
Trimetilalumano (TMAI)
| Sinónimos | Trimetilaluminio, trimetilo de aluminio, trimetanuro de aluminio, TMA, TMAL, AlMe3, catalizador Ziegler-Natta, trimetil-, trimetilalano. |
| Número de caso | 75-24-1 |
| Fórmula química | C6H18Al2 |
| Masa molar | 144,17 g/mol, 72,09 g/mol (C3H9Al) |
| Aparencia | Líquido incoloro |
| Densidade | 0,752 g/cm³ |
| Punto de fusión | 15 ℃ (59 ℉; 288 K) |
| Punto de ebulición | 125-130 ℃ (257-266 ℉, 398-403 K) |
| Solubilidade en auga | Reacciona |
| Presión de vapor | 1,2 kPa (20 ℃), 9,24 kPa (60 ℃) |
| Viscosidade | 1,12 cP (20 ℃), 0,9 cP (30 ℃) |
Trimetilaluminio (TMAl), como fonte metalorgánica (MO), utilízase amplamente na industria dos semicondutores e serve como precursor clave para a deposición de capas atómicas (ALD), a deposición química de vapor (CVD) e a deposición química de vapor metalorgánica (MOCVD). Emprégase para preparar películas que conteñen aluminio de alta pureza, como óxido de aluminio e nitruro de aluminio. Ademais, o TMAl atopa unha ampla aplicación como catalizador e o seu axente auxiliar en reaccións de síntese orgánica e polimerización.
O trimetilaluminio (TMAI) actúa como precursor para a deposición de óxido de aluminio e funciona como catalizador de Ziegler-Natta. Tamén é o precursor de aluminio máis empregado na produción de epitaxia en fase de vapor metalorgánica (MOVPE). Ademais, o TMAI serve como axente de metilación e libérase con frecuencia dos foguetes de sonda como trazador para estudar os patróns do vento da atmosfera superior.
Especificación empresarial de trimetilaluminio ao 99,9999 %: baixo contido de silicio e osíxeno (6N TAMI: baixo contido de silicio e osíxeno)
| Elemento | Resultado | Especificación | Elemento | Resultado | Especificación | Elemento | Resultado | Especificación |
| Ag | ND | <0,03 | Cr | ND | <0,02 | S | ND | <0,05 |
| As | ND | <0,03 | Cu | ND | <0,02 | Sb | ND | <0,05 |
| Au | ND | <0,02 | Fe | ND | <0,04 | Si | ND | ≤0,003 |
| B | ND | <0,03 | Ge | ND | <0,05 | Sn | ND | <0,05 |
| Ba | ND | <0,02 | Hg | ND | <0,03 | Sr | ND | <0,03 |
| Be | ND | <0,02 | La | ND | <0,02 | Ti | ND | <0,05 |
| Bi | ND | <0,03 | Mg | ND | <0,02 | V | ND | <0,03 |
| Ca | ND | <0,03 | Mn | ND | <0,03 | Zn | ND | <0,05 |
| Cd | ND | <0,02 | Ni | ND | <0,03 | |||
| Co | ND | <0,02 | Pb | ND | <0,03 |
Nota:
Por riba de todo, valor PPM en peso sobre o metal e ND = non detectado
Método de análise: ICP-OES/ICP-MS
Resultados de FT-RMN (o nivel de densidade de oxíxeno para as impurezas orgánicas e osixenadas de FT-RMN é de 0,1 ppm):
Garantía de osíxeno <0,2 ppm (medido en FT-NMR)
1. Non se detectaron impurezas orgánicas
2. Non se detectaron impurezas osixenadas
Para que se usa o trimetilaluminio (TMAI)?
Trimetilaluminio (TMA)- Aplicacións e usos
O trimetilaluminio (TMA) é un composto organoaluminio de pureza ultra alta que serve como precursor fundamental nalgúns dos sectores de fabricación máis avanzados. A súa excepcional reactividade e presión de vapor convérteno no material elixido para depositar películas precisas que conteñen aluminio en electrónica e tecnoloxías enerxéticas, así como nun compoñente fundamental na produción de poliolefinas.
O noso TMA fabrícase segundo os estándares de pureza máis estritos, cun control rigoroso das impurezas elementais, osixenadas e orgánicas para garantir un rendemento óptimo nas aplicacións máis esixentes.
Aplicacións e industrias principais:
1. Fabricación de semicondutores e microelectrónica
Na industria dos semicondutores, a TMA é indispensable para depositar películas delgadas con precisión atómica.
* Dieléctricos de alta k: utilízanse na deposición de capas atómicas (ALD) e na deposición química de vapor (CVD) para cultivar películas delgadas uniformes e sen poros de esteno de óxido de aluminio (Al₂O₃), que serven como dieléctricos de porta de alta k en transistores e dispositivos de memoria avanzados.
* Semicondutores compostos: a fonte de aluminio preferida en epitaxia metalorgánica en fase de vapor (MOVPE) para o cultivo de semicondutores compostos III-V de alto rendemento. Estes materiais son esenciais para:
* Electrónica de alta frecuencia: (por exemplo, AlGaAs, AlInGaP)
* Optoelectrónica: (por exemplo, AlGaN, AlInGaN)
2. Enerxía limpa e fotovoltaica
A TMA permite unha maior eficiencia e durabilidade nas tecnoloxías de enerxía solar.
* Capas de pasivación superficial: Depositadas mediante ALD ou CVD mellorada por plasma (PECVD), as películas de óxido de aluminio (Al₂O₃) de TMA proporcionan unha pasivación superficial excepcional para as células solares de silicio cristalino. Isto reduce drasticamente a recombinación de portadores de carga, o que leva a ganancias significativas na eficiencia da conversión celular e na estabilidade a longo prazo.
3. Iluminación e pantalla avanzadas (LED)
A produción de LED de alto brillo e eficiencia enerxética baséase no TMA de alta pureza.
* Epitaxia de LED: Serve como precursor de aluminio nos reactores MOVPE para facer medrar as capas activas (por exemplo, AlGaN) en LED azuis, verdes e ultravioleta.
* Pasivación de dispositivos: utilízase para depositar películas protectoras de óxido de aluminio ou nitruro de aluminio que melloran a eficiencia da extracción óptica e prolongan a vida útil dos dispositivos LED.
4. Catálise industrial e produción de polímeros
A importancia industrial do TMA reside no seu papel na catálise.
* Catálise de poliolefinas: É o principal material de partida para a síntese de metilaluminoxano (MAO), un cocatalizador crucial nos sistemas catalizadores de Ziegler-Natta e metaloceno. Estes sistemas producen a gran maioría dos plásticos de polietileno e polipropileno do mundo.
Características e vantaxes principais:
* Pureza ultraalta: meticulosamente controlada para minimizar as impurezas que degradan o rendemento electrónico e a actividade catalítica.
* Precursor superior: Ofrece unha excelente volatilidade, estabilidade térmica e características de descomposición limpas para a deposición de películas de alta calidade.
* Estándar da industria: A fonte de aluminio establecida e de confianza para procesos de MOVPE, ALD e CVD en instalacións de produción e I+D a nivel mundial.
* Base para plásticos: unha materia prima clave que permite a produción de polímeros de poliolefina versátiles e esenciais.
Aviso legal: O trimetilaluminio é un material pirofórico e sensible á humidade que require unha manipulación e protocolos de seguridade especializados. A información proporcionada ten fins descritivos. É responsabilidade do usuario manipular este material de acordo con todas as directrices de seguridade aplicables e determinar a súa idoneidade para unha aplicación específica.