9 August ગસ્ટ, 2024 ના રોજ, 15:30 ઇઇ ટાઇમ્સ જાપાન પર પ્રકાશિત
જાપાન હોક્કાઇડો યુનિવર્સિટીના એક સંશોધન જૂથે 78 સેમી 2/વીની ઇલેક્ટ્રોન ગતિશીલતા અને કોચી યુનિવર્સિટી ઓફ ટેકનોલોજી સાથે ઉત્તમ સ્થિરતા સાથે સંયુક્ત રીતે "ઓક્સાઇડ પાતળા-ફિલ્મ ટ્રાંઝિસ્ટર" વિકસિત કર્યા છે. આગલી પે generation ીના 8 કે ઓએલઇડી ટીવીની સ્ક્રીનો ચલાવવી શક્ય બનશે.
સક્રિય સ્તર પાતળા ફિલ્મની સપાટી એક રક્ષણાત્મક ફિલ્મથી covered ંકાયેલી છે, જેમાં સ્થિરતામાં મોટા પ્રમાણમાં સુધારો થાય છે
August ગસ્ટ 2024 માં, સહાયક પ્રોફેસર યુસાકુ ક્યો અને રિસર્ચ ઇન્સ્ટિટ્યૂટ ફોર ઇલેક્ટ્રોનિક સાયન્સ, હોકાઇડો યુનિવર્સિટીના પ્રોફેસર હિરોમિચી ઓટીએ, સ્કૂલ Science ફ સાયન્સ એન્ડ ટેકનોલોજીના સ્કૂલ Science ફ સાયન્સ એન્ડ ટેક્નોલ .જીના પ્રોફેસર મામોરુ ફુરુટા, કોચી યુનિવર્સિટી ઓફ ટેકનોલોજીના સહયોગથી, તેઓએ "ox ક્સાઇડ પાતળા-ફિલ્મ ટ્રાન્ઝિટર અને 78 માં 78CONATIRE VS ની VSEM2 VS ની VSEM2/VS ની VS ની સાથે મળીને જાહેરાત કરી. આગલી પે generation ીના 8 કે ઓએલઇડી ટીવીની સ્ક્રીનો ચલાવવી શક્ય બનશે.
વર્તમાન 4K OLED ટીવી સ્ક્રીનો ચલાવવા માટે ox ક્સાઇડ-ઇગ્ઝો પાતળા-ફિલ્મ ટ્રાંઝિસ્ટર (એ-આઇગ્ઝો ટીએફટીએસ) નો ઉપયોગ કરે છે. આ ટ્રાંઝિસ્ટરની ઇલેક્ટ્રોન ગતિશીલતા લગભગ 5 થી 10 સે.મી. 2/વી છે. જો કે, આગલી પે generation ીના 8K OLED ટીવીની સ્ક્રીન ચલાવવા માટે, 70 સે.મી. 2/વિ અથવા વધુની ઇલેક્ટ્રોન ગતિશીલતાવાળા ox કસાઈડ પાતળા-ફિલ્મ ટ્રાંઝિસ્ટર જરૂરી છે.
સહાયક પ્રોફેસર મેગો અને તેની ટીમે પાતળા ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને 140 સે.મી. 2/વિ 2022 ની ઇલેક્ટ્રોન ગતિશીલતા સાથે ટીએફટી વિકસાવીઇન્ડિયમ ox કસાઈડ (IN2O3)સક્રિય સ્તર માટે. જો કે, તેને વ્યવહારિક ઉપયોગમાં મૂકવામાં આવ્યો ન હતો કારણ કે હવામાં ગેસના અણુઓના શોષણ અને ડિસોર્પ્શનને કારણે તેની સ્થિરતા (વિશ્વસનીયતા) અત્યંત નબળી હતી.
આ વખતે, સંશોધન જૂથે ગેસને હવામાં શોષી લેતા અટકાવવા માટે પાતળા સક્રિય સ્તરની સપાટીને રક્ષણાત્મક ફિલ્મથી આવરી લેવાનું નક્કી કર્યું. પ્રાયોગિક પરિણામો દર્શાવે છે કે રક્ષણાત્મક ફિલ્મો સાથે ટીએફટીયટ્રિયમ ઓક્સાઇડઅનેbણ -ઓક્સાઇડઅત્યંત stability ંચી સ્થિરતા પ્રદર્શિત. તદુપરાંત, ઇલેક્ટ્રોન ગતિશીલતા 78 સે.મી. 2/વી હતી, અને જ્યારે સ્થિરતા બાકી છે ત્યારે ± 20 વીનું વોલ્ટેજ 1.5 કલાક માટે લાગુ કરવામાં આવ્યું ત્યારે પણ લાક્ષણિકતાઓ બદલાતી નથી.
બીજી બાજુ, ટીએફટીમાં સ્થિરતામાં સુધારો થયો નથી જેમાં હાફનિયમ ox કસાઈડ અથવાએલ્યુમિનિયમ ઓક્સાઇડરક્ષણાત્મક ફિલ્મો તરીકે. જ્યારે ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપનો ઉપયોગ કરીને અણુ વ્યવસ્થા જોવા મળી હતી, ત્યારે તે જાણવા મળ્યું છેતાપમાન અનેયટ્રિયમ ઓક્સાઇડ અણુ સ્તર (વિજાતીય વૃદ્ધિ) પર ચુસ્ત રીતે બંધાયેલા હતા. તેનાથી વિપરિત, તે પુષ્ટિ કરવામાં આવી હતી કે ટીએફટીમાં જેમની સ્થિરતામાં સુધારો થયો નથી, ઇન્ડિયમ ox કસાઈડ અને રક્ષણાત્મક ફિલ્મ વચ્ચેનો ઇન્ટરફેસ આકારહીન હતો.