tou diminye pèt koupe, kidonk ogmante kantite wafers ki pwodui. kantite. Li estime ke nan 2025 ak 2030, pwodiksyon an nan p-type 166mm gwosè monokristalin kare baton se sou 71 ak 78 moso pou chak kilogram, ak pwodiksyon an nan lengote kare polikristalin se sou 62 ak 62 moso, ki se akòz mache a ki ba. pati nan wafers polikristalin Silisyòm Li difisil pou lakòz pwogrè teknolojik enpòtan. Gen diferans ki genyen nan pouvwa a nan diferan kalite ak gwosè nan gaufre Silisyòm. Dapre done anons la pou pouvwa mwayèn nan 158.75mm Silisyòm gaufrèt se sou 5.8W / moso, pouvwa an mwayèn nan 166mm gwosè Silisyòm gaufrèt se sou 6.25W / moso, ak pouvwa an mwayèn nan 182mm Silisyòm wafers se sou 6.25W / moso . Mwayèn pouvwa wafer Silisyòm gwosè a se sou 7.49W/moso, ak pouvwa mwayèn gwosè Silisyòm wafer 210mm se sou 10W/moso.
Nan dènye ane yo, silisyòm wafers yo te devlope piti piti nan yon direksyon ki nan gwo gwosè, ak gwo gwosè se fezab ogmante pouvwa a nan yon sèl chip, kidonk dilye pri a ki pa Silisyòm nan selil yo. Sepandan, ajisteman gwosè Silisyòm wafers bezwen tou pou konsidere en ak en correspondance Et normalisation pwoblèm, espesyalman chay ak gwo pwoblèm aktyèl yo. Kounye a, gen de kan nan mache a konsènan direksyon devlopman nan lavni nan gwosè wafer Silisyòm, sètadi gwosè 182mm ak gwosè 210mm. Pwopozisyon an nan 182mm se sitou nan pèspektiv nan entegrasyon endistri vètikal, ki baze sou konsiderasyon nan enstalasyon an ak transpò nan selil fotovoltaik, pouvwa a ak efikasite nan modil, ak sinèrji ki genyen ant en ak en; pandan y ap 210mm se sitou nan pèspektiv nan pri pwodiksyon ak pri sistèm. Pwodiksyon an nan 210mm Silisyòm wafers ogmante pa plis pase 15% nan pwosesis la desen baton yon sèl-fou, pri a pwodiksyon batri en te redwi pa apeprè 0.02 Yuan / W, ak pri total de konstriksyon estasyon elektrik te redwi pa apeprè 0.1 Yuan / W. Nan kèk ane kap vini yo, li espere ke wafers Silisyòm ak yon gwosè anba a 166mm yo pral piti piti elimine; pwoblèm yo matche en ak en nan 210mm Silisyòm wafers yo pral piti piti rezoud efektivman, ak pri yo pral vin yon faktè ki pi enpòtan ki afekte envestisman an ak pwodiksyon de antrepriz. Se poutèt sa, pati nan mache nan 210mm Silisyòm wafers ap ogmante. Ogmantasyon fiks; 182mm Silisyòm wafer pral vin gwosè a endikap nan mache a grasa avantaj li yo nan pwodiksyon vètikal entegre, men ak devlopman zouti nan teknoloji aplikasyon 210mm Silisyòm, 182mm pral bay li. Anplis de sa, li difisil pou pi gwo-gwosè Silisyòm wafers yo dwe lajman itilize nan mache a nan kèk ane kap vini yo, paske pri travay la ak risk enstalasyon nan gwo-gwosè Silisyòm gauf yo ap ogmante anpil, ki se difisil yo dwe konpanse pa la. ekonomi nan depans pwodiksyon ak depans sistèm. . Nan 2021, gwosè wafer Silisyòm sou mache a gen ladan 156.75mm, 157mm, 158.75mm, 166mm, 182mm, 210mm, elatriye Pami yo, gwosè a nan 158.75mm ak 166mm matirite pou 50% nan total la, ak gwosè a nan 156.7mm. diminye a 5%, ki pral piti piti ranplase nan tan kap vini an; 166mm se pi gwo solisyon gwosè ki ka amelyore pou liy pwodiksyon batri ki deja egziste, ki pral pi gwo gwosè nan de ane ki sot pase yo. An tèm de gwosè tranzisyon, li espere ke pati nan mache a pral mwens pase 2% nan 2030; gwosè a konbine nan 182mm ak 210mm pral konte pou 45% nan 2021, ak pati nan mache a ap ogmante rapidman nan tan kap vini an. Li espere ke pati nan mache total nan 2030 pral depase 98%.
Nan dènye ane yo, pati nan mache nan Silisyòm monokristalin te kontinye ogmante, epi li te okipe pozisyon endikap nan mache a. Soti nan 2012 a 2021, pwopòsyon nan Silisyòm monokristalin leve soti nan mwens pase 20% a 93.3%, yon ogmantasyon siyifikatif. Nan 2018, gauf yo Silisyòm sou mache a se sitou polikristalin Silisyòm wafers, kontablite pou plis pase 50%. Rezon prensipal ki fè se ke avantaj teknik ki genyen nan gaufre Silisyòm monokristalin pa ka kouvri dezavantaj yo pri. Depi 2019, kòm efikasite konvèsyon fotoelektrik nan silisyòm monokristalin siyifikativman siyifikativman depase sa ki nan silisyòm polikristalin, ak pri pwodiksyon an nan silisyòm monokristalin te kontinye ap bese ak pwogrè teknolojik, pati nan mache nan silisyòm monokristalin te kontinye ogmante, vin tounen endikap nan mache a. pwodwi. Li espere ke pwopòsyon silisyòm monokristalin wafers pral rive nan apeprè 96% nan 2025, ak pati nan mache nan gaufr monokristalin Silisyòm pral rive nan 97.7% nan 2030. (Sous Rapò: Future Think Tank)
1.3. Batri: pil PERC domine mache a, ak devlopman pil n-kalite pouse bon jan kalite pwodwi
Lyen midstream nan chèn endistri fotovoltaik la gen ladan selil fotovoltaik ak modil selil fotovoltaik. Pwosesis Silisyòm wafers nan selil yo se etap ki pi enpòtan nan reyalize konvèsyon foto-elektrik. Li pran apeprè sèt etap pou trete yon selil konvansyonèl ki soti nan yon wafer Silisyòm. Premyèman, mete wafer Silisyòm nan asid fluoridrik pou pwodui yon estrikti syèd ki tankou piramid sou sifas li, kidonk diminye refleksyon limyè solèy la epi ogmante absòpsyon limyè; dezyèm lan se Fosfò se difize sou sifas yon bò nan wafer Silisyòm nan fòme yon junction PN, ak bon jan kalite li dirèkteman afekte efikasite nan selil la; twazyèm lan se retire junction PN ki te fòme sou bò wafer Silisyòm lan pandan etap difizyon an pou anpeche ti sikwi selil la; Yon kouch fim nitrure Silisyòm kouvwi sou bò kote junction PN a fòme pou diminye refleksyon limyè ak an menm tan ogmante efikasite; senkyèm lan se enprime elektwòd metal sou devan ak dèyè wafer Silisyòm pou kolekte transpòtè minorite ki te pwodwi pa fotovoltaik; Sikwi a enprime nan etap enprime a se sintered ak fòme, epi li se entegre ak wafer nan Silisyòm, se sa ki, selil la; finalman, selil yo ak efikasite diferan yo klase.
Selil Silisyòm kristalin yo anjeneral fèt ak gauf Silisyòm kòm substrats, epi yo ka divize an selil p-tip ak selil n-kalite dapre kalite Silisyòm gauf. Pami yo, selil n-tip gen pi wo efikasite konvèsyon epi yo piti piti ranplase selil p-tip nan dènye ane yo. P-tip Silisyòm gauf yo fèt pa dopaj Silisyòm ak bor, ak n-kalite Silisyòm gauf yo te fè nan fosfò. Se poutèt sa, konsantrasyon nan eleman bor nan wafer Silisyòm n-kalite a pi ba, kidonk anpeche lyezon konplèks bor-oksijèn, amelyore lavi konpayi asirans minorite materyèl Silisyòm, epi an menm tan, pa gen okenn foto-induit atténuation. nan batri a. Anplis de sa, transpòtè minorite n-kalite yo se twou, transpòtè minorite p-kalite yo se elektwon, ak koup transvèsal nan pifò atòm enpurte pou twou se pi piti pase sa ki nan elektwon. Se poutèt sa, lavi konpayi asirans minorite selil n-kalite a pi wo ak to konvèsyon foto-elektrik la pi wo. Dapre done laboratwa, limit siperyè efikasite konvèsyon selil p-tip se 24.5%, ak efikasite konvèsyon selil n-kalite jiska 28.7%, kidonk selil n-kalite reprezante direksyon devlopman nan teknoloji nan lavni. Nan 2021, selil n-kalite (sitou ki gen ladan selil heterojunction ak selil TOPCon) gen pri relativman wo, ak echèl pwodiksyon an mas toujou piti. Pati nan mache aktyèl la se apeprè 3%, ki se fondamantalman menm jan ak sa ki nan 2020.
Nan 2021, efikasite konvèsyon nan selil n-kalite yo pral siyifikativman amelyore, epi li espere ke pral gen plis plas pou pwogrè teknolojik nan senk ane kap vini yo. Nan 2021, pwodiksyon an gwo echèl nan p-tip selil monokristalin pral sèvi ak teknoloji PERC, ak efikasite konvèsyon an mwayèn pral rive nan 23.1%, yon ogmantasyon de 0.3 pwen pousantaj konpare ak 2020; efikasite konvèsyon nan selil polikristalin nwa Silisyòm lè l sèvi avèk teknoloji PERC pral rive nan 21.0%, konpare ak 2020. Ogmantasyon anyèl nan 0.2 pwen pousantaj; Amelyorasyon konvansyonèl polikristalin nwa Silisyòm selil pa fò, efikasite konvèsyon an 2021 pral apeprè 19.5%, sèlman 0.1 pwen pousantaj pi wo, epi espas amelyorasyon efikasite nan lavni limite; efikasite konvèsyon an mwayèn nan selil monokristalin ingot PERC se 22.4%, ki se 0.7 pwen pousantaj pi ba pase sa yo ki nan selil monokristalin PERC; efikasite konvèsyon an mwayèn nan n-tip selil TOPCon rive nan 24%, ak efikasite konvèsyon an mwayèn nan selil heterojunction rive nan 24.2%, tou de nan yo ki te anpil amelyore konpare ak 2020, ak efikasite konvèsyon an mwayèn nan selil IBC rive nan 24.2%. Ak devlopman nan teknoloji nan tan kap vini an, teknoloji batri tankou TBC ak HBC ka kontinye fè pwogrè tou. Nan lavni an, ak rediksyon nan pri pwodiksyon ak amelyorasyon nan sede, n-kalite pil yo pral youn nan direksyon devlopman prensipal yo nan teknoloji batri.
Soti nan pèspektiv nan wout teknoloji batri, aktyalizasyon iteratif nan teknoloji batri te sitou ale nan BSF, PERC, TOPCon ki baze sou amelyorasyon PERC, ak HJT, yon nouvo teknoloji ki subverts PERC; TOPCon kapab plis konbine avèk IBC pou fòme TBC, ak HJT kapab tou konbine avèk IBC pou vin HBC. Selil monokristalin P-kalite sitou itilize teknoloji PERC, selil polikristalin p-tip gen ladan selil polikristalin nwa Silisyòm ak selil monokristalin ingot, lèt la refere a adisyon nan kristal grenn monokristalin sou baz pwosesis konvansyonèl ingot polikristalin, solidifikasyon direksyon Apre sa, yon kare Silisyòm ingot fòme, ak yon wafer Silisyòm melanje ak yon sèl kristal ak polikristalin fèt atravè yon seri de pwosesis pwosesis. Paske li esansyèlman itilize yon wout preparasyon polikristalin, li enkli nan kategori selil polikristalin p-type. Selil n-kalite yo sitou gen ladan selil monokristalin TOPCon, selil monokristalin HJT ak selil monokristalin IBC. Nan 2021, nouvo liy pwodiksyon an mas yo ap toujou domine pa liy pwodiksyon selil PERC, ak pati nan mache selil PERC ap ogmante plis a 91.2%. Kòm demann pwodwi pou pwojè deyò ak nan kay la konsantre sou pwodwi ki gen gwo efikasite, pati nan mache a nan pil BSF pral tonbe soti nan 8.8% a 5% nan 2021.
1.4. Modil: Pri a nan selil yo kont pou pati prensipal la, ak pouvwa a nan modil yo depann sou selil yo.
Etap pwodiksyon yo nan modil fotovoltaik sitou gen ladan entèkoneksyon selilè ak laminasyon, ak selil yo konte pou yon gwo pati nan pri total modil la. Depi aktyèl ak vòltaj yon sèl selil yo piti anpil, selil yo bezwen konekte atravè ba otobis yo. Isit la, yo konekte nan seri ogmante vòltaj la, ak Lè sa a konekte nan paralèl jwenn gwo aktyèl, ak Lè sa a, vè fotovoltaik la, EVA oswa POE, Fèy batri, EVA oswa POE, fèy tounen sele ak chalè bourade nan yon sèten lòd. , epi finalman pwoteje pa ankadreman aliminyòm ak kwen sele silikone. Soti nan pèspektiv nan konpozisyon pri pwodiksyon eleman, pri materyèl konte pou 75%, okipe pozisyon prensipal la, ki te swiv pa pri fabrikasyon, pri pèfòmans ak pri travay. Pri a nan materyèl dirije pa pri a nan selil yo. Dapre anons ki soti nan anpil konpayi, selil yo konte pou apeprè 2/3 nan pri total modil fotovoltaik.
Modil fotovoltaik yo anjeneral divize selon kalite selil, gwosè, ak kantite. Gen diferans ki genyen nan pouvwa a nan modil diferan, men yo tout nan etap k ap monte a. Pouvwa se yon endikatè kle nan modil fotovoltaik, ki reprezante kapasite modil la konvèti enèji solè nan elektrisite. Li ka wè nan estatistik pouvwa yo nan diferan kalite modil fotovoltaik ke lè gwosè a ak kantite selil nan modil la se menm bagay la, pouvwa a nan modil la se n-kalite sèl kristal> p-kalite sèl kristal> polikristalin; Pi gwo gwosè a ak kantite, se pi gwo pouvwa a nan modil la; pou TOPCon modil kristal sèl ak modil heterojunction nan menm spesifikasyon, pouvwa a nan lèt la pi gran pase sa yo ki nan ansyen an. Dapre pwevwa CPIA, pouvwa modil ap ogmante pa 5-10W pa ane nan kèk ane kap vini yo. Anplis de sa, anbalaj modil pral pote yon pèt pouvwa sèten, sitou ki gen ladan pèt optik ak pèt elektrik. Ansyen an ki te koze pa transmisyon ak optik dezakò nan materyèl anbalaj tankou vè fotovoltaik ak EVA, ak lèt la sitou refere a itilize nan selil solè nan seri. Pèt la sikwi ki te koze pa rezistans nan riban an soude ak ba otobis la tèt li, ak pèt aktyèl la dezekilib ki te koze pa koneksyon paralèl selil yo, pèt total de pouvwa a de kont yo pou apeprè 8%.
1.5. Kapasite enstale fotovoltaik: politik divès peyi yo evidamman kondwi, e gen gwo espas pou nouvo kapasite enstale nan lavni.
Mond lan te fondamantalman rive nan yon konsansis sou zewo emisyon nèt anba objektif pwoteksyon anviwònman an, ak ekonomi pwojè fotovoltaik supèrpoz yo te piti piti parèt. Peyi yo ap aktivman eksplore devlopman jenerasyon enèji renouvlab. Nan dènye ane yo, peyi atravè mond lan te pran angajman pou redwi emisyon kabòn. Pifò nan pi gwo emèt gaz lakòz efè tèmik yo te formul objektif enèji renouvlab korespondan, ak kapasite enstale enèji renouvlab se gwo. Ki baze sou sib kontwòl tanperati 1.5 ℃, IRENA predi ke kapasite mondyal enèji renouvlab enstale a pral rive nan 10.8TW nan 2030. Anplis de sa, dapre done WOODMac, pri nivo elektrisite (LCOE) nan jenerasyon enèji solè nan Lachin, peyi Zend, Etazini ak lòt peyi yo deja pi ba pase enèji fosil pi bon mache a, epi yo pral plis n bès nan tan kap vini an. Pwomosyon aktif nan politik nan divès peyi ak ekonomi an nan jenerasyon pouvwa fotovoltaik te mennen nan yon ogmantasyon fiks nan kapasite kimilatif enstale nan fotovoltaik nan mond lan ak Lachin nan dènye ane yo. Soti nan 2012 a 2021, kapasite kimilatif enstale nan fotovoltaik nan mond lan ap ogmante soti nan 104.3GW a 849.5GW, ak kapasite kimilatif enstale nan fotovoltaik nan Lachin ap ogmante soti nan 6.7GW a 307GW, yon ogmantasyon de plis pase 44 fwa. Anplis de sa, kapasite fotovoltaik ki fèk enstale Lachin nan reprezante plis pase 20% nan kapasite total enstale nan mond lan. Nan 2021, kapasite fotovoltaik ki fèk enstale Lachin nan se 53GW, kontablite pou apeprè 40% nan kapasite ki fèk enstale nan mond lan. Sa a se sitou akòz distribisyon an abondan ak inifòm nan resous enèji limyè nan Lachin, ki byen devlope en ak en, ak sipò nan fò nan politik nasyonal yo. Pandan peryòd sa a, Lachin te jwe yon gwo wòl nan jenerasyon pouvwa fotovoltaik, ak kapasite kimilatif enstale a te konte pou mwens pase 6.5%. vole nan 36.14%.
Dapre analiz ki anwo a, CPIA te bay previzyon pou enstalasyon fotovoltaik ki fèk ogmante soti nan 2022 a 2030 nan tout mond lan. Li estime ke anba tou de kondisyon optimis ak konsèvatif, kapasite mondyal ki fèk enstale nan 2030 yo pral 366 ak 315GW respektivman, ak kapasite ki fèk enstale nan Lachin yo pral 128. , 105GW. Anba a nou pral pwevwa demann pou polysilicon ki baze sou echèl kapasite ki fèk enstale chak ane.
1.6. Pwevwa demann nan polysilicon pou aplikasyon fotovoltaik
Soti nan 2022 rive 2030, ki baze sou previzyon CPIA pou enstalasyon PV mondyal ki fèk ogmante anba senaryo optimis ak konsèvatif, yo ka prevwa demann pou polysilicon pou aplikasyon PV. Selil yo se yon etap kle pou reyalize konvèsyon foto-elektrik, ak silisyòm wafers yo se matyè premyè debaz selil yo ak dirèk en polysilicon, kidonk li se yon pati enpòtan nan previzyon demann polysilicon. Kantite pondere moso pou chak kilogram nan branch Silisyòm ak lengote ka kalkile nan kantite moso pou chak kilogram ak pati nan mache nan branch Silisyòm ak lengote. Lè sa a, dapre pouvwa a ak pati nan mache nan Silisyòm gauf nan gwosè diferan, pouvwa a filaplon nan gaufr yo Silisyòm ka jwenn, ak Lè sa a, kantite ki nesesè nan Silisyòm gaufre yo ka estime dapre kapasite nan fotovoltaik ki fèk enstale. Apre sa, pwa a nan branch bwa Silisyòm ki nesesè yo ak lengote yo ka jwenn dapre relasyon ki kantite ant kantite gaufrè Silisyòm ak kantite filaplon nan branch Silisyòm ak lengote Silisyòm pou chak kilogram. Pli lwen konbine avèk konsomasyon Silisyòm filaplon nan baton Silisyòm / lengote Silisyòm, demann pou polysilicon pou kapasite fotovoltaik ki fèk enstale ka finalman jwenn. Dapre rezilta pwevwa yo, demann mondyal la pou polysilicon pou nouvo enstalasyon fotovoltaik nan senk ane ki sot pase yo ap kontinye ap monte, pik nan 2027, ak Lè sa a, dekline yon ti kras nan twa ane kap vini yo. Yo estime ke nan kondisyon optimis ak konsèvatif nan 2025, demann mondyal anyèl pou polysilicon pou enstalasyon fotovoltaik yo pral 1,108,900 tòn ak 907,800 tòn respektivman, ak demann mondyal la pou polysilicon pou aplikasyon fotovoltaik nan 2030 yo pral 1,042,100 tòn nan kondisyon optimis ak konsèvatif. . , 896,900 tòn. Dapre Lachin nanpwopòsyon nan kapasite mondyal enstale fotovoltaik,Demand Lachin nan pou polysilicon pou itilize fotovoltaik nan 2025espere 369,600 tòn ak 302,600 tòn respektivman anba kondisyon optimis ak konsèvatif, ak 739,300 tòn ak 605,200 tòn lòt bò dlo respektivman.
2, Semiconductor fen demann: Echèl la se pi piti anpil pase demann lan nan jaden an fotovoltaik, ak kwasans nan lavni ka espere
Anplis de fè selil fotovoltaik, polysilicon kapab tou itilize kòm yon matyè premyè pou fè chips epi yo itilize nan jaden an semi-conducteurs, ki ka sibdivize nan fabrikasyon otomobil, elektwonik endistriyèl, kominikasyon elektwonik, aparèy kay ak lòt jaden. Pwosesis la soti nan polysilicon chip se sitou divize an twa etap. Premyèman, polysilicon la trase nan lengote Silisyòm monokristalin, ak Lè sa a, koupe nan gauf Silisyòm mens. Wafers Silisyòm yo pwodui atravè yon seri operasyon fanm k'ap pile, chanfreinaj ak polisaj. , ki se materyèl debaz anvan tout koreksyon faktori semi-conducteurs la. Finalman, wafer Silisyòm nan koupe ak lazè grave nan estrikti sikwi divès kalite fè pwodwi chip ak sèten karakteristik. Wafers Silisyòm komen sitou gen ladan wafers poli, wafers epitaxial ak wafers SOI. Wafer poli se yon materyèl pwodiksyon chip ak platite segondè ki te jwenn nan polisaj la Silisyòm pou retire kouch ki domaje sou sifas la, ki ka dirèkteman itilize pou fè chips, epitaxial wafers ak SOI Silisyòm wafers. Epitaxial wafers yo jwenn pa kwasans epitaxial nan wafers poli, pandan y ap SOI Silisyòm gauf yo fabrike pa lyezon oswa enplantasyon ion sou substrats wafer poli, ak pwosesis preparasyon an se relativman difisil.
Atravè demann pou polysilicon sou bò semi-conducteurs nan 2021, konbine avèk pwevwa ajans lan nan to kwasans endistri a semi-conducteurs nan kèk ane kap vini yo, demann pou polysilicon nan jaden an semi-conducteurs soti nan 2022 a 2025 ka apeprè estime. Nan 2021, pwodiksyon mondyal elektwonik-klas polysilicon la pral konte pou apeprè 6% nan pwodiksyon total polysilicon, ak polysilicon solè-klas ak granulaire Silisyòm pral konte pou apeprè 94%. Pifò elektwonik-klas polysilicon yo itilize nan jaden an semi-conducteurs, ak lòt polysilicon se fondamantalman itilize nan endistri a fotovoltaik. . Se poutèt sa, li ka sipoze ke kantite polysilicon yo itilize nan endistri semi-conducteurs nan 2021 se sou 37,000 tòn. Anplis de sa, dapre pousantaj kwasans konpoze nan lavni nan endistri a semi-conducteurs FortuneBusiness Insights prevwa, demann lan pou polysilicon pou itilize semi-conducteurs ap ogmante nan yon pousantaj anyèl 8.6% soti nan 2022 a 2025. Li estime ke nan 2025, demann lan pou polysilicon nan jaden an semi-conducteurs pral alantou 51,500 tòn. (Sous rapò: Future Think Tank)
3, Polysilicon enpòte ak ekspòtasyon: enpòtasyon byen lwen depase ekspòtasyon, ak Almay ak Malezi kontablite pou yon pwopòsyon ki pi wo.
Nan 2021, apeprè 18.63% nan demann polisilikon Lachin nan ap soti nan enpòtasyon, ak echèl la nan enpòtasyon byen lwen depase echèl la nan ekspòtasyon. Soti nan 2017 a 2021, modèl enpòte ak ekspòtasyon nan polysilicon domine pa enpòtasyon, ki ka akòz gwo demann lan en pou endistri fotovoltaik ki te devlope rapidman nan dènye ane yo, ak demann li yo pou polisilikon kont pou plis pase 94% nan la. demann total; Anplis de sa, konpayi an pa gen ankò metrize teknoloji pwodiksyon an nan-wo pite elektwonik-klas polysilicon, kidonk gen kèk polysilicon ki nesesè pa endistri a sikwi entegre toujou bezwen konte sou enpòtasyon. Dapre done Branch endistri Silisyòm lan, volim enpòtasyon an kontinye ap bese nan 2019 ak 2020. Rezon fondamantal pou n bès nan enpòtasyon polysilicon nan 2019 se te yon ogmantasyon sibstansyèl nan kapasite pwodiksyon an, ki te monte soti nan 388,000 tòn nan 2018 a 452,000 tòn. nan 2019. An menm tan an, OCI, REC, HANWHA Gen kèk konpayi lòt bò dlo, tankou kèk konpayi lòt bò dlo, te retire nan endistri a polysilicon akòz pèt, kidonk depandans nan enpòte nan polysilicon se pi ba anpil; Malgre ke kapasite pwodiksyon pa te ogmante nan 2020, enpak epidemi an te mennen nan reta nan konstriksyon an nan pwojè fotovoltaik, ak kantite lòd polisilicon te diminye nan menm peryòd la. Nan 2021, mache fotovoltaik Lachin nan ap devlope rapidman, ak konsomasyon aparan nan polysilicon pral rive nan 613,000 tòn, kondwi volim nan enpòte detant. Nan senk ane ki sot pase yo, volim enpòte Polysilicon Lachin nan te ant 90,000 ak 140,000 tòn, ki apeprè 103,800 tòn nan 2021. Li espere ke volim enpòte Polysilicon Lachin nan ap rete alantou 100,000 tòn pa ane soti nan 2022 a 2025.
Enpòtasyon polysilicon Lachin nan sitou soti nan Almay, Malezi, Japon ak Taiwan, Lachin, ak enpòtasyon total ki soti nan kat peyi sa yo pral konte pou 90.51% nan 2021. Apeprè 45% nan enpòtasyon polysilicon Lachin nan soti nan Almay, 26% soti nan Malezi, 13.5% soti nan Japon, ak 6% nan Taiwan. Almay posede polysilicon jeyan nan mond lan WACKER, ki se pi gwo sous polysilicon lòt bò dlo, kontablite pou 12.7% nan total kapasite pwodiksyon mondyal la nan 2021; Malezi gen yon gwo kantite liy pwodiksyon polysilicon ki soti nan Konpayi OCI Kore di Sid la, ki soti nan liy pwodiksyon orijinal la nan Malezi nan TOKUYAMA, yon konpayi Japonè akeri pa OCI. Gen faktori ak kèk faktori ke OCI te deplase soti nan Kore di Sid nan Malezi. Rezon ki fè demenajman an se ke Malezi bay espas faktori gratis ak pri a nan elektrisite se yon tyè pi ba pase sa yo ki nan Kore di Sid; Japon ak Taiwan, Lachin gen TOKUYAMA, GET ak lòt konpayi yo, ki okipe yon gwo pati nan pwodiksyon polysilicon. yon kote. Nan 2021, pwodiksyon polysilicon la pral 492,000 tòn, ki fèk enstale kapasite fotovoltaik ak demann pwodiksyon chip yo pral 206,400 tòn ak 1,500 tòn respektivman, ak 284,100 tòn ki rete yo pral sitou itilize pou pwosesis en ak ekspòte lòt bò dlo. Nan lyen yo en polysilicon, Silisyòm wafers, selil ak modil yo sitou ekspòte, nan mitan ki ekspòtasyon modil yo patikilyèman enpòtan. An 2021, yo te gen 4.64 milya dola silisyòm ak 3.2 milya selil fotovoltaik.ekspòtesoti nan Lachin, ak yon ekspòtasyon total de 22.6GW ak 10.3GW respektivman, ak ekspòtasyon an nan modil fotovoltaik se 98.5GW, ak enpòtasyon trè kèk. An tèm de konpozisyon valè ekspòtasyon, ekspòtasyon modil nan 2021 pral rive nan US $ 24.61 milya dola, kontablite pou 86%, ki te swiv pa Silisyòm wafers ak pil. Nan 2021, pwodiksyon mondyal Silisyòm wafers, selil fotovoltaik, ak modil fotovoltaik pral rive nan 97.3%, 85.1%, ak 82.3%, respektivman. Li espere ke endistri fotovoltaik mondyal la ap kontinye konsantre nan Lachin nan twa ane kap vini yo, ak pwodiksyon ak ekspòtasyon volim chak lyen yo pral konsiderab. Se poutèt sa, li estime ke soti nan 2022 a 2025, kantite polysilicon yo itilize pou trete ak pwodwi pwodwi en ak ekspòte aletranje ap ogmante piti piti. Li estime pa soustraksyon pwodiksyon lòt bò dlo nan demann polysilicon lòt bò dlo. Nan 2025, polysilicon ki te pwodwi pa pwosesis nan pwodwi en yo pral estime ekspòte 583,000 tòn nan peyi etranje soti nan Lachin.
4, Rezime ak pespektiv
Demann polysilicon mondyal la se sitou konsantre nan jaden an fotovoltaik, ak demann lan nan jaden an semi-conducteurs se pa yon lòd nan grandè. Demann pou polysilicon kondwi pa enstalasyon fotovoltaik, epi li piti piti transmèt nan polysilicon atravè lyen fotovoltaik modil-selil-wafer, jenere demann pou li. Nan lavni an, ak ekspansyon nan kapasite mondyal enstale fotovoltaik, demann pou polysilicon se jeneralman optimis. Optimisman, Lachin ak lòt bò dlo ki fèk ogmante enstalasyon PV ki lakòz demann pou polysilicon nan 2025 yo pral 36.96GW ak 73.93GW respektivman, ak demann lan anba kondisyon konsèvatif pral tou rive nan 30.24GW ak 60.49GW respektivman. Nan 2021, rezèv ak demann mondyal polisilikon yo pral sere, sa ki lakòz gwo pri mondyal polysilicon. Sitiyasyon sa a ka kontinye jiska 2022, epi piti piti ale nan etap nan rezèv ki lach apre 2023. Nan dezyèm mwatye nan 2020, enpak la nan epidemi an te kòmanse febli, ak ekspansyon pwodiksyon en te kondwi demann lan pou polysilicon, ak kèk konpayi dirijan te planifye. pou elaji pwodiksyon an. Sepandan, sik ekspansyon plis pase yon ane edmi te lakòz lage kapasite pwodiksyon an nan fen 2021 ak 2022, sa ki lakòz yon ogmantasyon 4.24% nan 2021. Gen yon espas ekipman pou 10,000 tòn, kidonk pri yo te monte. sevè. Li prevwa ke nan 2022, anba kondisyon optimis ak konsèvatif nan kapasite enstale fotovoltaik, diferans nan rezèv ak demann yo pral -156,500 tòn ak 2,400 tòn respektivman, ak rezèv la an jeneral ap toujou nan yon eta de rezèv relativman kout. Nan 2023 ak pi lwen, nouvo pwojè ki te kòmanse konstriksyon nan fen 2021 ak kòmansman 2022 pral kòmanse pwodiksyon ak reyalize yon ranp-up nan kapasite pwodiksyon an. Pwovizyon ak demann pral piti piti dekole, ak pri yo ka anba presyon anba. Nan swivi a, yo ta dwe peye atansyon sou enpak la nan Lagè Ris-Ukrainian sou modèl enèji mondyal la, ki ka chanje plan mondyal la pou kapasite fotovoltaik ki fèk enstale, ki pral afekte demann pou polysilicon.
(Atik sa a se sèlman pou referans kliyan UrbanMines yo epi li pa reprezante okenn konsèy sou envestisman)